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半導体メモリ

角南英夫著

詳細情報

タイトル	半導体メモリ
著者	角南英夫著
著者標目	角南, 英夫, 1943-
出版地（国名コード）	JP
出版地	東京
出版社	コロナ社
出版年月日等	2008.7
大きさ、容量等	189p ; 21cm
ISBN	9784339007985
価格	2700円
JP番号	21447418
出版年(W3CDTF)	2008
件名（キーワード）	半導体記憶装置
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NDLC	DL475
NDC（9版）	548.232 : 情報工学
対象利用者	一般
資料の種別	図書
言語（ISO639-2形式）	jpn : 日本語

半導体メモリ
目次
1.　半導体メモリの位置づけ
1.　1.1　電子工業と半導体デバイス　1
1.　1.2　電子計算機の二大構成要素―プロセッサとメモリ―　7
1.　1.2　1.2.1　アナログ計算機　7
1.　1.2　1.2.2　黎明期のディジタル計算機　10
1.　1.2　1.2.3　汎用マイクロプロセッサの出現　11
1.　1.2　1.2.4　プロセッサの課題　15
1.　1.3　ワークメモリの歴史　22
1.　1.3　1.3.1　水銀遅延線　23
1.　1.3　1.3.2　磁気コアメモリ　24
1.　1.3　1.3.3　半導体メモリ　25
1.　1.3　1.3.4　CCDと磁気バブルメモリ　27
1.　1.3　1.3.5　ハードディスクドライブ　28
1.　1.4　半導体市場　30
1.　1.4　1.4.1　製品別市場　30
1.　1.4　1.4.2　地域別市場　32
2.　半導体メモリの種類と機能およびその用途
2.　2.1　半導体メモリの基本機能　34
2.　2.1　2.1.1　メモリアレー構成　35
2.　2.1　2.1.2　アドレスデコーダ　36
2.　2.1　2.1.3　アレー分割　37
2.　2.1　2.1.4　高速データ転送　39
2.　2.2　機能別分類　40
2.　2.2　2.2.1　分類の三要素　40
2.　2.2　2.2.2　書込み時間　42
2.　2.2　2.2.3　メモリセル面積とチップコスト　44
2.　2.2　2.2.4　書込み時間と書換え回数　45
2.　2.3　RAMの用途　46
2.　2.3　2.3.1　SRAM　46
2.　2.3　2.3.2　DRAM　47
2.　2.3　2.3.3　MRAM　49
2.　2.4　ROMの用途　49
2.　2.4　2.4.1　マスクROMとヒューズROM　49
2.　2.4　2.4.2　EPROM　50
2.　2.4　2.4.3　電荷捕獲(チャージトラップ)型EEPROM　51
2.　2.4　2.4.4　浮遊ゲート型EEPROM　51
2.　2.5　高機能メモリの用途　54
2.　2.5　2.5.1　ランバスDRAM　54
2.　2.5　2.5.2　多ポートメモリ　56
2.　2.5　2.5.3　連想メモリ　58
3.　大量生産されている汎用メモリ
3.　3.1　マスクROMとヒューズROM　62
3.　3.1　3.1.1　マスクROM　62
3.　3.1　3.1.2　ヒューズROM　63
3.　3.2　SRAM　64
3.　3.2　3.2.1　基本メモリセル　64
3.　3.2　3.2.2　SRAMの基本動作　67
3.　3.2　3.2.3　耐放射線特性　69
3.　3.2　3.2.4　極低消費電力化　70
3.　3.2　3.2.5　SRAM製造工程の概略　71
3.　3.3　DRAM　73
3.　3.3　3.3.1　基本メモリセル　73
3.　3.3　3.3.2　DRAMの基本動作　74
3.　3.3　3.3.3　リフレッシュ　80
3.　3.3　3.3.4　メモリセルの変遷　82
3.　3.3　3.3.5　将来のDRAM　89
3.　3.3　3.3.6　ソフトエラー　93
3.　3.4　EEPROM　95
3.　3.4　3.4.1　基本メモリセル　96
3.　3.4　3.4.2　書込み／読出し動作　97
3.　3.4　3.4.3　多ビット／セル方式　100
3.　3.4　3.4.4　アレー構成　102
3.　3.4　3.4.5　製造工程　104
3.　3.4　3.4.6　誤動作抑制　105
3.　3.4　3.4.7　Siドットメモリ　106
4.　少量生産あるいは開発中のメモリ
4.　4.1　強誘電体メモリ　109
4.　4.1　4.1.1　強誘電体膜　110
4.　4.1　4.1.2　メモリセル　112
4.　4.1　4.1.3　信頼性　113
4.　4.1　4.1.4　応用　113
4.　4.2　磁気メモリ　114
4.　4.2　4.2.1　トンネル磁気抵抗膜　115
4.　4.2　4.2.2　メモリセルと動作原理　116
4.　4.2　4.2.3　信頼性　118
4.　4.2　4.2.4　応用　118
4.　4.3　相変化メモリ　119
4.　4.3　4.3.1　カルコゲナイド膜　120
4.　4.3　4.3.2　メモリセルと動作原理　121
4.　4.3　4.3.3　信頼性　122
4.　4.3　4.3.4　応用　123
4.　4.4　抵抗メモリ　123
4.　4.4　4.4.1　強相関電子系酸化膜　124
4.　4.4　4.4.2　メモリセルと動作原理　125
4.　4.4　4.4.3　信頼性　127
4.　4.4　4.4.4　応用　127
5.　半導体メモリの性能比較と将来の課題
5.　5.1　各種半導体メモリの性能比較　129
5.　5.2　半導体メモリの構成要素の課題　131
5.　5.2　5.2.1　セルトランジスタ　131
5.　5.2　5.2.2　記憶素子　136
5.　5.2　5.2.3　アレー構成　137
5.　5.3　将来に期待されているメモリ　138
5.　5.3　5.3.1　単電子メモリ　138
5.　5.3　5.3.2　スピントランジスタ　140
5.　5.3　5.3.3　固体電解質メモリ　141
5.　5.3　5.3.4　有機半導体メモリ　141
5.　5.3　5.3.5　将来性の判断基準　142
6.　半導体メモリ製造の基礎技術
6.　6.1　製造技術　145
6.　6.1　6.1.1　高集積化と微細加工　146
6.　6.1　6.1.2　デバイス・プロセス・材料の革新　147
6.　6.1　6.1.3　インテグレーション技術　148
6.　6.1　6.1.4　歩留まり　150
6.　6.2　メモリ混載技術　153
6.　6.2　6.2.1　混載の意義　153
6.　6.2　6.2.2　SRAM混載　153
6.　6.2　6.2.3　DRAM混載　154
6.　6.3　欠陥救済技術　155
6.　6.3　6.3.1　ヒューズ方式　155
6.　6.3　6.3.2　アンチヒューズ方式　157
6.　6.3　6.3.3　プロセッサの欠陥救済　157
6.　6.4　ばらつき補償技術　158
6.　6.4　6.4.1　トランジスタのしきい電圧　158
6.　6.4　6.4.2　ばらつきの加算　160
6.　6.4　6.4.3　不均衡軽減レイアウト　161
6.　6.4　6.4.4　ばらつき補償回路　162
6.　6.5　チップスタック技術　163
6.　6.5　6.5.1　ワイヤボンディング方式　164
6.　6.5　6.5.2　貫通配線方式　165
7.　補遺
7.　7.1　トランジスタの表記　166
7.　7.2　ジッターとスキュー　167
7.　7.3　ラッチアップ　168
7.　7.4　ソフトエラー　169
7.　7.5　デバイス開発の歴史　171
あとがき　173
引用・参考文献　176
索引　184

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