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資料種別 図書

半導体メモリ

角南英夫 著

詳細情報

タイトル 半導体メモリ
著者 角南英夫 著
著者標目 角南, 英夫, 1943-
出版地(国名コード) JP
出版地東京
出版社コロナ社
出版年月日等 2008.7
大きさ、容量等 189p ; 21cm
ISBN 9784339007985
価格 2700円
JP番号 21447418
出版年(W3CDTF) 2008
件名(キーワード) 半導体記憶装置
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NDLC DL475
NDC(9版) 548.232 : 情報工学
対象利用者 一般
資料の種別 図書
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

目次
 

  • 半導体メモリ
  • 目次
  • 1. 半導体メモリの位置づけ
  • 1. 1.1 電子工業と半導体デバイス 1
  • 1. 1.2 電子計算機の二大構成要素―プロセッサとメモリ― 7
  • 1. 1.2 1.2.1 アナログ計算機 7
  • 1. 1.2 1.2.2 黎明期のディジタル計算機 10
  • 1. 1.2 1.2.3 汎用マイクロプロセッサの出現 11
  • 1. 1.2 1.2.4 プロセッサの課題 15
  • 1. 1.3 ワークメモリの歴史 22
  • 1. 1.3 1.3.1 水銀遅延線 23
  • 1. 1.3 1.3.2 磁気コアメモリ 24
  • 1. 1.3 1.3.3 半導体メモリ 25
  • 1. 1.3 1.3.4 CCDと磁気バブルメモリ 27
  • 1. 1.3 1.3.5 ハードディスクドライブ 28
  • 1. 1.4 半導体市場 30
  • 1. 1.4 1.4.1 製品別市場 30
  • 1. 1.4 1.4.2 地域別市場 32
  • 2. 半導体メモリの種類と機能およびその用途
  • 2. 2.1 半導体メモリの基本機能 34
  • 2. 2.1 2.1.1 メモリアレー構成 35
  • 2. 2.1 2.1.2 アドレスデコーダ 36
  • 2. 2.1 2.1.3 アレー分割 37
  • 2. 2.1 2.1.4 高速データ転送 39
  • 2. 2.2 機能別分類 40
  • 2. 2.2 2.2.1 分類の三要素 40
  • 2. 2.2 2.2.2 書込み時間 42
  • 2. 2.2 2.2.3 メモリセル面積とチップコスト 44
  • 2. 2.2 2.2.4 書込み時間と書換え回数 45
  • 2. 2.3 RAMの用途 46
  • 2. 2.3 2.3.1 SRAM 46
  • 2. 2.3 2.3.2 DRAM 47
  • 2. 2.3 2.3.3 MRAM 49
  • 2. 2.4 ROMの用途 49
  • 2. 2.4 2.4.1 マスクROMとヒューズROM 49
  • 2. 2.4 2.4.2 EPROM 50
  • 2. 2.4 2.4.3 電荷捕獲(チャージトラップ)型EEPROM 51
  • 2. 2.4 2.4.4 浮遊ゲート型EEPROM 51
  • 2. 2.5 高機能メモリの用途 54
  • 2. 2.5 2.5.1 ランバスDRAM 54
  • 2. 2.5 2.5.2 多ポートメモリ 56
  • 2. 2.5 2.5.3 連想メモリ 58
  • 3. 大量生産されている汎用メモリ
  • 3. 3.1 マスクROMとヒューズROM 62
  • 3. 3.1 3.1.1 マスクROM 62
  • 3. 3.1 3.1.2 ヒューズROM 63
  • 3. 3.2 SRAM 64
  • 3. 3.2 3.2.1 基本メモリセル 64
  • 3. 3.2 3.2.2 SRAMの基本動作 67
  • 3. 3.2 3.2.3 耐放射線特性 69
  • 3. 3.2 3.2.4 極低消費電力化 70
  • 3. 3.2 3.2.5 SRAM製造工程の概略 71
  • 3. 3.3 DRAM 73
  • 3. 3.3 3.3.1 基本メモリセル 73
  • 3. 3.3 3.3.2 DRAMの基本動作 74
  • 3. 3.3 3.3.3 リフレッシュ 80
  • 3. 3.3 3.3.4 メモリセルの変遷 82
  • 3. 3.3 3.3.5 将来のDRAM 89
  • 3. 3.3 3.3.6 ソフトエラー 93
  • 3. 3.4 EEPROM 95
  • 3. 3.4 3.4.1 基本メモリセル 96
  • 3. 3.4 3.4.2 書込み/読出し動作 97
  • 3. 3.4 3.4.3 多ビット/セル方式 100
  • 3. 3.4 3.4.4 アレー構成 102
  • 3. 3.4 3.4.5 製造工程 104
  • 3. 3.4 3.4.6 誤動作抑制 105
  • 3. 3.4 3.4.7 Siドットメモリ 106
  • 4. 少量生産あるいは開発中のメモリ
  • 4. 4.1 強誘電体メモリ 109
  • 4. 4.1 4.1.1 強誘電体膜 110
  • 4. 4.1 4.1.2 メモリセル 112
  • 4. 4.1 4.1.3 信頼性 113
  • 4. 4.1 4.1.4 応用 113
  • 4. 4.2 磁気メモリ 114
  • 4. 4.2 4.2.1 トンネル磁気抵抗膜 115
  • 4. 4.2 4.2.2 メモリセルと動作原理 116
  • 4. 4.2 4.2.3 信頼性 118
  • 4. 4.2 4.2.4 応用 118
  • 4. 4.3 相変化メモリ 119
  • 4. 4.3 4.3.1 カルコゲナイド膜 120
  • 4. 4.3 4.3.2 メモリセルと動作原理 121
  • 4. 4.3 4.3.3 信頼性 122
  • 4. 4.3 4.3.4 応用 123
  • 4. 4.4 抵抗メモリ 123
  • 4. 4.4 4.4.1 強相関電子系酸化膜 124
  • 4. 4.4 4.4.2 メモリセルと動作原理 125
  • 4. 4.4 4.4.3 信頼性 127
  • 4. 4.4 4.4.4 応用 127
  • 5. 半導体メモリの性能比較と将来の課題
  • 5. 5.1 各種半導体メモリの性能比較 129
  • 5. 5.2 半導体メモリの構成要素の課題 131
  • 5. 5.2 5.2.1 セルトランジスタ 131
  • 5. 5.2 5.2.2 記憶素子 136
  • 5. 5.2 5.2.3 アレー構成 137
  • 5. 5.3 将来に期待されているメモリ 138
  • 5. 5.3 5.3.1 単電子メモリ 138
  • 5. 5.3 5.3.2 スピントランジスタ 140
  • 5. 5.3 5.3.3 固体電解質メモリ 141
  • 5. 5.3 5.3.4 有機半導体メモリ 141
  • 5. 5.3 5.3.5 将来性の判断基準 142
  • 6. 半導体メモリ製造の基礎技術
  • 6. 6.1 製造技術 145
  • 6. 6.1 6.1.1 高集積化と微細加工 146
  • 6. 6.1 6.1.2 デバイス・プロセス・材料の革新 147
  • 6. 6.1 6.1.3 インテグレーション技術 148
  • 6. 6.1 6.1.4 歩留まり 150
  • 6. 6.2 メモリ混載技術 153
  • 6. 6.2 6.2.1 混載の意義 153
  • 6. 6.2 6.2.2 SRAM混載 153
  • 6. 6.2 6.2.3 DRAM混載 154
  • 6. 6.3 欠陥救済技術 155
  • 6. 6.3 6.3.1 ヒューズ方式 155
  • 6. 6.3 6.3.2 アンチヒューズ方式 157
  • 6. 6.3 6.3.3 プロセッサの欠陥救済 157
  • 6. 6.4 ばらつき補償技術 158
  • 6. 6.4 6.4.1 トランジスタのしきい電圧 158
  • 6. 6.4 6.4.2 ばらつきの加算 160
  • 6. 6.4 6.4.3 不均衡軽減レイアウト 161
  • 6. 6.4 6.4.4 ばらつき補償回路 162
  • 6. 6.5 チップスタック技術 163
  • 6. 6.5 6.5.1 ワイヤボンディング方式 164
  • 6. 6.5 6.5.2 貫通配線方式 165
  • 7. 補遺
  • 7. 7.1 トランジスタの表記 166
  • 7. 7.2 ジッターとスキュー 167
  • 7. 7.3 ラッチアップ 168
  • 7. 7.4 ソフトエラー 169
  • 7. 7.5 デバイス開発の歴史 171
  • あとがき 173
  • 引用・参考文献 176
  • 索引 184

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