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資料種別 図書

産業用インクジェットにおける特許明細書の解釈と分析方法 : 事例でわかる明細書分析方法

石塚智也 企画編集

詳細情報

タイトル 産業用インクジェットにおける特許明細書の解釈と分析方法 : 事例でわかる明細書分析方法
著者 石塚智也 企画編集
著者標目 石塚, 智也
出版地(国名コード) JP
出版地東京
出版社技術情報協会
出版年月日等 2007.5
大きさ、容量等 358p ; 27cm
ISBN 9784861041655
価格 84000円 (税込)
JP番号 21253837
出版年(W3CDTF) 2007
件名(キーワード) インクジェット--特許
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NDLC M351
NDLC PE63
NDC(9版) 749.3 : 印刷
対象利用者 一般
資料の種別 図書
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

目次
 

  • 産業用インクジェットにおける特許明細書の解釈と分析方法:事例でわかる明細書分析方法
  • 目次
  • 第1章 他社特許明細書の解釈,弱点の見つけ方と攻撃方法
  • 第1章 1. 時代の変化と明細書等への影響 3
  • 第1章 1. 1.1 「科学技術創造立国」そして「知的財産立国」 3
  • 第1章 1. 1.2 20年前の米国における知財戦略 5
  • 第1章 1. 1.3 米国における知財戦略との相違点 7
  • 第1章 1. 1.4 知的創造サイクルの実現 9
  • 第1章 1. 1.5 明細書への影響 10
  • 第1章 2. 発明開示のための出願書類と分析にあたっての基本知識 13
  • 第1章 2. 2.1 特許請求の範囲,明細書,図面,要約書の法的性質の相違 13
  • 第1章 2. 2.2 特許請求の範囲 16
  • 第1章 2. 2.2 2.2.1 【請求項】は基本的にはそれぞれが独立 16
  • 第1章 2. 2.2 2.2.2 一つの請求項に記載されたすべての構成が一致した場合だけ権利範囲 22
  • 第1章 2. 2.3 明細書 34
  • 第1章 2. 2.3 2.3.1 明細書記載の項目 34
  • 第1章 2. 2.3 2.3.2 留意すべきポイント 54
  • 第1章 2. 2.4 図面 55
  • 第1章 3. 分析前に確認すべき事項 56
  • 第1章 4. 分析のステップと分析のポイント 71
  • 第1章 4. 4.1 特許請求の範囲に記載の発明 72
  • 第1章 4. 4.2 明細書および図面の記載を考慮 73
  • 第1章 4. 4.2 4.2.1 請求の範囲における文言の定義 74
  • 第1章 4. 4.2 4.2.2 発明の目的・作用・効果 74
  • 第1章 4. 4.2 4.2.3 実施例でサポートされている範囲 75
  • 第1章 4. 4.2 4.2.4 実施可能要件 75
  • 第1章 4. 4.2 4.2.5 一般常識と明細書の記載 76
  • 第1章 4. 4.3 出願経過を参酌 77
  • 第1章 4. 4.4 公知技術の調査と比較 78
  • 第1章 4. 4.5 その他の留意ポイント 78
  • 第1章 5. 最近の事例から見た分析ポイント 80
  • 第1章 5. 5.1 実施可能要件 80
  • 第1章 5. 5.2 特許請求の範囲の方法的な記載 83
  • 第1章 5. 5.3 明細書に記載されていない作用効果の主張 85
  • 第1章 5. 5.4 不十分な実施例の記載 86
  • 第1章 6. 特許請求の範囲の機能的・抽象的な表現 87
  • 第1章 7. 最後に 88
  • 第2章 産業用インクジェットを中心とした特許明細書の分析,解釈事例
  • 第2章 はじめに 95
  • 第2章 第1節 半導体製造装置の分類とインクジェット装置の特性および位置づけ 97
  • 第2章 第1節 1. 半導体製造装置/方法分類 97
  • 第2章 第1節 2. 真空装置を使用しないパターン形成装置/成膜装置 98
  • 第2章 第1節 3. 印刷方法分類 98
  • 第2章 第1節 4. 各印刷法の特性比較 99
  • 第2章 第1節 5. 印刷法別パターン形成法;インクと基板の接触状態 99
  • 第2章 第1節 6. 印刷方式とインク特性 100
  • 第2章 第1節 7. 液体微粒子の出来方;インクジェットとスプレーとの類似 100
  • 第2章 第2節 半導体製造装置としてインクジェットが備えるべき性能 101
  • 第2章 第2節 1. 概要 101
  • 第2章 第2節 2. 半導体製造装置としてのインクジェット関連特許 101
  • 第2章 第2節 3. インクジェットの液滴吐出メカニズム 102
  • 第2章 第2節 4. サテライト液滴の発生 102
  • 第2章 第2節 5. サテライトドット対策特許 特開2005-289012 103
  • 第2章 第2節 6. インクジェット吐出時現象 104
  • 第2章 第2節 7. インクジェットにはバンクが必要 104
  • 第2章 第2節 8. インクジェットとバンク;塗布厚さ均一化法 特開2001-291583 105
  • 第2章 第2節 9. インクジェットとバンク;にじみ防止マスク 特開2005-78911 106
  • 第2章 第2節 10. インクジェットとバンク;絶縁耐圧低下対策 特開2005-203215 107
  • 第2章 第2節 11. インクジェット液滴吐出時問題点 109
  • 第2章 第2節 12. インクジェットノズル;飛翔方向制御 特許3423708 110
  • 第2章 第2節 13. インクジェットノズル;飛翔方向制御 特開平01-222970 111
  • 第2章 第2節 14. インクジェットノズル;飛翔方向制御撥水処理 特許3169032 112
  • 第2章 第2節 15. インクジェットノズル;飛翔方向制御撥水処理 実開昭63-184730 112
  • 第2章 第2節 16. インクジェットノズル;飛翔方向制御撥水処理 特許3060526 113
  • 第2章 第2節 17. インクジェットノズル;飛翔方向制御撥水処理 特許3108771 113
  • 第2章 第2節 18. インクジェットノズル;飛翔方向制御撥水処理 特開昭57-107848 114
  • 第2章 第2節 19. インクジェットノズル;飛翔方向制御撥水処理 特開2006-103220 114
  • 第2章 第2節 20. 耐刷性,低摩擦性を有するノズル撥水膜の形成方法 特開2006-182038 116
  • 第2章 第2節 21. インクジェットノズル;撥水膜の帯電防止方法 特公平06-043133 117
  • 第2章 第2節 22. ノズル撥水膜の帯電防止方法関連特許 特許3099646 118
  • 第2章 第3節 インクジェットの歴史/古いインクジェット特許一覧 119
  • 第2章 第3節 1. ピエゾ方式インクジェット;シロニックス 特公昭53-012138 119
  • 第2章 第3節 2. ピエゾ方式インクジェット;ステムメ 特開昭48-009622 120
  • 第2章 第3節 3. ピエゾ方式インクジェット;サーモシステムズ 特公昭52-47572 121
  • 第2章 第3節 4. ピエゾ方式インクジェット;横河電機 特許1207734 121
  • 第2章 第3節 5. ピエゾ方式インクジェット;エー・ビー・ディック 特公昭42-004381 122
  • 第2章 第3節 6. ピエゾ方式インクジェット/スプレー;川崎重工 特公昭49-24928 122
  • 第2章 第3節 7. サーマルインクジェット基本特許;リコー 特公昭56-9429 123
  • 第2章 第3節 8. サーマルインクジェット基本特許;キヤノン 特公昭61-059911 124
  • 第2章 第3節 9. 静電インクジェット基本特許;テレタイプ 特公昭36-013768 125
  • 第2章 第3節 10. 静電インクジェット基本特許;スゥイート 特公昭42-008350 125
  • 第2章 第3節 11. 静電インクジェット基本特許;スゥイート 特公昭44-004517 126
  • 第2章 第3節 12. 静電インクジェット構造;G.Sweet US 3373437 127
  • 第2章 第3節 13. 静電インクジェット構造;Mead US 4324117 127
  • 第2章 第4節 静電インクジェットを半導体製造装置として使用する場合 128
  • 第2章 第4節 1. 産業用インクジェットの基本構造 128
  • 第2章 第4節 2. 静電インクジェットの基本構造;インクの飛翔原理 特開2000-127410 129
  • 第2章 第4節 2. 2.1 帯電顔料粒子の電場による移動 129
  • 第2章 第4節 2. 2.2 顔料凝集体の体積;(球の体積の式より) 129
  • 第2章 第4節 2. 2.3 顔料凝集体から,距離Sの顔料粒子に生じる電場 130
  • 第2章 第4節 2. 2.4 顔料粒子の帯電量 130
  • 第2章 第4節 2. 2.5 インク液面付近に形成される顔料凝集体の半径;Rcon 131
  • 第2章 第4節 2. 2.6 インク溶媒からの拘束力;Fesc 131
  • 第2章 第4節 2. 2.7 インク表面張力による凝集体の飛び出し半径;Resc 131
  • 第2章 第4節 2. 2.8 顔料凝集体を飛翔させる第一閾値電場;Ec 132
  • 第2章 第4節 2. 2.9 電場をさらに強め脱出半径Rescが小さくなる場合 133
  • 第2章 第4節 2. 2.10 電場が第一閾値電場Ecの約1.5倍を超える場合 134
  • 第2章 第4節 2. 2.11 インク飛翔原理まとめ 136
  • 第2章 第4節 2. 2.12 凝集半径と脱出半径の比較による飛翔開始電圧の比較;確認計算 137
  • 第2章 第4節 2. 2.13 飛翔開始電圧;表面張力20/72mN/m粒子電荷10/40μc/g 137
  • 第2章 第4節 2. 2.14 飛翔開始電圧;表面張力72mN/m粒子電荷10/40μc/g 138
  • 第2章 第4節 2. 2.15 飛翔開始電圧;表面張力20mN/m粒子電荷10/40μc/g 139
  • 第2章 第4節 2. 2.16 印画結果 139
  • 第2章 第5節 静電インクジェットの高解像度化,低電圧化 特開2005-111811 140
  • 第2章 第5節 1. 発明の構造 140
  • 第2章 第5節 2. 流量と飛翔開始電圧 141
  • 第2章 第5節 2. 2.1 ノズル径,表面張力,粘度を変化させた時の電界と流量;確認計算 141
  • 第2章 第5節 2. 2.2 電界と流量の関係;表面張力72mN/m,粘度1mPa・s 142
  • 第2章 第5節 2. 2.3 電界と流量の関係;表面張力20/72mN/m,粘度1mPa・s 143
  • 第2章 第5節 2. 2.4 電界と流量の関係;粘度1/2mPa・s,表面張力72mN/m 144
  • 第2章 第5節 2. 2.5 電界と流量の関係;粘度1/2mPa・s,表面張力20mN/m 145
  • 第2章 第5節 3. 流量と飛翔開始電圧;式の誘導 145
  • 第2章 第5節 3. 3.1 ノズル先端部(ノズル孔)に誘起される電荷 145
  • 第2章 第5節 3. 3.2 集中電界強度 146
  • 第2章 第5節 3. 3.3 静電的な圧力 146
  • 第2章 第5節 3. 3.4 表面張力による圧力 146
  • 第2章 第5節 3. 3.5 吐出圧力△P 146
  • 第2章 第5節 3. 3.6 ハーゲン・ポアズイユの式 147
  • 第2章 第5節 4. 従来方式インクジェットの液滴小径化問題点 147
  • 第2章 第5節 4. 4.1 ピエゾ,サーマル,従来静電吸引方式比較 147
  • 第2章 第5節 4. 4.2 インク液滴が着弾するまでの運動方程式と抗力係数 148
  • 第2章 第5節 4. 4.3 特開平9-193400,特開平8-238774問題 149
  • 第2章 第5節 4. 4.4 特開平8-238774号公報動作説明 150
  • 第2章 第5節 4. 4.5 特開平9-193400号公報動作説明 151
  • 第2章 第5節 4. 4.6 特開2000-127410号公報動作説明 151
  • 第2章 第5節 4. 4.7 静電方式インクジェットの等価回路からみた問題点 152
  • 第2章 第5節 5. ノズル径と電極間距離と電界変動率 WO2004/030417 154
  • 第2章 第5節 5. 5.1 ノズル径と電界強度との関係 154
  • 第2章 第5節 5. 5.2 ノズル径と微粒子径に対する吐出安定性 157
  • 第2章 第5節 5. 5.3 液滴体積に対する吐出安定性 158
  • 第2章 第5節 5. 5.4 インク粘度に対する吐出安定性 158
  • 第2章 第5節 5. 5.5 インク濃度に対する吐出安定性と乾燥速度,塗布回数 158
  • 第2章 第5節 5. 5.6 インクジェットインクによる塗布法 159
  • 第2章 第5節 5. 5.7 ノズル径とメニスカスの最大電界強度と強電界領域の関係 160
  • 第2章 第5節 5. 5.8 吐出開始電圧とレイリー限界電圧値の比との関係 160
  • 第2章 第5節 5. 5.9 平均飛翔速度に対する吐出安定性と位置精度 161
  • 第2章 第5節 5. 5.10 周囲湿度とインクの乾燥時間(蒸発) 161
  • 第2章 第5節 5. 5.11 初期吐出液滴径を変動した場合の吐出安定性と吐出ドット径バラツキ 162
  • 第2章 第5節 6. 吐出電界強度とPaschen Curve放電開始電界強度 特開2005-058811 163
  • 第2章 第5節 7. 高アスペクト比印刷 特開2005-059199 164
  • 第2章 第5節 8. 超微細流体ジェット装置 特開2004-165587 167
  • 第2章 第5節 8. 8.1 荷電液滴による蒸発緩和 167
  • 第2章 第5節 8. 8.2 Electrowettingによる表面張力の低下 168
  • 第2章 第5節 8. 8.3 ノズル径とドット径 168
  • 第2章 第5節 8. 8.4 吐出開始電圧のノズル-基板間距離依存性 169
  • 第2章 第5節 9. インクジェットによる高アスペクト比印刷 特開2005-109467 170
  • 第2章 第5節 10. インクジェットによるマルチノズル製作特許特開2006-205679 171
  • 第2章 第5節 11. 立体の微細構造物(基板温度と電圧の関係) 特開2005-059198 172
  • 第2章 第5節 12. 先進画誘導方式 特開2005-125597 174
  • 第2章 第5節 13. 液滴小径化および低電圧化 静電吸引型液体吐出ヘッド関連特許一覧 175
  • 第2章 第5節 14. 静電インクジェットと静電スプレー特許一覧 177
  • 第2章 第5節 15. 撥水ノズル静電吐出装置;エレクトロスプレー 特開2006-134877 177
  • 第2章 第5節 16. 針状電極静電インクジェット;加圧併用 特開2006-255952 178
  • 第2章 第5節 17. 静電誘引式液滴ノズルおよびその製造方法 特許3680855 180
  • 第2章 第5節 18. 静電スプレー 特許2556471 182
  • 第2章 第5節 19. 静電スプレー(ESD)再表2004/074172(査定無し) 183
  • 第2章 第5節 20. 静電スプレー(ESD)特開2001-281252(査定無し) 184
  • 第2章 第5節 21. 静電インクジェットマルチノズル;加圧併用 特開2005-305962(査定無し) 185
  • 第2章 第5節 22. 静電インクジェット;マルチノズル 特許3288278 186
  • 第2章 第5節 23. 静電インクジェット;マルチノズル 特開平07-223317 187
  • 第2章 第5節 24. 静電インクジェット;マルチノズル 特開昭55-154169 188
  • 第2章 第5節 25. 液体トナージェットマルチノズル特許 特開2000-079719 189
  • 第2章 第5節 26. サーマルインクジェットマルチノズル特許 特開2003-3267 191
  • 第2章 第5節 27. ガス流伴走インクジェット 特許1721747 192
  • 第2章 第5節 28. ガス流伴走インクジェット 特開2004-000906他 193
  • 第2章 第5節 29. ガス流伴走インクジェット 特開2003-164791 195
  • 第2章 第5節 30. ガス流伴走インクジェット 特開2005-220490(査定無し) 196
  • 第2章 第5節 31. ガス流伴走インクジェット 特開2002-346453 197
  • 第2章 第5節 32. 表面弾性波制御インクジェット 特許3596847 198
  • 第2章 第5節 32. 32.1 表面弾性波インクジェットヘッドの動作 198
  • 第2章 第5節 32. 32.2 グレーティングの接触非接触変位機構の原理 199
  • 第2章 第5節 32. 32.3 グレーティングによる表面弾性波オンオフ制御の原理 200
  • 第2章 第5節 32. 32.4 表面弾性波制御素子の構成 201
  • 第2章 第5節 33. 表面弾性波制御インクジェット 特開平4-294146 202
  • 第2章 第5節 34. 表面弾性波制御インクジェット 特開昭54-010731 204
  • 第2章 第5節 35. 表面弾性波制御インクジェット/スプレー 特開2003-136005 205
  • 第2章 第5節 35. 35.1 表面弾性波制御インクジェット/スプレー基本構造 205
  • 第2章 第5節 35. 35.2 装置構造 206
  • 第2章 第5節 35. 35.3 弾性表面波素子構造 207
  • 第2章 第6節 インクジェット技術の次世代ディスプレーへの応用;FED 209
  • 第2章 第6節 1. 次世代ディスプレーの比較 209
  • 第2章 第6節 2. インクジェット技術のFEDへの応用 210
  • 第2章 第6節 2. 2.1 FED基本構造 210
  • 第2章 第6節 2. 2.2 FEDが備えるべき重要特性;電子放出源特性 211
  • 第2章 第6節 3. インクジェットFPD製造装置特許例 211
  • 第2章 第6節 4. マルチノズルインクジェット特許 特開2006-205004 213
  • 第2章 第6節 5. マルチノズルインクジェット;SED製造装置 特開2005-071803 215
  • 第2章 第6節 6. マルチノズルインクジェット;SED製造装置 特開2006-269254 218
  • 第2章 第6節 6. 6.1 吐出ヘッド説明 219
  • 第2章 第6節 6. 6.2 電子放出素子基板の製造方法 220
  • 第2章 第6節 7. インクジェットSED製造装置;塗布形状バラツキ改善 特開2006-043691 223
  • 第2章 第6節 7. 7.1 従来乾燥方法による塗布形状問題点 224
  • 第2章 第6節 7. 7.2 本発明の乾燥方法の特徴 224
  • 第2章 第6節 8. インクジェットによる電子放出素子製造法 特開平09-106757 226
  • 第2章 第6節 9. スピンコートによる電子放出素子製造法 特開2000-285797 228
  • 第2章 第6節 10. プラズマCVDによる電子放出素子製造法 特許3745348 230
  • 第2章 第6節 10. 10.1 電子放出素子製造順序 231
  • 第2章 第6節 10. 10.2 SED構成 232
  • 第2章 第6節 11. 触媒インクスピンコートによるカーボンファイバー製造法 特許3619240 233
  • 第2章 第6節 12. インクジェットによるCNT電子放出素子製造法 特開平2005-150107 235
  • 第2章 第6節 13. ディスプレーCNT電子放出素子製造法;CNT起毛 特開2006-059752 237
  • 第2章 第6節 13. 13.1 マルチウォールCNTとシングルウォールCNTについて 237
  • 第2章 第6節 13. 13.2 インクジェット法による電子源層EMS(CNT)製造法 237
  • 第2章 第6節 13. 13.3 スクリーン印刷法による電子源層EMS(CNT)製造法 238
  • 第2章 第6節 13. 13.4 発明のカーボンナノチューブ電子源層のエミッション特性 239
  • 第2章 第6節 13. 13.5 従来カーボンナノチューブ電子源ディスプレーの問題点 239
  • 第2章 第6節 14. ディスプレーCNT電子放出素子製造法 特開2006-260946 240
  • 第2章 第6節 14. 14.1 発明の起毛法 240
  • 第2章 第6節 14. 14.2 従来の製造法と問題点 241
  • 第2章 第6節 14. 14.3 電子源の電子放出特性 242
  • 第2章 第6節 14. 14.4 フェニルカルバミン酸エステル構造およびベンゾマレイミド構造の化学式 242
  • 第2章 第6節 15. ディスプレーCNT電子放出素子製造法 特開2006-012700 243
  • 第2章 第6節 15. 15.1 粘着テープによるCNT起毛法 243
  • 第2章 第6節 16. ディスプレーCNT電子放出素子製造法 特開2006-318918 244
  • 第2章 第6節 17. ディスプレーCNT電子放出素子製造法 特開2006-224296 245
  • 第2章 第6節 17. 17.1 CNT構造体の製造方法 246
  • 第2章 第6節 17. 17.2 CNT密度と電子放出特性に与える影響 248
  • 第2章 第6節 17. 17.3 CNTの密度が過度に高い場合;CNTが電界を遮蔽,駆動電圧上昇 249
  • 第2章 第6節 18. ディスプレーCNT電子放出素子製造法 特開2005-166682 249
  • 第2章 第6節 18. 18.1 CNT間隔制御;CoOのサイズ,離散性によって決定 250
  • 第2章 第6節 18. 18.2 FED断面図 250
  • 第2章 第6節 19. ディスプレーCNT電子放出素子製造法 特開2006-196364 252
  • 第2章 第6節 20. 転写法によるディスプレーCNT電子放出素子製造法 特開2006-073388 253
  • 第2章 第6節 20. 20.1 従来CNT製造法および問題点要約 253
  • 第2章 第6節 20. 20.2 電極に直接CNTを成長させる方法;(触媒付着CVD成長法) 254
  • 第2章 第6節 20. 20.3 別途調製したCNTを電極に付着させる方法;(スクリーン印刷,噴霧,転写法等) 254
  • 第2章 第6節 20. 20.4 配向性CNT集合体の製造法 255
  • 第2章 第6節 20. 20.5 優れた電界放出能カーボンナノチューブ(CNT)条件 255
  • 第2章 第6節 20. 20.6 配向性CNTのパターン化された柱形状集合体の製造法 255
  • 第2章 第6節 20. 20.7 第一の基体上にある配向性CNT膜の製造法 256
  • 第2章 第6節 20. 20.8 CNT生成触媒 256
  • 第2章 第6節 20. 20.9 柱形状集合体が転写された電界放出型冷陰極 256
  • 第2章 第6節 21. 各社ディスプレーCNT電子放出素子の電界-電流密度比較 257
  • 第2章 第6節 22. FED製造特許調査まとめ 258
  • 第2章 第6節 22. 22.1 メーカー別FED製造特許 259
  • 第2章 第6節 22. 22.2 製造方法別FED特許 259
  • 第2章 第6節 22. 22.3 メーカー別インクジェットによるFED製造特許 260
  • 第2章 第6節 23. キヤノンライセンス契約会社Nano-Proprietary, Inc.特許の例その1 260
  • 第2章 第6節 24. キヤノンライセンス契約会社Nano-Proprietary, Inc.特許の例その2 261
  • 第2章 第6節 24. 24.1 インクジェットによるカーボンナノチューブ製造方法 262
  • 第2章 第6節 24. 24.2 CNT電子放出特性 263
  • 第2章 第7節 インクジェット技術の次世代ディスプレーへの応用;有機E 264
  • 第2章 第7節 1. 有機EL特許概要;特開2006-128325他各社 264
  • 第2章 第7節 1. 1.1 有機EL構造 264
  • 第2章 第7節 1. 1.2 有機EL材料基本構成の説明 264
  • 第2章 第7節 2. 有機EL長寿命化 特開2006-128325 267
  • 第2章 第7節 2. 2.1 無機EL,低分子有機EL,高分子有機EL課題 267
  • 第2章 第7節 2. 2.2 低分子有機EL課題 268
  • 第2章 第7節 2. 2.3 高分子有機EL課題 268
  • 第2章 第7節 2. 2.4 高分子有機EL寿命対策 269
  • 第2章 第7節 3. 有機EL長寿命化 特開2006-66890 270
  • 第2章 第7節 3. 3.1 低駆動電圧,長寿命の有機EL構造 270
  • 第2章 第7節 3. 3.2 発明の有機表示装置構造;多結晶シリコンTFT 271
  • 第2章 第7節 4. 有機発光トランジスタ 特開2003-282256 272
  • 第2章 第7節 4. 4.1 発光トランジスタ原理 272
  • 第2章 第7節 4. 4.2 発光トランジスタ構造 273
  • 第2章 第7節 5. 有機発光トランジスタ;もれ電流の抑制 特開2005-243871 274
  • 第2章 第7節 6. 有機発光トランジスタ;もれ電流の抑制 特開2006-176491特開2006-176494 275
  • 第2章 第7節 7. リン光有機EL素子インク 特開2006-66562 276
  • 第2章 第7節 7. 7.1 励起三重項状態を利用し高発光強度を得る 277
  • 第2章 第7節 7. 7.2 エネルギー準位図 277
  • 第2章 第7節 8. 透明薄膜電界効果型トランジスタa-IGZO 特開2004-103957 279
  • 第2章 第7節 8. 8.1 単結晶InGaO3(ZnO)5薄膜の作製 280
  • 第2章 第7節 8. 8.2 MISFET素子の作製 280
  • 第2章 第7節 9. 透明薄膜電界効果型トランジスタ 特開2005-277339 280
  • 第2章 第7節 10. 塗布成膜可能な低分子型有機半導体材料;ポルフィリン・フタロシアニンの革新的な合成法 281
  • 第2章 第7節 11. 塗布成膜可能な低分子型有機トランジスタインクその1 特開2005-93990 283
  • 第2章 第7節 12. 塗布成膜可能な低分子型有機トランジスタインクその2 特開2006-165533 284
  • 第2章 第7節 12. 12.1 ビシクロポルフィリン銅錯体の合成 285
  • 第2章 第7節 12. 12.2 有機トランジスタの条件と製造方法 286
  • 第2章 第7節 12. 12.3 有機トランジスタの課題 287
  • 第2章 第7節 12. 12.4 有機トランジスタの高性能化製造条件 288
  • 第2章 第7節 12. 12.5 有機半導体部高性能化条件 289
  • 第2章 第7節 13. 塗布成膜可能な低分子型有機トランジスタインクその3 特開2005-294809 291
  • 第2章 第7節 14. 塗布成膜可能な低分子型有機トランジスタインクその4 特開2006-147785 292
  • 第2章 第7節 15. 凸版除去印刷法による有機EL製造法 特開2006-19156 294
  • 第2章 第7節 16. 凸版反転オフセット印刷法による濡れ性最適化特許 特開2006-124546 295
  • 第2章 第7節 17. インクジェットによるコンデンサ製造 特開2005-109176 297
  • 第2章 第8節 インクジェット,スプレーによる燃料電池,色素増感電池製造法特許 299
  • 第2章 第8節 1. 従来スプレー法分散不良について;燃料電池用触媒インク(特開2005-116308) 299
  • 第2章 第8節 2. スプレーとインクジェット燃料電池製造法比較 特開2004-179156 300
  • 第2章 第8節 3. インクジェット,スプレー使い分けによる燃料電池製造法特許 特開2005-190780 301
  • 第2章 第8節 4. スプレーとスクリーン印刷による燃料電池製造法特許 特開2001-068119 302
  • 第2章 第8節 5. 色素増感太陽電池;スプレー塗布法 再表2004/033756 303
  • 第2章 第9節 スプレーの半導体製造装置への応用 304
  • 第2章 第9節 1. インクジェットとスプレー特徴比較 304
  • 第2章 第9節 2. スプレー法原理 305
  • 第2章 第9節 3. エア加速・粒子衝突方式スプレー 特開2006-068660 305
  • 第2章 第9節 4. エア加速・粒子衝突方式スプレー 特許3554302 307
  • 第2章 第9節 5. 気体液体比に対する衝突微粒子化状況 308
  • 第2章 第9節 6. 水平旋回気流型ジェットミル特許3562643データによる衝突粉砕の比較 309
  • 第2章 第9節 7. エア加速・粒子衝突方式スプレー 特開平06-238211特許3498988 310
  • 第2章 第9節 8. エア加速・粒子衝突方式スプレー 特許2797080 310
  • 第2章 第9節 9. 噴霧ノズル特許問題点 特開2006-068660より引用 312
  • 第2章 第9節 10. スプレーノズル古い特許の例 313
  • 第2章 第9節 11. 高粘性液体スプレー微少量塗布装置その1 特開2003-62491 314
  • 第2章 第9節 12. 高粘性液体スプレー微少量塗布装置その2 特開平10-296582 315
  • 第2章 第9節 13. 高粘性液体スプレー微少量塗布装置その3 実公平06-050114 315
  • 第2章 第10節 スプレー+マスクによる半導体製造装置 316
  • 第2章 第10節 1. スプレー+マスクによる有機EL製造装置 特開2001-297876(査定無し) 316
  • 第2章 第10節 2. スプレー+ロータリースクリーン印刷機特許その1 特表2002-502740 317
  • 第2章 第10節 3. スプレー+ロータリースクリーン印刷機特許その2 319
  • 第2章 第10節 4. 揚水管式霧化装置 特開平9-285555 特許3671202(平17.4.28) 319
  • 第2章 第11節 インクジェット品質をスプレーにより実現 320
  • 第2章 第11節 1. スプレー+マスクによるパターン形成法検討 320
  • 第2章 第11節 2. 撥水めっきスクリーン特許 特開平10-326019 321
  • 第2章 第11節 3. 濡れ性変化層をマスクとして使用する製造法 特開2006-10875 322
  • 第2章 第11節 4. スプレーによるカラーフィルタの製造法提案 323
  • 第2章 第11節 5. 他のスプレー応用装置 324
  • 第2章 第11節 5. 5.1 スプレーめっき 324
  • 第2章 第11節 5. 5.2 静電塗装装置による微粒子化 324
  • 第2章 第11節 5. 5.3 レーザー溶射,レーザーガスデポジション装置による微粒子化 325
  • 第2章 第11節 5. 5.4 プラズマ溶射による微粒子化 325
  • 第2章 第11節 5. 5.5 レーザーによるアーク放電誘発溶接特許例 326
  • 第2章 第11節 5. 5.6 レーザーアブレーション法特許例 327
  • 第2章 第12節 スプレーの半導体債製造装置への応用 328
  • 第2章 第12節 1. スプレー熱分解法の例 特許3700085(平17.7.22) 328
  • 第2章 第12節 2. スプレーによる成膜装置特許 特表2001-523889 329
  • 第2章 第12節 3. ライン型常圧プラズマCVDの例 特開2002-155371(査定無し) 330
  • 第2章 第12節 4. ライン型常圧プラズマCVDの例 特開2004-149919 331
  • 第2章 第12節 5. スプレー高解像度パターン形成装置への改造法まとめ 332
  • 第2章 第12節 6. レーザー直接描画 特開2006-332568 333
  • 第2章 第12節 7. 流動性改善ペースト 特開2006-216389 334
  • 第2章 第12節 8. FED用スプレー塗布シリコーンラダーポリマー 特開2006-306964 335
  • 第2章 第12節 9. インクジェット・各印刷装置性能/課題比較 336
  • 第2章 第13節 特許出願の流れと係争発生原因 337
  • 第2章 第13節 1. 特許出願の流れ 337
  • 第2章 第13節 2. ルービックキューブ特許係争 337
  • 第2章 第13節 3. 特許係争発生原因 338
  • 第2章 第13節 4. 特許は伝言ゲームと類似 339
  • 第2章 第13節 5. 特許契約の種類と方法(トラブル回避のために) 340
  • 第2章 第13節 6. ライセンス料率の計算方法について 341
  • 第2章 第14節 発明・発想から特許出願まで 342
  • 第2章 第14節 1. 発明・発想から特許出願までの流れ 342
  • 第2章 第14節 2. 特許調査の目的とメリット 342
  • 第2章 第14節 3. 小さなひらめき,簡単な思いつきの絵を多用して大きな発明にする 343
  • 第2章 第14節 4. 発想の挫折,発明が失敗する原因 344
  • 第2章 第14節 5. ひらめき,思いつきの絵を特許にする例 345
  • 第2章 第14節 6. 先行技術に新しい技術を追加して発明とする例;自転車特許例その1 348
  • 第2章 第14節 7. 先行技術に新しい技術を追加して発明とする例;自転車特許例その2 349
  • 第2章 第15節 発明の発想から量産まで 353
  • 第2章 第15節 1. 開発と量産技術は一体で考える 353
  • 第2章 第15節 2. 実験結果と理論解析 353
  • 第2章 第15節 3. 開発から製品化までの方法を変化させる 354
  • 第2章 第15節 4. 開発/設計の最適化 355

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