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Format 図書

半導体デバイス : 基礎理論とプロセス技術

S.M.ジィー 著,南日康夫, 川辺光央, 長谷川文夫 訳

details

Title 半導体デバイス : 基礎理論とプロセス技術
Author S.M.ジィー 著
Author 南日康夫, 川辺光央, 長谷川文夫 訳
Personal Name (Author) Sze, S. M, 1936-
Personal Name (Author) 南日, 康夫, 1933-
Personal Name (Author) 川辺, 光央, 1938-
Personal Name (Author) 長谷川, 文夫, 1940-
Place of Publication (Country Code) JP
Place of Publication東京
Publisher産業図書
Date 2004.3
Size & Duration 499p ; 27cm
Description 原タイトル: Semiconductor devices. (2nd ed.)
Description 文献あり
ISBN 4782855508
Price 6600円
National Bibliography No.(JPNO) 20575646
Parallel Title Semiconductor devices. (2nd ed.)
Edition 第2版
Year of Publication(W3CDTF) 2004
Subject Heading(Keyword) 半導体
NDLC ND371
NDC(9th revised) 549.8 : Electronic engineering
Original Lunguage (ISO639_2) eng : English
Target Audience 一般
Material Type 図書
Language(ISO639-2 Form) jpn : 日本語

Table of Contents
 

  • 半導体デバイス:基礎理論とプロセス技術
  • 目次
  • まえがき
  • 第1章 序 1
  • 第1章 1.1 半導体デバイス 1
  • 第1章 1.1 1.1.1 デバイス構成要素 2
  • 第1章 1.1 1.1.2 主要半導体デバイス 3
  • 第1章 1.2 半導体技術 6
  • 第1章 1.2 1.2.1 半導体キーテクノジー 6
  • 第1章 1.2 1.2.2 技術動向 10
  • 第1章 まとめ 11
  • 第1章 参考文献 13
  • 第I部 半導体物理
  • 第I部 第2章 エネルギーバンドと熱平衡状態におけるキャリア密度 17
  • 第I部 第2章 2.1 半導体材料 17
  • 第I部 第2章 2.1 2.1.1 元素半導体 18
  • 第I部 第2章 2.1 2.1.2 化合物半導体 19
  • 第I部 第2章 2.2 基本的結晶構造 20
  • 第I部 第2章 2.2 2.2.1 単位胞 20
  • 第I部 第2章 2.2 2.2.2 ダイアモンド構造 21
  • 第I部 第2章 2.2 2.2.3 結晶面とミラー指数 22
  • 第I部 第2章 2.3 主な結晶成長技術 23
  • 第I部 第2章 2.4 価電子結晶 25
  • 第I部 第2章 2.5 エネルギーバンド 26
  • 第I部 第2章 2.5 2.5.1 孤立原子のエネルギー準位 26
  • 第I部 第2章 2.5 2.5.2 エネルギーと運動量の関係 28
  • 第I部 第2章 2.5 2.5.3 金属, 半導体, 絶縁体における電気伝導 30
  • 第I部 第2章 2.6 真性キャリア密度 31
  • 第I部 第2章 2.7 ドナーとアクセプタ 34
  • 第I部 第2章 2.7 2.7.1 非縮退半導体 35
  • 第I部 第2章 2.7 2.7.2 縮退半導体 39
  • 第I部 第2章 まとめ 40
  • 第I部 第2章 参考文献 40
  • 第I部 第2章 問題 40
  • 第I部 第3章 キャリアの輸送現象 43
  • 第I部 第3章 3.1 キャリアのドリフト 43
  • 第I部 第3章 3.1 3.1.1 移動度 43
  • 第I部 第3章 3.1 3.1.2 比抵抗 47
  • 第I部 第3章 3.1 3.1.3 ホール効果 49
  • 第I部 第3章 3.2 キャリアの拡散 51
  • 第I部 第3章 3.2 3.2.1 拡散過程 51
  • 第I部 第3章 3.2 3.2.2 アインシュタインの関係式 52
  • 第I部 第3章 3.2 3.2.3 電流密度の式 53
  • 第I部 第3章 3.3 キャリアの生成と再結合過程 53
  • 第I部 第3章 3.3 3.3.1 直接再結合 54
  • 第I部 第3章 3.3 3.3.2 間接再結合 56
  • 第I部 第3章 3.3 3.3.3 表面再結合 57
  • 第I部 第3章 3.3 3.3.4 オージェ再結合 58
  • 第I部 第3章 3.4 連続の式 59
  • 第I部 第3章 3.4 3.4.1 片側からの定常的キャリア注入 60
  • 第I部 第3章 3.4 3.4.2 表面少数キャリア 61
  • 第I部 第3章 3.4 3.4.3 ヘインズ-ショックレイの実験 62
  • 第I部 第3章 3.5 熱電子放射 63
  • 第I部 第3章 3.6 トンネル過程 64
  • 第I部 第3章 3.7 高電界効果 66
  • 第I部 第3章 まとめ 71
  • 第I部 第3章 参考文献 71
  • 第I部 第3章 問題 72
  • 第II部 半導体デバイス
  • 第II部 第4章 p-n接合 77
  • 第II部 第4章 4.1 基本的形成過程 78
  • 第II部 第4章 4.1 4.1.1 酸化 78
  • 第II部 第4章 4.1 4.1.2 リソグラフィ 79
  • 第II部 第4章 4.1 4.1.3 拡散とイオン注入 80
  • 第II部 第4章 4.1 4.1.4 金属配線 80
  • 第II部 第4章 4.2 熱平衡状態 80
  • 第II部 第4章 4.2 4.2.1 バンド図 81
  • 第II部 第4章 4.2 4.2.2 熱平衡フェルミ準位 81
  • 第II部 第4章 4.2 4.2.3 空間電荷 83
  • 第II部 第4章 4.3 空乏領域 84
  • 第II部 第4章 4.3 4.3.1 階段接合 84
  • 第II部 第4章 4.3 4.3.2 傾斜接合 88
  • 第II部 第4章 4.4 空乏層容量 90
  • 第II部 第4章 4.4 4.4.1 容量−電圧特性 91
  • 第II部 第4章 4.4 4.4.2 不純物分布の求め方 92
  • 第II部 第4章 4.4 4.4.3 バラクター 93
  • 第II部 第4章 4.5 電流−電圧特性 94
  • 第II部 第4章 4.5 4.5.1 理想特性 94
  • 第II部 第4章 4.5 4.5.2 生成・再結合および高注入効果 98
  • 第II部 第4章 4.5 4.5.3 温度効果 101
  • 第II部 第4章 4.6 電荷の蓄積と過渡特性 102
  • 第II部 第4章 4.6 4.6.1 少数キャリアの蓄積 103
  • 第II部 第4章 4.6 4.6.2 拡散容量 103
  • 第II部 第4章 4.6 4.6.3 過渡応答 104
  • 第II部 第4章 4.7 接合の降伏 105
  • 第II部 第4章 4.7 4.7.1 トンネル効果 105
  • 第II部 第4章 4.7 4.7.2 なだれ増倍 106
  • 第II部 第4章 4.8 ヘテロ接合 111
  • 第II部 第4章 まとめ 113
  • 第II部 第4章 参考文献 114
  • 第II部 第4章 問題 114
  • 第II部 第5章 バイポーラ・トランジスタとその関連デバイス 117
  • 第II部 第5章 5.1 トランジスタ動作 118
  • 第II部 第5章 5.1 5.1.1 活性モードにおける動作 119
  • 第II部 第5章 5.1 5.1.2 電流利得 120
  • 第II部 第5章 5.2 バイポーラ・トランジスタの静特性 123
  • 第II部 第5章 5.2 5.2.1 各領域におけるキャリア分布 123
  • 第II部 第5章 5.2 5.2.2 活性モード動作時の理想トランジスタ電流 125
  • 第II部 第5章 5.2 5.2.3 動作モード 126
  • 第II部 第5章 5.2 5.2.4 ベース接地およびエミッタ接地における電流−電圧特性 128
  • 第II部 第5章 5.3 バイポーラ・トランジスタの周波数応答とスイッチング特性 131
  • 第II部 第5章 5.3 5.3.1 周波数応答 131
  • 第II部 第5章 5.3 5.3.2 スイッチング過渡特性 133
  • 第II部 第5章 5.4 ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ 135
  • 第II部 第5章 5.4 5.4.1 HBTの電流利得 135
  • 第II部 第5章 5.4 5.4.2 HBTの基本的構造 136
  • 第II部 第5章 5.4 5.4.3 高度なHBT 137
  • 第II部 第5章 5.5 サイリスタおよび関連の電力用デバイス 139
  • 第II部 第5章 5.5 5.5.1 基礎特性 140
  • 第II部 第5章 5.5 5.5.2 双方向サイリスタ 145
  • 第II部 第5章 5.5 5.5.3 他の形のサイリスタとその応用 146
  • 第II部 第5章 まとめ 148
  • 第II部 第5章 参考文献 149
  • 第II部 第5章 問題 149
  • 第II部 第6章 MOSFETと関連デバイス 153
  • 第II部 第6章 6.1 MOSダイオード 153
  • 第II部 第6章 6.1 6.1.1 理想的なMOSダイオード 154
  • 第II部 第6章 6.1 6.1.2 SiO2-Si MOSダイオード 161
  • 第II部 第6章 6.1 6.1.3 電荷結合デバイス (CCD) 166
  • 第II部 第6章 6.2 MOSFETの基本特性 167
  • 第II部 第6章 6.2 6.2.1 基本的特性 168
  • 第II部 第6章 6.2 6.2.2 MOSFETのいろいろ 174
  • 第II部 第6章 6.2 6.2.3 しきい値電圧の制御 175
  • 第II部 第6章 6.3 MOSFET縮小則 179
  • 第II部 第6章 6.3 6.3.1 短チャンネル効果 179
  • 第II部 第6章 6.3 6.3.2 縮小則 182
  • 第II部 第6章 6.4 CMOSとBiCMOS
  • 第II部 第6章 6.4 6.4.1 CMOSインバータ 184
  • 第II部 第6章 6.4 6.4.2 ラッチアップ 186
  • 第II部 第6章 6.4 6.4.3 BiCMOS 188
  • 第II部 第6章 6.5 絶縁物上のMOSFET 188
  • 第II部 第6章 6.5 6.5.1 薄膜トランジスタ (TFT) 188
  • 第II部 第6章 6.5 6.5.2 SOIデバイス 190
  • 第II部 第6章 6.6 MOSメモリ構造 192
  • 第II部 第6章 6.6 6.6.1 DRAM 192
  • 第II部 第6章 6.6 6.6.2 SRAM 193
  • 第II部 第6章 6.6 6.6.3 不揮発性メモリ 194
  • 第II部 第6章 6.7 パワーMOSFET 196
  • 第II部 第6章 まとめ 198
  • 第II部 第6章 参考文献 199
  • 第II部 第6章 問題 199
  • 第II部 第7章 MESFETと関連デバイス 203
  • 第II部 第7章 7.1 金属-半導体接触 204
  • 第II部 第7章 7.1 7.1.1 基本的特性 204
  • 第II部 第7章 7.1 7.1.2 ショットキー障壁 209
  • 第II部 第7章 7.1 7.1.3 オーミック接触 212
  • 第II部 第7章 7.2 MESFET 214
  • 第II部 第7章 7.2 7.2.1 デバイス構造 214
  • 第II部 第7章 7.2 7.2.2 動作原理 215
  • 第II部 第7章 7.2 7.2.3 電流-電圧特性 217
  • 第II部 第7章 7.2 7.2.4 高周波特性 220
  • 第II部 第7章 7.3 MODFET 222
  • 第II部 第7章 7.3 7.3.1 MODFETの基本 222
  • 第II部 第7章 7.3 7.3.2 電流-電圧特性 224
  • 第II部 第7章 7.3 7.3.3 しゃ断周波数 225
  • 第II部 第7章 まとめ 226
  • 第II部 第7章 参考文献 227
  • 第II部 第7章 問題 228
  • 第II部 第8章 マイクロ波ダイオード, 量子効果およびホットエレクトロンデバイス 230
  • 第II部 第8章 8.1 マイクロ波の基礎技術 231
  • 第II部 第8章 8.2 トンネルダイオード 234
  • 第II部 第8章 8.3 IMPATTダイオード 236
  • 第II部 第8章 8.3 8.3.1 静特性 236
  • 第II部 第8章 8.3 8.3.2 動特性 238
  • 第II部 第8章 8.4 バルク効果デバイス (TED) 240
  • 第II部 第8章 8.4 8.4.1 負性微分抵抗 240
  • 第II部 第8章 8.4 8.4.2 デバイスの動作 241
  • 第II部 第8章 8.5 量子効果デバイス 244
  • 第II部 第8章 8.5 8.5.1 共鳴トンネルダイオード 245
  • 第II部 第8章 8.5 8.5.2 ユニポーラ共鳴トンネルトランジスタ 248
  • 第II部 第8章 8.6 ホットエレクトロンデバイス 249
  • 第II部 第8章 8.6 8.6.1 ホットエレクトロンHBT 250
  • 第II部 第8章 8.6 8.6.2 実空間遷移 250
  • 第II部 第8章 まとめ 253
  • 第II部 第8章 参考文献 254
  • 第II部 第8章 問題 254
  • 第II部 第9章 フォトニックデバイス 257
  • 第II部 第9章 9.1 発光遷移と光吸収 257
  • 第II部 第9章 9.1 9.1.1 発光遷移 258
  • 第II部 第9章 9.1 9.1.2 光吸収 259
  • 第II部 第9章 9.2 発光ダイオード (LED) 262
  • 第II部 第9章 9.2 9.2.1 可視LED 262
  • 第II部 第9章 9.2 9.2.2 赤外LED 268
  • 第II部 第9章 9.3 半導体レーザ 270
  • 第II部 第9章 9.3 9.3.1 半導体材料 270
  • 第II部 第9章 9.3 9.3.2 レーザ動作 271
  • 第II部 第9章 9.3 9.3.3 半導体レーザの基本構造 274
  • 第II部 第9章 9.3 9.3.4 分布帰還型レーザ 278
  • 第II部 第9章 9.3 9.3.5 量子井戸レーザ 279
  • 第II部 第9章 9.4 光検出器 281
  • 第II部 第9章 9.4 9.4.1 光伝導体(光抵抗) 281
  • 第II部 第9章 9.4 9.4.2 フォトダイオード 282
  • 第II部 第9章 9.4 9.4.3 アバランシ・フォトダイオード (APD) 285
  • 第II部 第9章 9.5 太陽電池 287
  • 第II部 第9章 9.5 9.5.1 太陽光 287
  • 第II部 第9章 9.5 9.5.2 P-n接合太陽電池 287
  • 第II部 第9章 9.5 9.5.3 変換効率 290
  • 第II部 第9章 9.5 9.5.4 シリコンと化合物半導体太陽電池 292
  • 第II部 第9章 9.5 9.5.5 集光 293
  • 第II部 第9章 まとめ 294
  • 第II部 第9章 参考文献 295
  • 第II部 第9章 問題 296
  • 第III部 半導体技術
  • 第III部 第10章 結晶成長とエピタキシィ 301
  • 第III部 第10章 10.1 融液からの結晶成長 302
  • 第III部 第10章 10.1 10.1.1 原料 302
  • 第III部 第10章 10.1 10.1.2 CZ法 302
  • 第III部 第10章 10.1 10.1.3 添加不純物の分布 304
  • 第III部 第10章 10.1 10.1.4 有効偏析係数 305
  • 第III部 第10章 10.2 Siの浮遊ゾーン法(FZ法) 306
  • 第III部 第10章 10.3 GaAs結晶成長 310
  • 第III部 第10章 10.3 10.3.1 原料 310
  • 第III部 第10章 10.3 10.3.2 結晶成長技術 311
  • 第III部 第10章 10.4 材料評価 313
  • 第III部 第10章 10.4 10.4.1 成形加工 313
  • 第III部 第10章 10.4 10.4.2 結晶評価 314
  • 第III部 第10章 10.5 エピタキシャル結晶成長 318
  • 第III部 第10章 10.5 10.5.1 CVD 318
  • 第III部 第10章 10.5 10.5.2 分子線エピタキシィ 321
  • 第III部 第10章 10.6 エピタキシャル結晶の構造と欠陥 324
  • 第III部 第10章 10.6 10.6.1 格子整合と歪み 324
  • 第III部 第10章 10.6 10.6.2 エピ層の欠陥 326
  • 第III部 第10章 まとめ 327
  • 第III部 第10章 参考文献 328
  • 第III部 第10章 問題 328
  • 第III部 第11章 薄膜の形成 331
  • 第III部 第11章 11.1 熱酸化 332
  • 第III部 第11章 11.1 11.1.1 酸化の機構 332
  • 第III部 第11章 11.1 11.1.2 薄い酸化膜の成長 337
  • 第III部 第11章 11.2 誘導体膜の堆積 339
  • 第III部 第11章 11.2 11.2.1 SiO2(二酸化シリコン)膜 340
  • 第III部 第11章 11.2 11.2.2 Si3N4(窒化シリコン)膜 344
  • 第III部 第11章 11.2 11.2.3 低誘導率 (low-k) 材料 345
  • 第III部 第11章 11.2 11.2.4 高誘電率 (high-k) 材料 347
  • 第III部 第11章 11.3 ポリSiの堆積 348
  • 第III部 第11章 11.4 メタライゼーション 350
  • 第III部 第11章 11.4 11.4.1 物理気相堆積法 350
  • 第III部 第11章 11.4 11.4.2 CVD(化学気相堆積法) 351
  • 第III部 第11章 11.4 11.4.3 Al 電極形成 352
  • 第III部 第11章 11.4 11.4.4 銅のメタライゼーション 355
  • 第III部 第11章 11.4 11.4.5 化学機械研磨法 357
  • 第III部 第11章 11.4 11.4.6 シリサイド 358
  • 第III部 第11章 まとめ 359
  • 第III部 第11章 参考文献 360
  • 第III部 第11章 問題 360
  • 第III部 第12章 リソグラフィとエッチング 363
  • 第III部 第12章 12.1 光学的リソグラフィ 363
  • 第III部 第12章 12.1 12.1.1 クリーンルーム(無塵室) 364
  • 第III部 第12章 12.1 12.1.2 露光法 365
  • 第III部 第12章 12.1 12.1.3 マスク 368
  • 第III部 第12章 12.1 12.1.4 フォトレジスト 369
  • 第III部 第12章 12.1 12.1.5 パターン転写 371
  • 第III部 第12章 12.1 12.1.6 解像度増強手法 372
  • 第III部 第12章 12.2 次世代のリソグラフィ 374
  • 第III部 第12章 12.2 12.2.1 電子線リソグラフィ 374
  • 第III部 第12章 12.2 12.2.2 遠紫外リソグラフィ 377
  • 第III部 第12章 12.2 12.2.3 X線リソグラフィ 379
  • 第III部 第12章 12.2 12.2.4 イオンビームリソグラフィ 379
  • 第III部 第12章 12.2 12.2.5 種々のリソグラフィの比較 381
  • 第III部 第12章 12.3 湿式化学エッチング 381
  • 第III部 第12章 12.3 12.3.1 Siエッチング 382
  • 第III部 第12章 12.3 12.3.2 SiO2エッチング 383
  • 第III部 第12章 12.3 12.3.3 窒化SiとポリSiのエッチング 383
  • 第III部 第12章 12.3 12.3.4 Alのエッチング 383
  • 第III部 第12章 12.3 12.3.5 GaAsのエッチング 384
  • 第III部 第12章 12.4 乾式エッチング 385
  • 第III部 第12章 12.4 12.4.1 プラズマの基本 386
  • 第III部 第12章 12.4 12.4.2 エッチング機構・プラズマ診断・終止制御 386
  • 第III部 第12章 12.4 12.4.3 反応性プラズマエッチ技術および装置 388
  • 第III部 第12章 12.4 12.4.4 反応性プラズマエッチの応用 391
  • 第III部 第12章 12.5 マイクロエレクトロメカニカルシステム (MEMS) 395
  • 第III部 第12章 12.5 12.5.1 立体マイクロマシニング 395
  • 第III部 第12章 12.5 12.5.2 表面マイクロマシニング 395
  • 第III部 第12章 12.5 12.5.3 LIGAプロセス 397
  • 第III部 第12章 まとめ 397
  • 第III部 第12章 参考文献 399
  • 第III部 第12章 問題 400
  • 第III部 第13章 不純物ドーピング 402
  • 第III部 第13章 13.1 基本拡散過程 403
  • 第III部 第13章 13.1 13.1.1 拡散方程式 404
  • 第III部 第13章 13.1 13.1.2 拡散分布 406
  • 第III部 第13章 13.1 13.1.3 拡散層の評価 409
  • 第III部 第13章 13.2 外因性拡散 410
  • 第III部 第13章 13.2 13.2.1 拡散係数の濃度依存性 411
  • 第III部 第13章 13.2 13.2.2 拡散分布 412
  • 第III部 第13章 13.3 拡散関連過程 414
  • 第III部 第13章 13.3 13.3.1 横方向の拡散 414
  • 第III部 第13章 13.3 13.3.2 酸化膜形成中の不純物の再分布 415
  • 第III部 第13章 13.4 注入イオンの飛程 416
  • 第III部 第13章 13.4 13.4.1 イオンの分布 417
  • 第III部 第13章 13.4 13.4.2 イオンの減速過程 418
  • 第III部 第13章 13.4 13.4.3 チャンネリング効果 421
  • 第III部 第13章 13.5 注入による損傷とアニール 423
  • 第III部 第13章 13.5 13.5.1 注入による損傷 423
  • 第III部 第13章 13.5 13.5.2 アニール 425
  • 第III部 第13章 13.6 イオン注入に関連したプロセス 427
  • 第III部 第13章 13.6 13.6.1 多重注入とマスキング 427
  • 第III部 第13章 13.6 13.6.2 傾斜イオン注入 429
  • 第III部 第13章 13.6 13.6.3 高エネルギー, 高電流注入 430
  • 第III部 第13章 まとめ 431
  • 第III部 第13章 参考文献 432
  • 第III部 第13章 問題 433
  • 第III部 第14章 集積デバイス 435
  • 第III部 第14章 14.1 受動素子 437
  • 第III部 第14章 14.1 14.1.1 IC用抵抗 437
  • 第III部 第14章 14.1 14.1.2 集積回路キャパシタ 438
  • 第III部 第14章 14.1 14.1.3 ICインダクタ 439
  • 第III部 第14章 14.2 バイポーラ技術 440
  • 第III部 第14章 14.2 14.2.1 基本的な製造プロセス 441
  • 第III部 第14章 14.2 14.2.2 絶縁体分離 443
  • 第III部 第14章 14.2 14.2.3 自己整合二重ポリSiバイポーラ構造 445
  • 第III部 第14章 14.3 MOSFET技術 446
  • 第III部 第14章 14.3 14.3.1 製作の基本プロセス 447
  • 第III部 第14章 14.3 14.3.2 メモリーデバイス 450
  • 第III部 第14章 14.3 14.3.3 CMOS技術 453
  • 第III部 第14章 14.3 14.3.4 BiCMOS技術 458
  • 第III部 第14章 14.4 MESFET 技術 460
  • 第III部 第14章 14.5 マイクロエレクトロニクスへの挑戦 461
  • 第III部 第14章 14.5 14.5.1 集積への挑戦 463
  • 第III部 第14章 14.5 14.5.2 1チップシステム 465
  • 第III部 第14章 まとめ 466
  • 第III部 第14章 参考文献 466
  • 第III部 第14章 問題 467
  • 付録
  • A 記号表 471
  • B 国際単位系(SI単位系) 473
  • C 単位の接頭辞 473
  • D ギリシャ語アルファベット 474
  • E 物理定数 474
  • F 主要元素半導体および化合物半導体の300Kにおける特性 475
  • G 300KにおけるSiおよびGaAsの特性 476
  • H 半導体中の状態密度の導出 477
  • I 間接再結合における再結合速度の導出 478
  • J 対称共鳴トンネルダイオードにおける透過係数の計算 479
  • K 気体運動論の基礎 480
  • L 数値解を有する問題(奇数番号)の解答 481
  • 訳者あとがき 485
  • 索引 487
  • 欧文索引 497

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