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資料種別 図書

半導体デバイス : 基礎理論とプロセス技術

S.M.ジィー 著,南日康夫, 川辺光央, 長谷川文夫 訳

詳細情報

タイトル 半導体デバイス : 基礎理論とプロセス技術
著者 S.M.ジィー 著
著者 南日康夫, 川辺光央, 長谷川文夫 訳
著者標目 Sze, S. M, 1936-
著者標目 南日, 康夫, 1933-
著者標目 川辺, 光央, 1938-
著者標目 長谷川, 文夫, 1940-
出版地(国名コード) JP
出版地東京
出版社産業図書
出版年月日等 2004.3
大きさ、容量等 499p ; 27cm
注記 原タイトル: Semiconductor devices. (2nd ed.)
注記 文献あり
ISBN 4782855508
価格 6600円
JP番号 20575646
別タイトル Semiconductor devices. (2nd ed.)
第2版
出版年(W3CDTF) 2004
件名(キーワード) 半導体
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NDLC ND371
NDC(9版) 549.8 : 電子工学
原文の言語(ISO639-2形式) eng : English
対象利用者 一般
資料の種別 図書
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

目次
 

  • 半導体デバイス:基礎理論とプロセス技術
  • 目次
  • まえがき
  • 第1章 序 1
  • 第1章 1.1 半導体デバイス 1
  • 第1章 1.1 1.1.1 デバイス構成要素 2
  • 第1章 1.1 1.1.2 主要半導体デバイス 3
  • 第1章 1.2 半導体技術 6
  • 第1章 1.2 1.2.1 半導体キーテクノジー 6
  • 第1章 1.2 1.2.2 技術動向 10
  • 第1章 まとめ 11
  • 第1章 参考文献 13
  • 第I部 半導体物理
  • 第I部 第2章 エネルギーバンドと熱平衡状態におけるキャリア密度 17
  • 第I部 第2章 2.1 半導体材料 17
  • 第I部 第2章 2.1 2.1.1 元素半導体 18
  • 第I部 第2章 2.1 2.1.2 化合物半導体 19
  • 第I部 第2章 2.2 基本的結晶構造 20
  • 第I部 第2章 2.2 2.2.1 単位胞 20
  • 第I部 第2章 2.2 2.2.2 ダイアモンド構造 21
  • 第I部 第2章 2.2 2.2.3 結晶面とミラー指数 22
  • 第I部 第2章 2.3 主な結晶成長技術 23
  • 第I部 第2章 2.4 価電子結晶 25
  • 第I部 第2章 2.5 エネルギーバンド 26
  • 第I部 第2章 2.5 2.5.1 孤立原子のエネルギー準位 26
  • 第I部 第2章 2.5 2.5.2 エネルギーと運動量の関係 28
  • 第I部 第2章 2.5 2.5.3 金属, 半導体, 絶縁体における電気伝導 30
  • 第I部 第2章 2.6 真性キャリア密度 31
  • 第I部 第2章 2.7 ドナーとアクセプタ 34
  • 第I部 第2章 2.7 2.7.1 非縮退半導体 35
  • 第I部 第2章 2.7 2.7.2 縮退半導体 39
  • 第I部 第2章 まとめ 40
  • 第I部 第2章 参考文献 40
  • 第I部 第2章 問題 40
  • 第I部 第3章 キャリアの輸送現象 43
  • 第I部 第3章 3.1 キャリアのドリフト 43
  • 第I部 第3章 3.1 3.1.1 移動度 43
  • 第I部 第3章 3.1 3.1.2 比抵抗 47
  • 第I部 第3章 3.1 3.1.3 ホール効果 49
  • 第I部 第3章 3.2 キャリアの拡散 51
  • 第I部 第3章 3.2 3.2.1 拡散過程 51
  • 第I部 第3章 3.2 3.2.2 アインシュタインの関係式 52
  • 第I部 第3章 3.2 3.2.3 電流密度の式 53
  • 第I部 第3章 3.3 キャリアの生成と再結合過程 53
  • 第I部 第3章 3.3 3.3.1 直接再結合 54
  • 第I部 第3章 3.3 3.3.2 間接再結合 56
  • 第I部 第3章 3.3 3.3.3 表面再結合 57
  • 第I部 第3章 3.3 3.3.4 オージェ再結合 58
  • 第I部 第3章 3.4 連続の式 59
  • 第I部 第3章 3.4 3.4.1 片側からの定常的キャリア注入 60
  • 第I部 第3章 3.4 3.4.2 表面少数キャリア 61
  • 第I部 第3章 3.4 3.4.3 ヘインズ-ショックレイの実験 62
  • 第I部 第3章 3.5 熱電子放射 63
  • 第I部 第3章 3.6 トンネル過程 64
  • 第I部 第3章 3.7 高電界効果 66
  • 第I部 第3章 まとめ 71
  • 第I部 第3章 参考文献 71
  • 第I部 第3章 問題 72
  • 第II部 半導体デバイス
  • 第II部 第4章 p-n接合 77
  • 第II部 第4章 4.1 基本的形成過程 78
  • 第II部 第4章 4.1 4.1.1 酸化 78
  • 第II部 第4章 4.1 4.1.2 リソグラフィ 79
  • 第II部 第4章 4.1 4.1.3 拡散とイオン注入 80
  • 第II部 第4章 4.1 4.1.4 金属配線 80
  • 第II部 第4章 4.2 熱平衡状態 80
  • 第II部 第4章 4.2 4.2.1 バンド図 81
  • 第II部 第4章 4.2 4.2.2 熱平衡フェルミ準位 81
  • 第II部 第4章 4.2 4.2.3 空間電荷 83
  • 第II部 第4章 4.3 空乏領域 84
  • 第II部 第4章 4.3 4.3.1 階段接合 84
  • 第II部 第4章 4.3 4.3.2 傾斜接合 88
  • 第II部 第4章 4.4 空乏層容量 90
  • 第II部 第4章 4.4 4.4.1 容量−電圧特性 91
  • 第II部 第4章 4.4 4.4.2 不純物分布の求め方 92
  • 第II部 第4章 4.4 4.4.3 バラクター 93
  • 第II部 第4章 4.5 電流−電圧特性 94
  • 第II部 第4章 4.5 4.5.1 理想特性 94
  • 第II部 第4章 4.5 4.5.2 生成・再結合および高注入効果 98
  • 第II部 第4章 4.5 4.5.3 温度効果 101
  • 第II部 第4章 4.6 電荷の蓄積と過渡特性 102
  • 第II部 第4章 4.6 4.6.1 少数キャリアの蓄積 103
  • 第II部 第4章 4.6 4.6.2 拡散容量 103
  • 第II部 第4章 4.6 4.6.3 過渡応答 104
  • 第II部 第4章 4.7 接合の降伏 105
  • 第II部 第4章 4.7 4.7.1 トンネル効果 105
  • 第II部 第4章 4.7 4.7.2 なだれ増倍 106
  • 第II部 第4章 4.8 ヘテロ接合 111
  • 第II部 第4章 まとめ 113
  • 第II部 第4章 参考文献 114
  • 第II部 第4章 問題 114
  • 第II部 第5章 バイポーラ・トランジスタとその関連デバイス 117
  • 第II部 第5章 5.1 トランジスタ動作 118
  • 第II部 第5章 5.1 5.1.1 活性モードにおける動作 119
  • 第II部 第5章 5.1 5.1.2 電流利得 120
  • 第II部 第5章 5.2 バイポーラ・トランジスタの静特性 123
  • 第II部 第5章 5.2 5.2.1 各領域におけるキャリア分布 123
  • 第II部 第5章 5.2 5.2.2 活性モード動作時の理想トランジスタ電流 125
  • 第II部 第5章 5.2 5.2.3 動作モード 126
  • 第II部 第5章 5.2 5.2.4 ベース接地およびエミッタ接地における電流−電圧特性 128
  • 第II部 第5章 5.3 バイポーラ・トランジスタの周波数応答とスイッチング特性 131
  • 第II部 第5章 5.3 5.3.1 周波数応答 131
  • 第II部 第5章 5.3 5.3.2 スイッチング過渡特性 133
  • 第II部 第5章 5.4 ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ 135
  • 第II部 第5章 5.4 5.4.1 HBTの電流利得 135
  • 第II部 第5章 5.4 5.4.2 HBTの基本的構造 136
  • 第II部 第5章 5.4 5.4.3 高度なHBT 137
  • 第II部 第5章 5.5 サイリスタおよび関連の電力用デバイス 139
  • 第II部 第5章 5.5 5.5.1 基礎特性 140
  • 第II部 第5章 5.5 5.5.2 双方向サイリスタ 145
  • 第II部 第5章 5.5 5.5.3 他の形のサイリスタとその応用 146
  • 第II部 第5章 まとめ 148
  • 第II部 第5章 参考文献 149
  • 第II部 第5章 問題 149
  • 第II部 第6章 MOSFETと関連デバイス 153
  • 第II部 第6章 6.1 MOSダイオード 153
  • 第II部 第6章 6.1 6.1.1 理想的なMOSダイオード 154
  • 第II部 第6章 6.1 6.1.2 SiO2-Si MOSダイオード 161
  • 第II部 第6章 6.1 6.1.3 電荷結合デバイス (CCD) 166
  • 第II部 第6章 6.2 MOSFETの基本特性 167
  • 第II部 第6章 6.2 6.2.1 基本的特性 168
  • 第II部 第6章 6.2 6.2.2 MOSFETのいろいろ 174
  • 第II部 第6章 6.2 6.2.3 しきい値電圧の制御 175
  • 第II部 第6章 6.3 MOSFET縮小則 179
  • 第II部 第6章 6.3 6.3.1 短チャンネル効果 179
  • 第II部 第6章 6.3 6.3.2 縮小則 182
  • 第II部 第6章 6.4 CMOSとBiCMOS
  • 第II部 第6章 6.4 6.4.1 CMOSインバータ 184
  • 第II部 第6章 6.4 6.4.2 ラッチアップ 186
  • 第II部 第6章 6.4 6.4.3 BiCMOS 188
  • 第II部 第6章 6.5 絶縁物上のMOSFET 188
  • 第II部 第6章 6.5 6.5.1 薄膜トランジスタ (TFT) 188
  • 第II部 第6章 6.5 6.5.2 SOIデバイス 190
  • 第II部 第6章 6.6 MOSメモリ構造 192
  • 第II部 第6章 6.6 6.6.1 DRAM 192
  • 第II部 第6章 6.6 6.6.2 SRAM 193
  • 第II部 第6章 6.6 6.6.3 不揮発性メモリ 194
  • 第II部 第6章 6.7 パワーMOSFET 196
  • 第II部 第6章 まとめ 198
  • 第II部 第6章 参考文献 199
  • 第II部 第6章 問題 199
  • 第II部 第7章 MESFETと関連デバイス 203
  • 第II部 第7章 7.1 金属-半導体接触 204
  • 第II部 第7章 7.1 7.1.1 基本的特性 204
  • 第II部 第7章 7.1 7.1.2 ショットキー障壁 209
  • 第II部 第7章 7.1 7.1.3 オーミック接触 212
  • 第II部 第7章 7.2 MESFET 214
  • 第II部 第7章 7.2 7.2.1 デバイス構造 214
  • 第II部 第7章 7.2 7.2.2 動作原理 215
  • 第II部 第7章 7.2 7.2.3 電流-電圧特性 217
  • 第II部 第7章 7.2 7.2.4 高周波特性 220
  • 第II部 第7章 7.3 MODFET 222
  • 第II部 第7章 7.3 7.3.1 MODFETの基本 222
  • 第II部 第7章 7.3 7.3.2 電流-電圧特性 224
  • 第II部 第7章 7.3 7.3.3 しゃ断周波数 225
  • 第II部 第7章 まとめ 226
  • 第II部 第7章 参考文献 227
  • 第II部 第7章 問題 228
  • 第II部 第8章 マイクロ波ダイオード, 量子効果およびホットエレクトロンデバイス 230
  • 第II部 第8章 8.1 マイクロ波の基礎技術 231
  • 第II部 第8章 8.2 トンネルダイオード 234
  • 第II部 第8章 8.3 IMPATTダイオード 236
  • 第II部 第8章 8.3 8.3.1 静特性 236
  • 第II部 第8章 8.3 8.3.2 動特性 238
  • 第II部 第8章 8.4 バルク効果デバイス (TED) 240
  • 第II部 第8章 8.4 8.4.1 負性微分抵抗 240
  • 第II部 第8章 8.4 8.4.2 デバイスの動作 241
  • 第II部 第8章 8.5 量子効果デバイス 244
  • 第II部 第8章 8.5 8.5.1 共鳴トンネルダイオード 245
  • 第II部 第8章 8.5 8.5.2 ユニポーラ共鳴トンネルトランジスタ 248
  • 第II部 第8章 8.6 ホットエレクトロンデバイス 249
  • 第II部 第8章 8.6 8.6.1 ホットエレクトロンHBT 250
  • 第II部 第8章 8.6 8.6.2 実空間遷移 250
  • 第II部 第8章 まとめ 253
  • 第II部 第8章 参考文献 254
  • 第II部 第8章 問題 254
  • 第II部 第9章 フォトニックデバイス 257
  • 第II部 第9章 9.1 発光遷移と光吸収 257
  • 第II部 第9章 9.1 9.1.1 発光遷移 258
  • 第II部 第9章 9.1 9.1.2 光吸収 259
  • 第II部 第9章 9.2 発光ダイオード (LED) 262
  • 第II部 第9章 9.2 9.2.1 可視LED 262
  • 第II部 第9章 9.2 9.2.2 赤外LED 268
  • 第II部 第9章 9.3 半導体レーザ 270
  • 第II部 第9章 9.3 9.3.1 半導体材料 270
  • 第II部 第9章 9.3 9.3.2 レーザ動作 271
  • 第II部 第9章 9.3 9.3.3 半導体レーザの基本構造 274
  • 第II部 第9章 9.3 9.3.4 分布帰還型レーザ 278
  • 第II部 第9章 9.3 9.3.5 量子井戸レーザ 279
  • 第II部 第9章 9.4 光検出器 281
  • 第II部 第9章 9.4 9.4.1 光伝導体(光抵抗) 281
  • 第II部 第9章 9.4 9.4.2 フォトダイオード 282
  • 第II部 第9章 9.4 9.4.3 アバランシ・フォトダイオード (APD) 285
  • 第II部 第9章 9.5 太陽電池 287
  • 第II部 第9章 9.5 9.5.1 太陽光 287
  • 第II部 第9章 9.5 9.5.2 P-n接合太陽電池 287
  • 第II部 第9章 9.5 9.5.3 変換効率 290
  • 第II部 第9章 9.5 9.5.4 シリコンと化合物半導体太陽電池 292
  • 第II部 第9章 9.5 9.5.5 集光 293
  • 第II部 第9章 まとめ 294
  • 第II部 第9章 参考文献 295
  • 第II部 第9章 問題 296
  • 第III部 半導体技術
  • 第III部 第10章 結晶成長とエピタキシィ 301
  • 第III部 第10章 10.1 融液からの結晶成長 302
  • 第III部 第10章 10.1 10.1.1 原料 302
  • 第III部 第10章 10.1 10.1.2 CZ法 302
  • 第III部 第10章 10.1 10.1.3 添加不純物の分布 304
  • 第III部 第10章 10.1 10.1.4 有効偏析係数 305
  • 第III部 第10章 10.2 Siの浮遊ゾーン法(FZ法) 306
  • 第III部 第10章 10.3 GaAs結晶成長 310
  • 第III部 第10章 10.3 10.3.1 原料 310
  • 第III部 第10章 10.3 10.3.2 結晶成長技術 311
  • 第III部 第10章 10.4 材料評価 313
  • 第III部 第10章 10.4 10.4.1 成形加工 313
  • 第III部 第10章 10.4 10.4.2 結晶評価 314
  • 第III部 第10章 10.5 エピタキシャル結晶成長 318
  • 第III部 第10章 10.5 10.5.1 CVD 318
  • 第III部 第10章 10.5 10.5.2 分子線エピタキシィ 321
  • 第III部 第10章 10.6 エピタキシャル結晶の構造と欠陥 324
  • 第III部 第10章 10.6 10.6.1 格子整合と歪み 324
  • 第III部 第10章 10.6 10.6.2 エピ層の欠陥 326
  • 第III部 第10章 まとめ 327
  • 第III部 第10章 参考文献 328
  • 第III部 第10章 問題 328
  • 第III部 第11章 薄膜の形成 331
  • 第III部 第11章 11.1 熱酸化 332
  • 第III部 第11章 11.1 11.1.1 酸化の機構 332
  • 第III部 第11章 11.1 11.1.2 薄い酸化膜の成長 337
  • 第III部 第11章 11.2 誘導体膜の堆積 339
  • 第III部 第11章 11.2 11.2.1 SiO2(二酸化シリコン)膜 340
  • 第III部 第11章 11.2 11.2.2 Si3N4(窒化シリコン)膜 344
  • 第III部 第11章 11.2 11.2.3 低誘導率 (low-k) 材料 345
  • 第III部 第11章 11.2 11.2.4 高誘電率 (high-k) 材料 347
  • 第III部 第11章 11.3 ポリSiの堆積 348
  • 第III部 第11章 11.4 メタライゼーション 350
  • 第III部 第11章 11.4 11.4.1 物理気相堆積法 350
  • 第III部 第11章 11.4 11.4.2 CVD(化学気相堆積法) 351
  • 第III部 第11章 11.4 11.4.3 Al 電極形成 352
  • 第III部 第11章 11.4 11.4.4 銅のメタライゼーション 355
  • 第III部 第11章 11.4 11.4.5 化学機械研磨法 357
  • 第III部 第11章 11.4 11.4.6 シリサイド 358
  • 第III部 第11章 まとめ 359
  • 第III部 第11章 参考文献 360
  • 第III部 第11章 問題 360
  • 第III部 第12章 リソグラフィとエッチング 363
  • 第III部 第12章 12.1 光学的リソグラフィ 363
  • 第III部 第12章 12.1 12.1.1 クリーンルーム(無塵室) 364
  • 第III部 第12章 12.1 12.1.2 露光法 365
  • 第III部 第12章 12.1 12.1.3 マスク 368
  • 第III部 第12章 12.1 12.1.4 フォトレジスト 369
  • 第III部 第12章 12.1 12.1.5 パターン転写 371
  • 第III部 第12章 12.1 12.1.6 解像度増強手法 372
  • 第III部 第12章 12.2 次世代のリソグラフィ 374
  • 第III部 第12章 12.2 12.2.1 電子線リソグラフィ 374
  • 第III部 第12章 12.2 12.2.2 遠紫外リソグラフィ 377
  • 第III部 第12章 12.2 12.2.3 X線リソグラフィ 379
  • 第III部 第12章 12.2 12.2.4 イオンビームリソグラフィ 379
  • 第III部 第12章 12.2 12.2.5 種々のリソグラフィの比較 381
  • 第III部 第12章 12.3 湿式化学エッチング 381
  • 第III部 第12章 12.3 12.3.1 Siエッチング 382
  • 第III部 第12章 12.3 12.3.2 SiO2エッチング 383
  • 第III部 第12章 12.3 12.3.3 窒化SiとポリSiのエッチング 383
  • 第III部 第12章 12.3 12.3.4 Alのエッチング 383
  • 第III部 第12章 12.3 12.3.5 GaAsのエッチング 384
  • 第III部 第12章 12.4 乾式エッチング 385
  • 第III部 第12章 12.4 12.4.1 プラズマの基本 386
  • 第III部 第12章 12.4 12.4.2 エッチング機構・プラズマ診断・終止制御 386
  • 第III部 第12章 12.4 12.4.3 反応性プラズマエッチ技術および装置 388
  • 第III部 第12章 12.4 12.4.4 反応性プラズマエッチの応用 391
  • 第III部 第12章 12.5 マイクロエレクトロメカニカルシステム (MEMS) 395
  • 第III部 第12章 12.5 12.5.1 立体マイクロマシニング 395
  • 第III部 第12章 12.5 12.5.2 表面マイクロマシニング 395
  • 第III部 第12章 12.5 12.5.3 LIGAプロセス 397
  • 第III部 第12章 まとめ 397
  • 第III部 第12章 参考文献 399
  • 第III部 第12章 問題 400
  • 第III部 第13章 不純物ドーピング 402
  • 第III部 第13章 13.1 基本拡散過程 403
  • 第III部 第13章 13.1 13.1.1 拡散方程式 404
  • 第III部 第13章 13.1 13.1.2 拡散分布 406
  • 第III部 第13章 13.1 13.1.3 拡散層の評価 409
  • 第III部 第13章 13.2 外因性拡散 410
  • 第III部 第13章 13.2 13.2.1 拡散係数の濃度依存性 411
  • 第III部 第13章 13.2 13.2.2 拡散分布 412
  • 第III部 第13章 13.3 拡散関連過程 414
  • 第III部 第13章 13.3 13.3.1 横方向の拡散 414
  • 第III部 第13章 13.3 13.3.2 酸化膜形成中の不純物の再分布 415
  • 第III部 第13章 13.4 注入イオンの飛程 416
  • 第III部 第13章 13.4 13.4.1 イオンの分布 417
  • 第III部 第13章 13.4 13.4.2 イオンの減速過程 418
  • 第III部 第13章 13.4 13.4.3 チャンネリング効果 421
  • 第III部 第13章 13.5 注入による損傷とアニール 423
  • 第III部 第13章 13.5 13.5.1 注入による損傷 423
  • 第III部 第13章 13.5 13.5.2 アニール 425
  • 第III部 第13章 13.6 イオン注入に関連したプロセス 427
  • 第III部 第13章 13.6 13.6.1 多重注入とマスキング 427
  • 第III部 第13章 13.6 13.6.2 傾斜イオン注入 429
  • 第III部 第13章 13.6 13.6.3 高エネルギー, 高電流注入 430
  • 第III部 第13章 まとめ 431
  • 第III部 第13章 参考文献 432
  • 第III部 第13章 問題 433
  • 第III部 第14章 集積デバイス 435
  • 第III部 第14章 14.1 受動素子 437
  • 第III部 第14章 14.1 14.1.1 IC用抵抗 437
  • 第III部 第14章 14.1 14.1.2 集積回路キャパシタ 438
  • 第III部 第14章 14.1 14.1.3 ICインダクタ 439
  • 第III部 第14章 14.2 バイポーラ技術 440
  • 第III部 第14章 14.2 14.2.1 基本的な製造プロセス 441
  • 第III部 第14章 14.2 14.2.2 絶縁体分離 443
  • 第III部 第14章 14.2 14.2.3 自己整合二重ポリSiバイポーラ構造 445
  • 第III部 第14章 14.3 MOSFET技術 446
  • 第III部 第14章 14.3 14.3.1 製作の基本プロセス 447
  • 第III部 第14章 14.3 14.3.2 メモリーデバイス 450
  • 第III部 第14章 14.3 14.3.3 CMOS技術 453
  • 第III部 第14章 14.3 14.3.4 BiCMOS技術 458
  • 第III部 第14章 14.4 MESFET 技術 460
  • 第III部 第14章 14.5 マイクロエレクトロニクスへの挑戦 461
  • 第III部 第14章 14.5 14.5.1 集積への挑戦 463
  • 第III部 第14章 14.5 14.5.2 1チップシステム 465
  • 第III部 第14章 まとめ 466
  • 第III部 第14章 参考文献 466
  • 第III部 第14章 問題 467
  • 付録
  • A 記号表 471
  • B 国際単位系(SI単位系) 473
  • C 単位の接頭辞 473
  • D ギリシャ語アルファベット 474
  • E 物理定数 474
  • F 主要元素半導体および化合物半導体の300Kにおける特性 475
  • G 300KにおけるSiおよびGaAsの特性 476
  • H 半導体中の状態密度の導出 477
  • I 間接再結合における再結合速度の導出 478
  • J 対称共鳴トンネルダイオードにおける透過係数の計算 479
  • K 気体運動論の基礎 480
  • L 数値解を有する問題(奇数番号)の解答 481
  • 訳者あとがき 485
  • 索引 487
  • 欧文索引 497

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