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ハロゲン系吸着ガスを用いた半導体表面の原子レベルエツチングとデポジシヨン

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ハロゲン系吸着ガスを用いた半導体表面の原子レベルエツチングとデポジシヨン

国立国会図書館請求記号
Y151-H06452121
国立国会図書館書誌ID
000006996030
資料種別
図書
著者
吉村, 雅満, 豊田工業大学
出版者
-
出版年
1994-1996
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
ハロゲンケイ キュウチャク ガス オ モチイタ ハンドウタイ ヒョウメン ノ ゲンシ レベルエツチング ト デポジシヨン
著者・編者
吉村, 雅満, 豊田工業大学
著者標目
著者 : 吉村, 雅満 ヨシムラ, マサミチ ( 01021529 )典拠
出版年月日等
1994-1996
出版年(W3CDTF)
1994
数量
その他のタイトル
研究種目 一般研究(B)
件名標目
ハロゲン分子 ハロゲンブンシ
シリコン シリコン
エツチング エツチング
デポジシヨン デポジシヨン
STM STM
原子操作 ゲンシソウサ
塩化アルミニウム エンカアルミニウム
表面 ヒヨウメン