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ワイドギヤツプ半導体SiCの高純度単結晶成長とパワーデバイスへの応用

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ワイドギヤツプ半導体SiCの高純度単結晶成長とパワーデバイスへの応用

国立国会図書館請求記号
Y151-H04555068
国立国会図書館書誌ID
000006987114
資料種別
図書
著者
松波, 弘之, 京都大学
出版者
-
出版年
1992-1993
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
ワイドギヤツプ ハンドウタイ SiC ノ コウジュンドタンケッショウ セイチョウ ト パワーデバイス ヘ ノ オウヨウ
著者・編者
松波, 弘之, 京都大学
著者標目
松波, 弘之 マツナミ, ヒロユキ
出版年月日等
1992-1993
出版年(W3CDTF)
1992
数量
その他のタイトル
研究種目 試験研究(B)
件名標目
シリコンカーバイド (SiC) シリコンカーバイド (SIC)
パワーデバイス パワーデバイス
気相エピタキシー キソウエピタキシー
成長機構 セイチヨウキコウ
イオン注入 イオンチユウニユウ
熱酸化 ネツサンカ
pn接合ダイオード PNセツゴウダイオード
Schottky障壁ダイオード SCHOTTKYシヨウヘキダイオード