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资料类别 図書

応用物理ハンドブック

応用物理学会 編

书目信息

题名 応用物理ハンドブック
著者 応用物理学会 編
著者目录 応用物理学会
出版地(国名编码) JP
出版地東京
出版社丸善
出版年月日等 1990.3
大小,容量等 834p ; 27cm
附注 各章末: 文献
ISBN 4621034316
价格 28840円 (税込)
日本全国书目号码 90030759
出版年(W3CDTF) 1990
主题(关键字) 応用物理学
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NDLC MC2
NDLC MC21
NDC(8版) 501.2
阅读对象 一般
资料的类别 図書
语言(ISO639-2形式) jpn : 日本語

目录
 

  • 応用物理ハンドブック
  • 第1章 光学技術 本田捷夫,山口一郎,西田信夫,畑田豊彦
  • 第1章 1.1 光学基礎 鶴田匡夫 3
  • 第1章 1.1.1 幾何光学 3
  • 第1章 1.1.2 物理光学 3
  • 第1章 1.2 光学材料,光学素子および結像器械 5
  • 第1章 1.2.1 光学材料 泉谷徹郎 5
  • 第1章 1.2.2 光学素子 小島忠 7
  • 第1章 1.2.3 動的光制御素子 西田信夫 10
  • 第1章 1.2.4 結像器械 山本公明 13
  • 第1章 1.3 分光素子,分光器および偏光解析 14
  • 第1章 1.3.1 分光素子 波岡武 14
  • 第1章 1.3.2 分光器 南茂夫 16
  • 第1章 1.3.3 偏光解析法 横田英嗣 20
  • 第1章 1.4 光記録材料 22
  • 第1章 1.4.1 銀塩感光材料 三位信夫 22
  • 第1章 1.4.2 非銀塩感光材料 小門宏 25
  • 第1章 1.4.3 光メモリ材料 三橋慶喜 26
  • 第1章 1.5 光応用計測,光演算技術 28
  • 第1章 1.5.1 光の直進性を利用した計測 山口一郎 28
  • 第1章 1.5.2 干渉・光ビート応用計測 山口一郎 30
  • 第1章 1.5.3 回折・散乱を応用した計測 山口一郎 34
  • 第1章 1.5.4 光演算,フィルタリング,光双安定,位相共役,光スイッチ 一岡芳樹 36
  • 第1章 1.6 画像技術 43
  • 第1章 1.6.1 撮像デバイス 木内雄二 43
  • 第1章 1.6.2 表示素子 小林駿介 46
  • 第1章 1.6.3 立体像表示技術 本田捷夫 51
  • 第1章 1.6.4 画像処理・特殊イメージング法 本田捷夫 53
  • 第1章 1.7 視覚光学 56
  • 第1章 1.7.1 生理光学 畑田豊彦 56
  • 第1章 1.7.2 測色・色彩 重松征史 63
  • 第1章 1.7.3 光源・測光 金谷末子 65
  • 第1章 文献 69
  • 第2章 量子エレクトロニクス 伊賀健一,永井治男,狩野覚
  • 第2章 2.1 量子エレクトロニクスの基礎 山本喜久 75
  • 第2章 2.1.1 密度行列と電磁場の量子化 75
  • 第2章 2.1.2 自然放出と誘導放出 76
  • 第2章 2.1.3 レーザの基礎 77
  • 第2章 2.1.4 非線形効果 78
  • 第2章 2.2 ビーム光学とレーザ共振器 古屋一仁 79
  • 第2章 2.2.1 ガウスビーム波 79
  • 第2章 2.2.2 レーザ共振器 80
  • 第2章 2.3 各種レーザ 83
  • 第2章 2.3.1 固体レーザ 佐藤卓蔵 83
  • 第2章 2.3.2 色素レーザ 〃 85
  • 第2章 2.3.3 気体レーザ 堀田和明 87
  • 第2章 2.3.4 エキシマレーザ 狩野覚 93
  • 第2章 2.3.5 新レーザ 〃 94
  • 第2章 2.4 半導体レーザ 95
  • 第2章 2.4.1 半導体レーザの基礎特性 伊藤良一 95
  • 第2章 2.4.2 量子井戸レーザ 山腰茂伸 97
  • 第2章 2.4.3 長波長半導体レーザ 永井治男 99
  • 第2章 2.4.4 短波長半導体レーザ 土方俊樹 101
  • 第2章 2.4.5 集積化 梶原孝生 104
  • 第2章 2.5 光導波 105
  • 第2章 2.5.1 光導波の基礎 皆方誠 105
  • 第2章 2.5.2 光ファイバ 稲垣伸夫 106
  • 第2章 2.5.3 光導波型受動デバイス 西原浩 108
  • 第2章 2.5.4 光導波型デバイス 西原浩 109
  • 第2章 2.5.5 微小光学コンポーネント 西沢紘一 110
  • 第2章 2.6 光・レーザ制御 大津元一 111
  • 第2章 2.6.1 変調 111
  • 第2章 2.6.2 非線形光学効果 112
  • 第2章 2.6.3 レーザ制御 114
  • 第2章 2.7 光検出 116
  • 第2章 2.7.1 光検出の基礎事項 梅野正義 116
  • 第2章 2.7.2 光検出器 梅野正義 117
  • 第2章 2.7.3 微弱光検出 小林喬郎 119
  • 第2章 2.8 レーザ応用 121
  • 第2章 2.8.1 レーザ分光 上原喜代治 121
  • 第2章 2.8.2 同位体分離 中根良平 122
  • 第2章 2.8.3 大出力レーザと核融合 中井貞雄 123
  • 第2章 2.8.4 光通信 橋本国生 124
  • 第2章 2.8.5 光ディスク 角田義人 126
  • 第2章 2.8.6 光プリンタ 稲垣雄史 127
  • 第2章 2.8.7 レーザ計測 128
  • 第2章 2.8.8 光波センシング 128
  • 第2章 2.8.9 レーザ加工 嶋田隆司 128
  • 第2章 文献 129
  • 第3章 クライオエレクトロニクス 北津宏一,伊原英雄
  • 第3章 3.1 超伝導の基礎 大塚泰一郎 137
  • 第3章 3.1.1 超伝導のメカニズム 137
  • 第3章 3.1.2 超伝導の特性 143
  • 第3章 3.2 超伝導材料の概要 伊原英雄 145
  • 第3章 3.2.1 超伝導物質概説 145
  • 第3章 3.2.2 実用超伝導線材 149
  • 第3章 3.2.3 超伝導素子材料 150
  • 第3章 3.3 超伝導の応用 151
  • 第3章 3.3.1 磁石および電力用への応用 岩本雅民 151
  • 第3章 3.3.2 超伝導素子 篠木藤敏 155
  • 第3章 文献 164
  • 第4章 物理分析技術 小野雅敏,岡山重夫,市ノ川竹男
  • 第4章 4.1 荷電粒子ビーム基礎技術 167
  • 第4章 4.1.1 ビーム源 岡山重夫,古室昌徳 167
  • 第4章 4.1.2 荷電粒子光学系 〃 168
  • 第4章 4.1.3 質量分析法 田村一二三 169
  • 第4章 4.2 電子線利用 172
  • 第4章 4.2.1 透過型電子顕微鏡 菰田孜 172
  • 第4章 4.2.2 走査型電子顕微鏡 村田顕二 174
  • 第4章 4.2.3 電子線マイクロプローブX線分析法 市ノ川竹男 177
  • 第4章 4.2.4 電子分光解析法 180
  • 第4章 4.3 イオン利用 180
  • 第4章 4.3.1 二次イオン質量分析法 田村一二三 180
  • 第4章 4.3.2 光イオン化質量分析法 清水肇 184
  • 第4章 4.3.3 ラザフォード後方散乱分析法 平木昭夫 186
  • 第4章 4.3.4 粒子励起X線分析法 中島尚男 188
  • 第4章 4.3.5 SCANIIR(粒子線衝撃光放射分析) 志水隆一 190
  • 第4章 4.4 放射源線とその応用 191
  • 第4章 4.4.1 放射線 富増多喜夫 191
  • 第4章 4.4.2 中性子回折法 山田安定 196
  • 第4章 4.4.3 放射線分析法 小林健二 198
  • 第4章 4.4.4 陽電子消滅法 谷川庄一郎 200
  • 第4章 4.5 光・X線利用 202
  • 第4章 4.5.1 発光分光法 原口紘〓 202
  • 第4章 4.5.2 光ルミネッセンス 原口紘〓 203
  • 第4章 4.5.3 吸光分光法 末高洽 203
  • 第4章 4.5.4 ラマン分光法 末高洽 207
  • 第4章 4.5.5 EXAFS 大柳宏之 208
  • 第4章 4.5.6 蛍光X線分析 岡下英男 210
  • 第4章 4.6 電磁場利用 213
  • 第4章 4.6.1. 核磁気共鳴法 亀井裕孟 213
  • 第4章 4.6,2 電子スピン共鳴法 樋口治郎 214
  • 第4章 4.6.3 メスバウアー法 伊藤厚子 215
  • 第4章 4.7 音波利用 217
  • 第4章 4.7.1 超音波スペクトロスコピー 御子柴宣夫 217
  • 第4章 4.7.2 超音波顕微鏡 櫛引淳一 220
  • 第4章 4.7.3 アコースティックエミッション 御子柴宣夫 221
  • 第4章 4.7,4 光音響分光 御子柴宣夫 221
  • 第4章 文献 222
  • 第5章 表面 宇佐美誠二,山本恵彦
  • 第5章 5.1 表面原子構造 229
  • 第5章 5.1.1 原子配列 村田好正 229
  • 第5章 5.1.2 表面原子振動 大島忠平 232
  • 第5章 5.2 表面電子状態 234
  • 第5章 5.2.1 表面準位 藤森淳 234
  • 第5章 5.2.2 仕事関数 山本恵彦 236
  • 第5章 5.3 表面解析法 238
  • 第5章 5.3.1 低速電子回折法(LEED),反射高速電子回折法(RHEED) 河津璋 238
  • 第5章 5.3.2 オージェ電子分光法(AES),電子エネルギー損失分光法(EELS) 小間篤 240
  • 第5章 5.3.3 紫外光電子分光法(UPS),軟X線光電子分光法(XPS),ペニングイオン化電子分光法(PIES) 中沢正敏 242
  • 第5章 5.3.4 電界放出電子顕微鏡(FEM),電界イオン顕微鏡(FIM),走査形トンネル顕復鏡(STM) 中村勝吾 244
  • 第5章 5.3.5 イオン散乱分光法(ISS) 青野正和 246
  • 第5章 5.3.6 SEXAFS(Surface EXAFS) 249
  • 第5章 5.3.7 偏光解析法(エリプソメトリー) 249
  • 第5章 5.3.8 表面ラマン散乱法(SERS) 仁木克己 250
  • 第5章 5.3.9 反射赤外分光法 末高洽 251
  • 第5章 5.3.10 原子線回折法 酒井明 252
  • 第5章 5.3.11 表面分析法一覧表 中沢正敏 253
  • 第5章 5.4 吸着 254
  • 第5章 5.4.1 物理吸着 高石哲男 254
  • 第5章 5.4.2 化学吸着 恩地勝 256
  • 第5章 5.4.3 表面拡散 中村勝吾 260
  • 第5章 5.5 脱離 260
  • 第5章 5.5.1 熱脱離 川崎弘司 260
  • 第5章 5.5.2 電子刺激脱離 永井士郎 261
  • 第5章 5.5.3 光刺激脱離 村田好正 262
  • 第5章 5.5.4 電界蒸発 中村勝吾 263
  • 第5章 5.6 巨視特性 264
  • 第5章 5.6.1 表面の熱力学 河野彰夫 264
  • 第5章 5.6.2 接触と硬さ 河野彰夫 265
  • 第5章 5.6.3 摩擦と潤滑 河野彰夫 265
  • 第5章 5.6.4 表面損傷 河野彰夫 266
  • 第5章 5.6.5 エキソ電子放出 藤村亮一郎 267
  • 第5章 文献 268
  • 第6章 薄膜 金原粲,魚住清彦
  • 第6章 6.1 薄膜形成法 275
  • 第6章 6.1.1 真空蒸着法 伊藤昭夫 275
  • 第6章 6.1.2 スパッタリング法 細川直吉 278
  • 第6章 6.1.3 イオンプレーティング法 村山洋一,柏木邦宏 281
  • 第6章 6.1.4 化学蒸着法(CVD法) 広瀬全孝,英貢 284
  • 第6章 6.1.5 有機薄膜の形成法 森田慎三 288
  • 第6章 6.2 薄膜の構造 289
  • 第6章 6.2.1 金属 八木克道,井野正三 289
  • 第6章 6.2.2 半導体 安田幸夫 293
  • 第6章 6.2.3 セラミック膜 田畑三郎 299
  • 第6章 6.2.4 有機薄膜 森田慎三 304
  • 第6章 6.3 薄膜の物性 306
  • 第6章 6.3.1 機械的性質 馬場茂 306
  • 第6章 6.3.2 電気的性質 魚住清彦 308
  • 第6章 6.3.3 磁気的性質 権藤靖夫 311
  • 第6章 6.3.4 光学的性質 吉田貞史 313
  • 第6章 6.4 薄膜評価法 315
  • 第6章 6.4.1 ローレンツ顕微鏡 塚原園子 315
  • 第6章 6.4.2 偏光解析法(エリプソメトリー) 山口十六夫 318
  • 第6章 6.4.3 膜厚測定法 沢木司 320
  • 第6章 文献 322
  • 第7章 結晶成長,評価技術 芦田佐吉,守矢一男
  • 第7章 7.1 結晶成長の基礎 327
  • 第7章 7.1.1 結晶成長理論 小林信之 327
  • 第7章 7.1.2 相図の読み方 芦田佐吉 330
  • 第7章 7.2 バルク結晶成長法 333
  • 第7章 7.2.1 水溶性結晶析出法 古畑芳男 333
  • 第7章 7.2.2 フラックス法 芦田佐吉 335
  • 第7章 7.2.3 ブリッジマン・ストックバーガー法 木村茂行 337
  • 第7章 7.2.4 引上法 干川圭吾,福田承生,宮沢靖人 339
  • 第7章 7.2.5 フローティングゾーン法 木村茂行 343
  • 第7章 7.2.6 特殊な方法 芦田佐吉 344
  • 第7章 7.2.7 水熱合成法 滝貞男 346
  • 第7章 7.3 薄膜結晶成長法 347
  • 第7章 7.3.1 液相エピタクシー法(LPE法) 海野恒弘,倉田一宏 347
  • 第7章 7.3.2 気相成長法(VPE法) 渡辺久恒,碓井彰 349
  • 第7章 7.3.3 有機金属気相成長法(MOVPE法) 高橋清 352
  • 第7章 7.3.4 分子線エピタクシー法(MBE法) 高橋清 354
  • 第7章 7.3.5 ガスソース分子線エピタクシー法(MOMBE法) 高橋清 355
  • 第7章 7.3.6 原子層エピタクシー法(ALE法) 高橋清 356
  • 第7章 7.3.7 絶縁体上固体エピタクシー(SOI),サファイア基板上固体エピタクシー(SOS),ブラフォエピタクシー 蕨迫光紀 357
  • 第7章 7.4 結晶評価技術 358
  • 第7章 7.4.1 結晶 大隅一政 358
  • 第7章 7.4.2 結晶光学 古畑芳男 362
  • 第7章 7.4.3 結晶光学的評価法 守矢一男 368
  • 第7章 7.4.4 X線回折による結晶の評価 高野幸男 371
  • 第7章 7.4.5 エッチング法による結晶評価法 芦田佐吉 375
  • 第7章 7.5 素子化技術 377
  • 第7章 7.5.1 加工に際する基本的考え方 高須新一郎 377
  • 第7章 7.5.2 定方位切断・研磨 高須新一郎 379
  • 第7章 7.5.3 研磨・エッチング・洗浄 高須新一郎 382
  • 第7章 7.5.4 球・円筒の製作 高須新一郎 384
  • 第7章 文献 384
  • 第8章 半導体の基礎物性 菅田孝之,河東田隆
  • 第8章 8.1 半導体の歴史と特徴 菅野卓雄 391
  • 第8章 8.1.1 半導体の歴史 391
  • 第8章 8.1.2 半導体の分類と特徴 393
  • 第8章 8.2 結晶構造とエネルギー帯 奥村次徳 394
  • 第8章 8.2.1 結晶構造 394
  • 第8章 8.2.2 エネルギー帯 398
  • 第8章 8.2.3 半導体物性制御 401
  • 第8章 8.3 電子物性 403
  • 第8章 8.3.1 不純物準位 大泊巌 403
  • 第8章 8.3.2 キャリア分布 大泊巌 403
  • 第8章 8.3.3 キャリア輸送現象 鈴木克生 404
  • 第8章 8.3.4 キャリアの捕獲と再結合 鈴木克生 407
  • 第8章 8.4 光物性 神谷武志 408
  • 第8章 8.4.1 光吸収と発光 408
  • 第8章 8.4.2 光伝導 411
  • 第8章 8.4.3 透過・屈折・散乱 412
  • 第8章 8.5 超格子物性 榊裕之,平川一彦 413
  • 第8章 8.5.1 ヘテロ接合物性の基礎 413
  • 第8章 8.5.2 超格子の分類と特徴 414
  • 第8章 8.5.3 超格子のバンド構造 415
  • 第8章 8.5.4 超格子の電気的性質 416
  • 第8章 8.5.5 超格子の光学的性質 418
  • 第8章 8.6 表面物性 長谷川英 419
  • 第8章 8.6.1 半導体表面の電子状態 419
  • 第8章 8.6.2 金属と半導体との接触 420
  • 第8章 8.6.3 絶縁膜と半導体との接触 421
  • 第8章 8.6.4 表面再結合 423
  • 第8章 8.7 熱電効果と圧電効果 尾崎肇 424
  • 第8章 8.7.1 熱電効果 424
  • 第8章 8.7.2 熱電子放出 425
  • 第8章 8.7.3 圧電効果 426
  • 第8章 8.8 半導体評価技術 427
  • 第8章 8.8.1 電気的性質による評価 河東田隆,奥村次徳 427
  • 第8章 8.8.2 光学的性質による評価 神谷武志 440
  • 第8章 文献 442
  • 第9章 半導体デバイス 笠見昭信,西義雄,水谷嘉久
  • 第9章 9.1 半導体デバイスの歴史と特徴 生駒俊明 449
  • 第9章 9.1.1 半導体デバイスの歴史 449
  • 第9章 9.1.2 半導体デバイスの分類と特徴 450
  • 第9章 9.2 ダイオード 451
  • 第9章 9.2.1 pn接合ダイオード 生駒俊明 451
  • 第9章 9.2.2 ショットキーダイオード 生駒俊明 453
  • 第9章 9.2.3 トンネルダイオード 生駒俊明 454
  • 第9章 9.2.4 電子遷移効果素子 木村親夫 454
  • 第9章 9.2.5 走行時間素子 井野正行 456
  • 第9章 9.2.6 超格子応用素子 生駒俊明 457
  • 第9章 9.2.7 受動素子 佐藤安夫 459
  • 第9章 9.3 バイポーラトランジスタ 酒井徹志 460
  • 第9章 9.3.1 基本動作原理 461
  • 第9章 9.3.2 高周波,高速トランジスタ 465
  • 第9章 9.3.3 パワートランジスタ 466
  • 第9章 9.4 電界効果トランジスタ 468
  • 第9章 9.4.1 電界効果トランジスタ 水谷喜久 468
  • 第9章 9.4.2 接合形電界効果トランジスタ 御手洗五郎 468
  • 第9章 9.4.3 ショットキーゲート電界効果トランジスタ 亀井清雄 470
  • 第9章 9.4.4 MOS電界効果トランジスタ 名取研二 472
  • 第9章 9.5 MIS応用バイス 萩原隆旦,神垣良昭 476
  • 第9章 9.5.1 不揮発性メモリ 476
  • 第9章 9.5.2 キャパシタ 478
  • 第9章 9.5.3 CCD(Charge Coupled Device) 479
  • 第9章 9.6 LSI 480
  • 第9章 9.6.1 Si LSI 近藤衛 480
  • 第9章 9.6.2 GaAs LSI 平山昌宏 490
  • 第9章 9.7 ヘテロ構造デバイス 493
  • 第9章 9.7.1 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ 菅田孝之 493
  • 第9章 9.7.2 ヘテロ接合電界効果トランジスタ 三村高志 496
  • 第9章 9.8 光デバイス 499
  • 第9章 9.8.1 発光ダイオード 別府達郎 499
  • 第9章 9.8.2 レーザダイオード 502
  • 第9章 9.8.3 太陽電池 小長井誠 502
  • 第9章 9.8.4 受光デバイス 506
  • 第9章 9.8.5 固体撮像デバイス 鈴木信雄 506
  • 第9章 9.9 サイリスタ 生駒俊明 508
  • 第9章 文献 509
  • 第10章 半導体製造技術 近藤衛,有田睦信
  • 第10章 10.1 概説 517
  • 第10章 10.1.1 半導体プロセス技術の発展 荒井英輔 517
  • 第10章 10.1.2 プロセス設計 〃 520
  • 第10章 10.1.3 素子形成技術 橋本哲一 521
  • 第10章 10.1.4 プロセスシミュレーション 〃 525
  • 第10章 10.2 プロセス管理・評価 荒井英輔 527
  • 第10章 10.2.1 プロセス評価 527
  • 第10章 10.2.2 プロセス環境 528
  • 第10章 10.2.3 安全管理 529
  • 第10章 10.3 素子分離技術 石川元 530
  • 第10章 10.3.1 pn接合分離 531
  • 第10章 10.3.2 選択酸化分離 531
  • 第10章 10.3.3 誘電体分離 533
  • 第10章 10.3.4 新分離技術 534
  • 第10章 10.4 電極配線技術 豊蔵信夫 536
  • 第10章 10.4.1 電極配線に必要な性質,形成方法 536
  • 第10章 10.4.2 アルミニウムとその合金 537
  • 第10章 10.4.3 高融点金属シリサイド 538
  • 第10章 10.4.4 多層配線技術 539
  • 第10章 10.4.5 電極配線の信頼性 540
  • 第10章 10.5 洗浄・エッチング技術 荒井英輔 542
  • 第10章 10.5.1 洗浄 542
  • 第10章 10.5.2 ウェットエッチング 543
  • 第10章 10.6 薄膜形成技術 有田睦信 545
  • 第10章 10.6.1 Siの酸化,窒化 545
  • 第10章 10.6.2 Si,多結晶Si,絶縁物,金属,シリサイドCVD 547
  • 第10章 10.6.3 Si,絶縁物,金属,シリサイドPVD 549
  • 第10章 10.7 リソグラフィ技術 森克己 552
  • 第10章 10.7.1 技術の分類 552
  • 第10章 10.7.2 光露光 552
  • 第10章 10.7.3 電子ビーム露光 554
  • 第10章 10.7.4 X線、SR露光 555
  • 第10章 10.7.5 レジスト 556
  • 第10章 10.8 ドライエッチング技術 柴田俊隆 558
  • 第10章 10.8.1 分類と特徴 558
  • 第10章 10.8.2 プラズマエッチング 558
  • 第10章 10.8.3 イオンエッチング 561
  • 第10章 10.8.4 光増速エッチング 562
  • 第10章 10.8.5 エッチング損傷 562
  • 第10章 10.9 不純物導入技術 谷口研二 563
  • 第10章 10.9.1 不純物拡散 563
  • 第10章 10.9.2 熱拡散 565
  • 第10章 16.9.3 イオン注入 566
  • 第10章 10.10 化合物半導体プロセス技術 東坂浅光 567
  • 第10章 10.10.1 素子形成プロセス 567
  • 第10章 10.10.2 拡散・イオン注入技術 568
  • 第10章 10.10.3 電極形成 570
  • 第10章 10.10.4 エッチング 572
  • 第10章 10.10.5 薄膜形成 573
  • 第10章 10.11 実装技術 長尾工司 574
  • 第10章 10.11.1 組立技術 574
  • 第10章 10.11.2 システム実装 576
  • 第10章 10.11.3 今後の動向 577
  • 第10章 文献 578
  • 第11章 アモルファス半導体材料 田中一宜,清水立生
  • 第11章 11.1 基礎物性 森垣和夫 589
  • 第11章 11.1.1 構造のみだれと電子状態 589
  • 第11章 11.1.2 移動度端,移動度ギャップ 591
  • 第11章 11.1.3 光物性 592
  • 第11章 11.1.4 輸送現象 596
  • 第11章 11.2 作製法概要 田中一宜 599
  • 第11章 11.2.1 アモルファス構造と熱力学的考察 599
  • 第11章 11.2.2 液相凍結法 601
  • 第11章 11.2.3 気相凍結法 602
  • 第11章 11.3 アモルファスSi系材料 603
  • 第11章 11.3.1 水素化アモルファスSi 田中一宜 603
  • 第11章 11.3.2 価電子制御 岡本博明 605
  • 第11章 11.3.3 局在準位と評価法 大串秀世 607
  • 第11章 11.3.4 光劣化現象 嶋田寿一 610
  • 第11章 11.3.5 多層膜(人工格子)の物性 鯉沼秀臣,川崎雅司 612
  • 第11章 11.3.6 多元系材料 森本章治 615
  • 第11章 11.4 カルコゲナイド系材料 618
  • 第11章 11.4.1 構造と電子状態 清水立生 618
  • 第11章 11.4.2 構造欠陥と不純物 〃 620
  • 第11章 11.4.3 光誘起の諸現象 久米田稔 622
  • 第11章 11.4.4 多層膜の物性 清水立生 624
  • 第11章 11.5 種々の応用技術 625
  • 第11章 11.5.1 概要 丸山瑛一 625
  • 第11章 11.5.2 太陽電池 626
  • 第11章 11.5.3 電子写真 清水勇 626
  • 第11章 11.5.4 撮像管 627
  • 第11章 11.5.5 薄膜トランジスタ 松村正清 627
  • 第11章 11.5.6 各種センサ 桑野幸徳 628
  • 第11章 11.5.7 光記録媒体 丸山瑛一 630
  • 第11章 11.5.8 リソグラフィ 631
  • 第11章 11.5.9 その他の応用 内田喜之 631
  • 第11章 文献 632
  • 第12章 磁性材料 権藤靖夫,能勢宏,末沢慶孝
  • 第12章 12.1 磁性の基礎 639
  • 第12章 12.1.1 自発磁化 能勢宏 639
  • 第12章 12.1.2 磁気異方性 能勢宏 641
  • 第12章 12.1.3 磁歪 角野圭一 642
  • 第12章 12.1.4 磁区 末沢慶孝 643
  • 第12章 12.1.5 静的磁化過程 末沢慶孝 644
  • 第12章 12.1.6 動的磁化過程 角野圭一 645
  • 第12章 12.1.7 磁気共鳴 能勢宏 646
  • 第12章 12.1.8 電流磁気効果 牧野好美 648
  • 第12章 12.1.9 磁気光学効果 権藤靖夫 649
  • 第12章 12.1.10 薄膜・微粒子 能勢宏 650
  • 第12章 12.2 高透磁率材料 651
  • 第12章 12.2.1 金属ソフト材料 権藤靖夫 651
  • 第12章 12.2.2 フェライトソフト材料 権藤靖夫 652
  • 第12章 12.2.3 アモルファスソフト磁性材料 藤森啓安 654
  • 第12章 12.3 永久磁石材料 岩間義郎 658
  • 第12章 12.3.1 金属磁石 658
  • 第12章 12.3.2 フェライト磁石 660
  • 第12章 12.3.3 希土類磁石 661
  • 第12章 12.4 磁気記録 663
  • 第12章 12.4.1 磁気記録 中村慶久 663
  • 第12章 12.4.2 磁気バブル 杉田愃 667
  • 第12章 12.4.3 光磁気記録 今村修武 671
  • 第12章 12.5 磁気応用 673
  • 第12章 12.5.1 スイッチングレギュレータ,インダクタ,周波数変換 原田耕介 673
  • 第12章 12.5.2 磁気センサ 〃 675
  • 第12章 12.5.3 磁気分離 岡本祥一 676
  • 第12章 12.5.4 磁性流体 中塚勝人 677
  • 第12章 文献 678
  • 第13章 計測技術 森村正直,岡路正博
  • 第13章 13.1 計測システムの設計 森村正直 685
  • 第13章 13.1.1 測定誤差の要因と性質 685
  • 第13章 13.1.2 測定誤差の軽減対策 686
  • 第13章 13.1.3 高信頼度計測システムの設計法 687
  • 第13章 13.2 計測システムの要素 688
  • 第13章 13.2.1 センシング条件と極端条件 黒田正明 688
  • 第13章 13.2.2 センサ技術 森村正直 690
  • 第13章 13.2.3 信号処理システム 南茂夫 694
  • 第13章 13.2.4 データ処理と評価 南茂夫 701
  • 第13章 13.2.5 計測のための制御技術 北森俊行 706
  • 第13章 13.3 物理量の単位と標準 708
  • 第13章 13.3.1 国際単位系(SI) 増井敏郎 708
  • 第13章 13.3.2 基本単位とその実現 中段和宏 709
  • 第13章 13.3.3 基礎物理定数とその決定法 原宏 711
  • 第13章 13.4 物理量の計測技術 714
  • 第13章 13.4.1 幾何学量 松本弘一 714
  • 第13章 13.4.2 運動学量 原田謹爾 717
  • 第13章 13.4.3 力学量 大岩彰 719
  • 第13章 13.4.4 熱学量 桜井弘久 721
  • 第13章 13.4.5 電磁気量 菅野允 724
  • 第13章 文献 735
  • 第14章 極端環境技術 生嶋明,辻泰,三浦登
  • 第14章 14.1 低温技術 741
  • 第14章 14.1.1 はじめに 生嶋明 741
  • 第14章 14.1.2 低温生成 〃 742
  • 第14章 14.1.3 測温 奈良広一 753
  • 第14章 14.1.4 測定技術 生嶋明 755
  • 第14章 14.2 高温技術 鈴木賢次郎,遠藤裕久 756
  • 第14章 14.2.1 はじめに 756
  • 第14章 14.2.2 高温生成 757
  • 第14章 14.2.3 高温測定 759
  • 第14章 14.2.4 高温での物性測定 761
  • 第14章 14.3 強磁場技術 763
  • 第14章 14.3.1 はじめに 三浦登 763
  • 第14章 14.3.2 強磁場の発生 太刀川恭治,伊達宗行,中川康昭,藤原修三,三浦登 763
  • 第14章 14.3.3 磁場強度の測定 木戸義勇 771
  • 第14章 14.3.4 強磁場下の物質測定 後藤恒昭,三浦登 772
  • 第14章 14.4 高圧技術 774
  • 第14章 14.4.1 はじめに—高圧科学概説— 秋本俊一 774
  • 第14章 14.4.2 高圧力の発生 秋本俊一,庄野安彦 775
  • 第14章 14.4.3 高圧力の測定 秋本俊一 779
  • 第14章 14.4.4 高圧下の物性測定技術 毛利信男 782
  • 第14章 14.5 超高真空技術 786
  • 第14章 14.5.1 はじめに 辻泰 786
  • 第14章 14.5.2 基礎 岡野達雄 786
  • 第14章 14.5.3 測定技術 辻泰 788
  • 第14章 14.5.4 排気技術 小林正典 792
  • 第14章 14.5.5 真空材料 本間禎一 794
  • 第14章 14.5.6 部品と可動機構 岡野達雄,本間禎一 797
  • 文献 800
  • 索引 805
  • 記号索引 831

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