The site menu is from hereThe head of this page

This is an explanation of shortcut keys. To link or execute a function, press any of the following combinations of shortcut keys and then press Enter.  To listen to an explanation of shortcut keys, press Alt and 0.  To display the top page, press Alt and 1.  To login, press Alt and 2.  To display the Simple Search page, press Alt and 3.  To display the Advanced Search page, press Alt and 4.  To display the Search page for persons with disabilities, press Alt and 5.  To sort search results, press Alt and 6.  To display the NDL homepage, press Alt and 7.  To refine search results, press Alt and 8.  This ends the explanation of shortcut keys.

The navigation is from here

The navigation is to here

A body is from here

Format 図書

応用物理ハンドブック

応用物理学会 編

details

Title 応用物理ハンドブック
Author 応用物理学会 編
Personal Name (Author) 応用物理学会
Place of Publication (Country Code) JP
Place of Publication東京
Publisher丸善
Date 1990.3
Size & Duration 834p ; 27cm
Description 各章末: 文献
ISBN 4621034316
Price 28840円 (税込)
National Bibliography No.(JPNO) 90030759
Year of Publication(W3CDTF) 1990
Subject Heading(Keyword) 応用物理学
Ajax-loader Related keywordSearching ・・・
NDLC MC2
NDLC MC21
NDC(8th revised) 501.2
Target Audience 一般
Material Type 図書
Language(ISO639-2 Form) jpn : 日本語

Table of Contents
 

  • 応用物理ハンドブック
  • 第1章 光学技術 本田捷夫,山口一郎,西田信夫,畑田豊彦
  • 第1章 1.1 光学基礎 鶴田匡夫 3
  • 第1章 1.1.1 幾何光学 3
  • 第1章 1.1.2 物理光学 3
  • 第1章 1.2 光学材料,光学素子および結像器械 5
  • 第1章 1.2.1 光学材料 泉谷徹郎 5
  • 第1章 1.2.2 光学素子 小島忠 7
  • 第1章 1.2.3 動的光制御素子 西田信夫 10
  • 第1章 1.2.4 結像器械 山本公明 13
  • 第1章 1.3 分光素子,分光器および偏光解析 14
  • 第1章 1.3.1 分光素子 波岡武 14
  • 第1章 1.3.2 分光器 南茂夫 16
  • 第1章 1.3.3 偏光解析法 横田英嗣 20
  • 第1章 1.4 光記録材料 22
  • 第1章 1.4.1 銀塩感光材料 三位信夫 22
  • 第1章 1.4.2 非銀塩感光材料 小門宏 25
  • 第1章 1.4.3 光メモリ材料 三橋慶喜 26
  • 第1章 1.5 光応用計測,光演算技術 28
  • 第1章 1.5.1 光の直進性を利用した計測 山口一郎 28
  • 第1章 1.5.2 干渉・光ビート応用計測 山口一郎 30
  • 第1章 1.5.3 回折・散乱を応用した計測 山口一郎 34
  • 第1章 1.5.4 光演算,フィルタリング,光双安定,位相共役,光スイッチ 一岡芳樹 36
  • 第1章 1.6 画像技術 43
  • 第1章 1.6.1 撮像デバイス 木内雄二 43
  • 第1章 1.6.2 表示素子 小林駿介 46
  • 第1章 1.6.3 立体像表示技術 本田捷夫 51
  • 第1章 1.6.4 画像処理・特殊イメージング法 本田捷夫 53
  • 第1章 1.7 視覚光学 56
  • 第1章 1.7.1 生理光学 畑田豊彦 56
  • 第1章 1.7.2 測色・色彩 重松征史 63
  • 第1章 1.7.3 光源・測光 金谷末子 65
  • 第1章 文献 69
  • 第2章 量子エレクトロニクス 伊賀健一,永井治男,狩野覚
  • 第2章 2.1 量子エレクトロニクスの基礎 山本喜久 75
  • 第2章 2.1.1 密度行列と電磁場の量子化 75
  • 第2章 2.1.2 自然放出と誘導放出 76
  • 第2章 2.1.3 レーザの基礎 77
  • 第2章 2.1.4 非線形効果 78
  • 第2章 2.2 ビーム光学とレーザ共振器 古屋一仁 79
  • 第2章 2.2.1 ガウスビーム波 79
  • 第2章 2.2.2 レーザ共振器 80
  • 第2章 2.3 各種レーザ 83
  • 第2章 2.3.1 固体レーザ 佐藤卓蔵 83
  • 第2章 2.3.2 色素レーザ 〃 85
  • 第2章 2.3.3 気体レーザ 堀田和明 87
  • 第2章 2.3.4 エキシマレーザ 狩野覚 93
  • 第2章 2.3.5 新レーザ 〃 94
  • 第2章 2.4 半導体レーザ 95
  • 第2章 2.4.1 半導体レーザの基礎特性 伊藤良一 95
  • 第2章 2.4.2 量子井戸レーザ 山腰茂伸 97
  • 第2章 2.4.3 長波長半導体レーザ 永井治男 99
  • 第2章 2.4.4 短波長半導体レーザ 土方俊樹 101
  • 第2章 2.4.5 集積化 梶原孝生 104
  • 第2章 2.5 光導波 105
  • 第2章 2.5.1 光導波の基礎 皆方誠 105
  • 第2章 2.5.2 光ファイバ 稲垣伸夫 106
  • 第2章 2.5.3 光導波型受動デバイス 西原浩 108
  • 第2章 2.5.4 光導波型デバイス 西原浩 109
  • 第2章 2.5.5 微小光学コンポーネント 西沢紘一 110
  • 第2章 2.6 光・レーザ制御 大津元一 111
  • 第2章 2.6.1 変調 111
  • 第2章 2.6.2 非線形光学効果 112
  • 第2章 2.6.3 レーザ制御 114
  • 第2章 2.7 光検出 116
  • 第2章 2.7.1 光検出の基礎事項 梅野正義 116
  • 第2章 2.7.2 光検出器 梅野正義 117
  • 第2章 2.7.3 微弱光検出 小林喬郎 119
  • 第2章 2.8 レーザ応用 121
  • 第2章 2.8.1 レーザ分光 上原喜代治 121
  • 第2章 2.8.2 同位体分離 中根良平 122
  • 第2章 2.8.3 大出力レーザと核融合 中井貞雄 123
  • 第2章 2.8.4 光通信 橋本国生 124
  • 第2章 2.8.5 光ディスク 角田義人 126
  • 第2章 2.8.6 光プリンタ 稲垣雄史 127
  • 第2章 2.8.7 レーザ計測 128
  • 第2章 2.8.8 光波センシング 128
  • 第2章 2.8.9 レーザ加工 嶋田隆司 128
  • 第2章 文献 129
  • 第3章 クライオエレクトロニクス 北津宏一,伊原英雄
  • 第3章 3.1 超伝導の基礎 大塚泰一郎 137
  • 第3章 3.1.1 超伝導のメカニズム 137
  • 第3章 3.1.2 超伝導の特性 143
  • 第3章 3.2 超伝導材料の概要 伊原英雄 145
  • 第3章 3.2.1 超伝導物質概説 145
  • 第3章 3.2.2 実用超伝導線材 149
  • 第3章 3.2.3 超伝導素子材料 150
  • 第3章 3.3 超伝導の応用 151
  • 第3章 3.3.1 磁石および電力用への応用 岩本雅民 151
  • 第3章 3.3.2 超伝導素子 篠木藤敏 155
  • 第3章 文献 164
  • 第4章 物理分析技術 小野雅敏,岡山重夫,市ノ川竹男
  • 第4章 4.1 荷電粒子ビーム基礎技術 167
  • 第4章 4.1.1 ビーム源 岡山重夫,古室昌徳 167
  • 第4章 4.1.2 荷電粒子光学系 〃 168
  • 第4章 4.1.3 質量分析法 田村一二三 169
  • 第4章 4.2 電子線利用 172
  • 第4章 4.2.1 透過型電子顕微鏡 菰田孜 172
  • 第4章 4.2.2 走査型電子顕微鏡 村田顕二 174
  • 第4章 4.2.3 電子線マイクロプローブX線分析法 市ノ川竹男 177
  • 第4章 4.2.4 電子分光解析法 180
  • 第4章 4.3 イオン利用 180
  • 第4章 4.3.1 二次イオン質量分析法 田村一二三 180
  • 第4章 4.3.2 光イオン化質量分析法 清水肇 184
  • 第4章 4.3.3 ラザフォード後方散乱分析法 平木昭夫 186
  • 第4章 4.3.4 粒子励起X線分析法 中島尚男 188
  • 第4章 4.3.5 SCANIIR(粒子線衝撃光放射分析) 志水隆一 190
  • 第4章 4.4 放射源線とその応用 191
  • 第4章 4.4.1 放射線 富増多喜夫 191
  • 第4章 4.4.2 中性子回折法 山田安定 196
  • 第4章 4.4.3 放射線分析法 小林健二 198
  • 第4章 4.4.4 陽電子消滅法 谷川庄一郎 200
  • 第4章 4.5 光・X線利用 202
  • 第4章 4.5.1 発光分光法 原口紘〓 202
  • 第4章 4.5.2 光ルミネッセンス 原口紘〓 203
  • 第4章 4.5.3 吸光分光法 末高洽 203
  • 第4章 4.5.4 ラマン分光法 末高洽 207
  • 第4章 4.5.5 EXAFS 大柳宏之 208
  • 第4章 4.5.6 蛍光X線分析 岡下英男 210
  • 第4章 4.6 電磁場利用 213
  • 第4章 4.6.1. 核磁気共鳴法 亀井裕孟 213
  • 第4章 4.6,2 電子スピン共鳴法 樋口治郎 214
  • 第4章 4.6.3 メスバウアー法 伊藤厚子 215
  • 第4章 4.7 音波利用 217
  • 第4章 4.7.1 超音波スペクトロスコピー 御子柴宣夫 217
  • 第4章 4.7.2 超音波顕微鏡 櫛引淳一 220
  • 第4章 4.7.3 アコースティックエミッション 御子柴宣夫 221
  • 第4章 4.7,4 光音響分光 御子柴宣夫 221
  • 第4章 文献 222
  • 第5章 表面 宇佐美誠二,山本恵彦
  • 第5章 5.1 表面原子構造 229
  • 第5章 5.1.1 原子配列 村田好正 229
  • 第5章 5.1.2 表面原子振動 大島忠平 232
  • 第5章 5.2 表面電子状態 234
  • 第5章 5.2.1 表面準位 藤森淳 234
  • 第5章 5.2.2 仕事関数 山本恵彦 236
  • 第5章 5.3 表面解析法 238
  • 第5章 5.3.1 低速電子回折法(LEED),反射高速電子回折法(RHEED) 河津璋 238
  • 第5章 5.3.2 オージェ電子分光法(AES),電子エネルギー損失分光法(EELS) 小間篤 240
  • 第5章 5.3.3 紫外光電子分光法(UPS),軟X線光電子分光法(XPS),ペニングイオン化電子分光法(PIES) 中沢正敏 242
  • 第5章 5.3.4 電界放出電子顕微鏡(FEM),電界イオン顕微鏡(FIM),走査形トンネル顕復鏡(STM) 中村勝吾 244
  • 第5章 5.3.5 イオン散乱分光法(ISS) 青野正和 246
  • 第5章 5.3.6 SEXAFS(Surface EXAFS) 249
  • 第5章 5.3.7 偏光解析法(エリプソメトリー) 249
  • 第5章 5.3.8 表面ラマン散乱法(SERS) 仁木克己 250
  • 第5章 5.3.9 反射赤外分光法 末高洽 251
  • 第5章 5.3.10 原子線回折法 酒井明 252
  • 第5章 5.3.11 表面分析法一覧表 中沢正敏 253
  • 第5章 5.4 吸着 254
  • 第5章 5.4.1 物理吸着 高石哲男 254
  • 第5章 5.4.2 化学吸着 恩地勝 256
  • 第5章 5.4.3 表面拡散 中村勝吾 260
  • 第5章 5.5 脱離 260
  • 第5章 5.5.1 熱脱離 川崎弘司 260
  • 第5章 5.5.2 電子刺激脱離 永井士郎 261
  • 第5章 5.5.3 光刺激脱離 村田好正 262
  • 第5章 5.5.4 電界蒸発 中村勝吾 263
  • 第5章 5.6 巨視特性 264
  • 第5章 5.6.1 表面の熱力学 河野彰夫 264
  • 第5章 5.6.2 接触と硬さ 河野彰夫 265
  • 第5章 5.6.3 摩擦と潤滑 河野彰夫 265
  • 第5章 5.6.4 表面損傷 河野彰夫 266
  • 第5章 5.6.5 エキソ電子放出 藤村亮一郎 267
  • 第5章 文献 268
  • 第6章 薄膜 金原粲,魚住清彦
  • 第6章 6.1 薄膜形成法 275
  • 第6章 6.1.1 真空蒸着法 伊藤昭夫 275
  • 第6章 6.1.2 スパッタリング法 細川直吉 278
  • 第6章 6.1.3 イオンプレーティング法 村山洋一,柏木邦宏 281
  • 第6章 6.1.4 化学蒸着法(CVD法) 広瀬全孝,英貢 284
  • 第6章 6.1.5 有機薄膜の形成法 森田慎三 288
  • 第6章 6.2 薄膜の構造 289
  • 第6章 6.2.1 金属 八木克道,井野正三 289
  • 第6章 6.2.2 半導体 安田幸夫 293
  • 第6章 6.2.3 セラミック膜 田畑三郎 299
  • 第6章 6.2.4 有機薄膜 森田慎三 304
  • 第6章 6.3 薄膜の物性 306
  • 第6章 6.3.1 機械的性質 馬場茂 306
  • 第6章 6.3.2 電気的性質 魚住清彦 308
  • 第6章 6.3.3 磁気的性質 権藤靖夫 311
  • 第6章 6.3.4 光学的性質 吉田貞史 313
  • 第6章 6.4 薄膜評価法 315
  • 第6章 6.4.1 ローレンツ顕微鏡 塚原園子 315
  • 第6章 6.4.2 偏光解析法(エリプソメトリー) 山口十六夫 318
  • 第6章 6.4.3 膜厚測定法 沢木司 320
  • 第6章 文献 322
  • 第7章 結晶成長,評価技術 芦田佐吉,守矢一男
  • 第7章 7.1 結晶成長の基礎 327
  • 第7章 7.1.1 結晶成長理論 小林信之 327
  • 第7章 7.1.2 相図の読み方 芦田佐吉 330
  • 第7章 7.2 バルク結晶成長法 333
  • 第7章 7.2.1 水溶性結晶析出法 古畑芳男 333
  • 第7章 7.2.2 フラックス法 芦田佐吉 335
  • 第7章 7.2.3 ブリッジマン・ストックバーガー法 木村茂行 337
  • 第7章 7.2.4 引上法 干川圭吾,福田承生,宮沢靖人 339
  • 第7章 7.2.5 フローティングゾーン法 木村茂行 343
  • 第7章 7.2.6 特殊な方法 芦田佐吉 344
  • 第7章 7.2.7 水熱合成法 滝貞男 346
  • 第7章 7.3 薄膜結晶成長法 347
  • 第7章 7.3.1 液相エピタクシー法(LPE法) 海野恒弘,倉田一宏 347
  • 第7章 7.3.2 気相成長法(VPE法) 渡辺久恒,碓井彰 349
  • 第7章 7.3.3 有機金属気相成長法(MOVPE法) 高橋清 352
  • 第7章 7.3.4 分子線エピタクシー法(MBE法) 高橋清 354
  • 第7章 7.3.5 ガスソース分子線エピタクシー法(MOMBE法) 高橋清 355
  • 第7章 7.3.6 原子層エピタクシー法(ALE法) 高橋清 356
  • 第7章 7.3.7 絶縁体上固体エピタクシー(SOI),サファイア基板上固体エピタクシー(SOS),ブラフォエピタクシー 蕨迫光紀 357
  • 第7章 7.4 結晶評価技術 358
  • 第7章 7.4.1 結晶 大隅一政 358
  • 第7章 7.4.2 結晶光学 古畑芳男 362
  • 第7章 7.4.3 結晶光学的評価法 守矢一男 368
  • 第7章 7.4.4 X線回折による結晶の評価 高野幸男 371
  • 第7章 7.4.5 エッチング法による結晶評価法 芦田佐吉 375
  • 第7章 7.5 素子化技術 377
  • 第7章 7.5.1 加工に際する基本的考え方 高須新一郎 377
  • 第7章 7.5.2 定方位切断・研磨 高須新一郎 379
  • 第7章 7.5.3 研磨・エッチング・洗浄 高須新一郎 382
  • 第7章 7.5.4 球・円筒の製作 高須新一郎 384
  • 第7章 文献 384
  • 第8章 半導体の基礎物性 菅田孝之,河東田隆
  • 第8章 8.1 半導体の歴史と特徴 菅野卓雄 391
  • 第8章 8.1.1 半導体の歴史 391
  • 第8章 8.1.2 半導体の分類と特徴 393
  • 第8章 8.2 結晶構造とエネルギー帯 奥村次徳 394
  • 第8章 8.2.1 結晶構造 394
  • 第8章 8.2.2 エネルギー帯 398
  • 第8章 8.2.3 半導体物性制御 401
  • 第8章 8.3 電子物性 403
  • 第8章 8.3.1 不純物準位 大泊巌 403
  • 第8章 8.3.2 キャリア分布 大泊巌 403
  • 第8章 8.3.3 キャリア輸送現象 鈴木克生 404
  • 第8章 8.3.4 キャリアの捕獲と再結合 鈴木克生 407
  • 第8章 8.4 光物性 神谷武志 408
  • 第8章 8.4.1 光吸収と発光 408
  • 第8章 8.4.2 光伝導 411
  • 第8章 8.4.3 透過・屈折・散乱 412
  • 第8章 8.5 超格子物性 榊裕之,平川一彦 413
  • 第8章 8.5.1 ヘテロ接合物性の基礎 413
  • 第8章 8.5.2 超格子の分類と特徴 414
  • 第8章 8.5.3 超格子のバンド構造 415
  • 第8章 8.5.4 超格子の電気的性質 416
  • 第8章 8.5.5 超格子の光学的性質 418
  • 第8章 8.6 表面物性 長谷川英 419
  • 第8章 8.6.1 半導体表面の電子状態 419
  • 第8章 8.6.2 金属と半導体との接触 420
  • 第8章 8.6.3 絶縁膜と半導体との接触 421
  • 第8章 8.6.4 表面再結合 423
  • 第8章 8.7 熱電効果と圧電効果 尾崎肇 424
  • 第8章 8.7.1 熱電効果 424
  • 第8章 8.7.2 熱電子放出 425
  • 第8章 8.7.3 圧電効果 426
  • 第8章 8.8 半導体評価技術 427
  • 第8章 8.8.1 電気的性質による評価 河東田隆,奥村次徳 427
  • 第8章 8.8.2 光学的性質による評価 神谷武志 440
  • 第8章 文献 442
  • 第9章 半導体デバイス 笠見昭信,西義雄,水谷嘉久
  • 第9章 9.1 半導体デバイスの歴史と特徴 生駒俊明 449
  • 第9章 9.1.1 半導体デバイスの歴史 449
  • 第9章 9.1.2 半導体デバイスの分類と特徴 450
  • 第9章 9.2 ダイオード 451
  • 第9章 9.2.1 pn接合ダイオード 生駒俊明 451
  • 第9章 9.2.2 ショットキーダイオード 生駒俊明 453
  • 第9章 9.2.3 トンネルダイオード 生駒俊明 454
  • 第9章 9.2.4 電子遷移効果素子 木村親夫 454
  • 第9章 9.2.5 走行時間素子 井野正行 456
  • 第9章 9.2.6 超格子応用素子 生駒俊明 457
  • 第9章 9.2.7 受動素子 佐藤安夫 459
  • 第9章 9.3 バイポーラトランジスタ 酒井徹志 460
  • 第9章 9.3.1 基本動作原理 461
  • 第9章 9.3.2 高周波,高速トランジスタ 465
  • 第9章 9.3.3 パワートランジスタ 466
  • 第9章 9.4 電界効果トランジスタ 468
  • 第9章 9.4.1 電界効果トランジスタ 水谷喜久 468
  • 第9章 9.4.2 接合形電界効果トランジスタ 御手洗五郎 468
  • 第9章 9.4.3 ショットキーゲート電界効果トランジスタ 亀井清雄 470
  • 第9章 9.4.4 MOS電界効果トランジスタ 名取研二 472
  • 第9章 9.5 MIS応用バイス 萩原隆旦,神垣良昭 476
  • 第9章 9.5.1 不揮発性メモリ 476
  • 第9章 9.5.2 キャパシタ 478
  • 第9章 9.5.3 CCD(Charge Coupled Device) 479
  • 第9章 9.6 LSI 480
  • 第9章 9.6.1 Si LSI 近藤衛 480
  • 第9章 9.6.2 GaAs LSI 平山昌宏 490
  • 第9章 9.7 ヘテロ構造デバイス 493
  • 第9章 9.7.1 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ 菅田孝之 493
  • 第9章 9.7.2 ヘテロ接合電界効果トランジスタ 三村高志 496
  • 第9章 9.8 光デバイス 499
  • 第9章 9.8.1 発光ダイオード 別府達郎 499
  • 第9章 9.8.2 レーザダイオード 502
  • 第9章 9.8.3 太陽電池 小長井誠 502
  • 第9章 9.8.4 受光デバイス 506
  • 第9章 9.8.5 固体撮像デバイス 鈴木信雄 506
  • 第9章 9.9 サイリスタ 生駒俊明 508
  • 第9章 文献 509
  • 第10章 半導体製造技術 近藤衛,有田睦信
  • 第10章 10.1 概説 517
  • 第10章 10.1.1 半導体プロセス技術の発展 荒井英輔 517
  • 第10章 10.1.2 プロセス設計 〃 520
  • 第10章 10.1.3 素子形成技術 橋本哲一 521
  • 第10章 10.1.4 プロセスシミュレーション 〃 525
  • 第10章 10.2 プロセス管理・評価 荒井英輔 527
  • 第10章 10.2.1 プロセス評価 527
  • 第10章 10.2.2 プロセス環境 528
  • 第10章 10.2.3 安全管理 529
  • 第10章 10.3 素子分離技術 石川元 530
  • 第10章 10.3.1 pn接合分離 531
  • 第10章 10.3.2 選択酸化分離 531
  • 第10章 10.3.3 誘電体分離 533
  • 第10章 10.3.4 新分離技術 534
  • 第10章 10.4 電極配線技術 豊蔵信夫 536
  • 第10章 10.4.1 電極配線に必要な性質,形成方法 536
  • 第10章 10.4.2 アルミニウムとその合金 537
  • 第10章 10.4.3 高融点金属シリサイド 538
  • 第10章 10.4.4 多層配線技術 539
  • 第10章 10.4.5 電極配線の信頼性 540
  • 第10章 10.5 洗浄・エッチング技術 荒井英輔 542
  • 第10章 10.5.1 洗浄 542
  • 第10章 10.5.2 ウェットエッチング 543
  • 第10章 10.6 薄膜形成技術 有田睦信 545
  • 第10章 10.6.1 Siの酸化,窒化 545
  • 第10章 10.6.2 Si,多結晶Si,絶縁物,金属,シリサイドCVD 547
  • 第10章 10.6.3 Si,絶縁物,金属,シリサイドPVD 549
  • 第10章 10.7 リソグラフィ技術 森克己 552
  • 第10章 10.7.1 技術の分類 552
  • 第10章 10.7.2 光露光 552
  • 第10章 10.7.3 電子ビーム露光 554
  • 第10章 10.7.4 X線、SR露光 555
  • 第10章 10.7.5 レジスト 556
  • 第10章 10.8 ドライエッチング技術 柴田俊隆 558
  • 第10章 10.8.1 分類と特徴 558
  • 第10章 10.8.2 プラズマエッチング 558
  • 第10章 10.8.3 イオンエッチング 561
  • 第10章 10.8.4 光増速エッチング 562
  • 第10章 10.8.5 エッチング損傷 562
  • 第10章 10.9 不純物導入技術 谷口研二 563
  • 第10章 10.9.1 不純物拡散 563
  • 第10章 10.9.2 熱拡散 565
  • 第10章 16.9.3 イオン注入 566
  • 第10章 10.10 化合物半導体プロセス技術 東坂浅光 567
  • 第10章 10.10.1 素子形成プロセス 567
  • 第10章 10.10.2 拡散・イオン注入技術 568
  • 第10章 10.10.3 電極形成 570
  • 第10章 10.10.4 エッチング 572
  • 第10章 10.10.5 薄膜形成 573
  • 第10章 10.11 実装技術 長尾工司 574
  • 第10章 10.11.1 組立技術 574
  • 第10章 10.11.2 システム実装 576
  • 第10章 10.11.3 今後の動向 577
  • 第10章 文献 578
  • 第11章 アモルファス半導体材料 田中一宜,清水立生
  • 第11章 11.1 基礎物性 森垣和夫 589
  • 第11章 11.1.1 構造のみだれと電子状態 589
  • 第11章 11.1.2 移動度端,移動度ギャップ 591
  • 第11章 11.1.3 光物性 592
  • 第11章 11.1.4 輸送現象 596
  • 第11章 11.2 作製法概要 田中一宜 599
  • 第11章 11.2.1 アモルファス構造と熱力学的考察 599
  • 第11章 11.2.2 液相凍結法 601
  • 第11章 11.2.3 気相凍結法 602
  • 第11章 11.3 アモルファスSi系材料 603
  • 第11章 11.3.1 水素化アモルファスSi 田中一宜 603
  • 第11章 11.3.2 価電子制御 岡本博明 605
  • 第11章 11.3.3 局在準位と評価法 大串秀世 607
  • 第11章 11.3.4 光劣化現象 嶋田寿一 610
  • 第11章 11.3.5 多層膜(人工格子)の物性 鯉沼秀臣,川崎雅司 612
  • 第11章 11.3.6 多元系材料 森本章治 615
  • 第11章 11.4 カルコゲナイド系材料 618
  • 第11章 11.4.1 構造と電子状態 清水立生 618
  • 第11章 11.4.2 構造欠陥と不純物 〃 620
  • 第11章 11.4.3 光誘起の諸現象 久米田稔 622
  • 第11章 11.4.4 多層膜の物性 清水立生 624
  • 第11章 11.5 種々の応用技術 625
  • 第11章 11.5.1 概要 丸山瑛一 625
  • 第11章 11.5.2 太陽電池 626
  • 第11章 11.5.3 電子写真 清水勇 626
  • 第11章 11.5.4 撮像管 627
  • 第11章 11.5.5 薄膜トランジスタ 松村正清 627
  • 第11章 11.5.6 各種センサ 桑野幸徳 628
  • 第11章 11.5.7 光記録媒体 丸山瑛一 630
  • 第11章 11.5.8 リソグラフィ 631
  • 第11章 11.5.9 その他の応用 内田喜之 631
  • 第11章 文献 632
  • 第12章 磁性材料 権藤靖夫,能勢宏,末沢慶孝
  • 第12章 12.1 磁性の基礎 639
  • 第12章 12.1.1 自発磁化 能勢宏 639
  • 第12章 12.1.2 磁気異方性 能勢宏 641
  • 第12章 12.1.3 磁歪 角野圭一 642
  • 第12章 12.1.4 磁区 末沢慶孝 643
  • 第12章 12.1.5 静的磁化過程 末沢慶孝 644
  • 第12章 12.1.6 動的磁化過程 角野圭一 645
  • 第12章 12.1.7 磁気共鳴 能勢宏 646
  • 第12章 12.1.8 電流磁気効果 牧野好美 648
  • 第12章 12.1.9 磁気光学効果 権藤靖夫 649
  • 第12章 12.1.10 薄膜・微粒子 能勢宏 650
  • 第12章 12.2 高透磁率材料 651
  • 第12章 12.2.1 金属ソフト材料 権藤靖夫 651
  • 第12章 12.2.2 フェライトソフト材料 権藤靖夫 652
  • 第12章 12.2.3 アモルファスソフト磁性材料 藤森啓安 654
  • 第12章 12.3 永久磁石材料 岩間義郎 658
  • 第12章 12.3.1 金属磁石 658
  • 第12章 12.3.2 フェライト磁石 660
  • 第12章 12.3.3 希土類磁石 661
  • 第12章 12.4 磁気記録 663
  • 第12章 12.4.1 磁気記録 中村慶久 663
  • 第12章 12.4.2 磁気バブル 杉田愃 667
  • 第12章 12.4.3 光磁気記録 今村修武 671
  • 第12章 12.5 磁気応用 673
  • 第12章 12.5.1 スイッチングレギュレータ,インダクタ,周波数変換 原田耕介 673
  • 第12章 12.5.2 磁気センサ 〃 675
  • 第12章 12.5.3 磁気分離 岡本祥一 676
  • 第12章 12.5.4 磁性流体 中塚勝人 677
  • 第12章 文献 678
  • 第13章 計測技術 森村正直,岡路正博
  • 第13章 13.1 計測システムの設計 森村正直 685
  • 第13章 13.1.1 測定誤差の要因と性質 685
  • 第13章 13.1.2 測定誤差の軽減対策 686
  • 第13章 13.1.3 高信頼度計測システムの設計法 687
  • 第13章 13.2 計測システムの要素 688
  • 第13章 13.2.1 センシング条件と極端条件 黒田正明 688
  • 第13章 13.2.2 センサ技術 森村正直 690
  • 第13章 13.2.3 信号処理システム 南茂夫 694
  • 第13章 13.2.4 データ処理と評価 南茂夫 701
  • 第13章 13.2.5 計測のための制御技術 北森俊行 706
  • 第13章 13.3 物理量の単位と標準 708
  • 第13章 13.3.1 国際単位系(SI) 増井敏郎 708
  • 第13章 13.3.2 基本単位とその実現 中段和宏 709
  • 第13章 13.3.3 基礎物理定数とその決定法 原宏 711
  • 第13章 13.4 物理量の計測技術 714
  • 第13章 13.4.1 幾何学量 松本弘一 714
  • 第13章 13.4.2 運動学量 原田謹爾 717
  • 第13章 13.4.3 力学量 大岩彰 719
  • 第13章 13.4.4 熱学量 桜井弘久 721
  • 第13章 13.4.5 電磁気量 菅野允 724
  • 第13章 文献 735
  • 第14章 極端環境技術 生嶋明,辻泰,三浦登
  • 第14章 14.1 低温技術 741
  • 第14章 14.1.1 はじめに 生嶋明 741
  • 第14章 14.1.2 低温生成 〃 742
  • 第14章 14.1.3 測温 奈良広一 753
  • 第14章 14.1.4 測定技術 生嶋明 755
  • 第14章 14.2 高温技術 鈴木賢次郎,遠藤裕久 756
  • 第14章 14.2.1 はじめに 756
  • 第14章 14.2.2 高温生成 757
  • 第14章 14.2.3 高温測定 759
  • 第14章 14.2.4 高温での物性測定 761
  • 第14章 14.3 強磁場技術 763
  • 第14章 14.3.1 はじめに 三浦登 763
  • 第14章 14.3.2 強磁場の発生 太刀川恭治,伊達宗行,中川康昭,藤原修三,三浦登 763
  • 第14章 14.3.3 磁場強度の測定 木戸義勇 771
  • 第14章 14.3.4 強磁場下の物質測定 後藤恒昭,三浦登 772
  • 第14章 14.4 高圧技術 774
  • 第14章 14.4.1 はじめに—高圧科学概説— 秋本俊一 774
  • 第14章 14.4.2 高圧力の発生 秋本俊一,庄野安彦 775
  • 第14章 14.4.3 高圧力の測定 秋本俊一 779
  • 第14章 14.4.4 高圧下の物性測定技術 毛利信男 782
  • 第14章 14.5 超高真空技術 786
  • 第14章 14.5.1 はじめに 辻泰 786
  • 第14章 14.5.2 基礎 岡野達雄 786
  • 第14章 14.5.3 測定技術 辻泰 788
  • 第14章 14.5.4 排気技術 小林正典 792
  • 第14章 14.5.5 真空材料 本間禎一 794
  • 第14章 14.5.6 部品と可動機構 岡野達雄,本間禎一 797
  • 文献 800
  • 索引 805
  • 記号索引 831

A body is to here

Copyright © 2012 National Diet Library. All Rights Reserved.

Foot is to here