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資料種別 図書

絶縁・誘電セラミックス : 製造と応用

詳細情報

タイトル 絶縁・誘電セラミックス : 製造と応用
シリーズ名 R&D ; no.81
出版地(国名コード) JP
出版地東京
出版社シーエムシー
出版年月日等 1985.8
大きさ、容量等 262p ; 27cm
注記 監修: 塩崎忠
注記 発売: ジスク
注記 各章末: 文献
価格 43000円 (税込)
JP番号 86015735
出版年(W3CDTF) 1985
件名(キーワード) 絶縁・絶縁材料
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件名(キーワード) 誘電材料
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件名(キーワード) セラミックス
NDLC ND97
NDC(8版) 541.65
対象利用者 一般
資料の種別 図書
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

目次
 

  • 絶縁・誘電セラミックス
  • 目次
  • 《基礎編》
  • 第1章 電気絶縁性と伝導性 塩笥忠
  • 1 はじめに 3
  • 2 導体・半導体・絶縁体の現象論 3
  • 2・1 導電率による分類 3
  • 2・2 絶縁性セラミックスの導電機構 4
  • 2・3 良伝導体と絶縁体の働き 4
  • 3 導体・半導体・絶縁体の電子論 5
  • 3・1 金属・絶縁体・半導体 5
  • 3・2 セラミックスの電気伝導 6
  • 3・3 比較的高抵抗セラミックスの電子伝導機構 7
  • 3・3・1 酸化物半導体などの伝導 7
  • 3・3・2 ポーラロンによる伝導 8
  • 3・3・3 ホッピング伝導 8
  • 3・3・4 温度による金属—絶縁体転移 9
  • 3・3・5 還元・酸化と原子価制御 9
  • 3・4 イオン伝導 10
  • 第2章 誘電性と強誘電性 塩崎忠
  • 1 絶縁体と誘電体 12
  • 2 誘電分極と自発分極 12
  • 3 誘電現象 13
  • 3・1 誘電分極と誘電率 13
  • 3・2 内部電界 14
  • 3・3 分極の機構 15
  • 3・3・1 電子分極Pe 15
  • 3・3・2 イオン分極Pi 16
  • 3・3・3 配向分極Po 16
  • 3・3・4 界面分極 17
  • 3・4 複素誘電率と誘電損失 19
  • 4 誘電率の周波数特性 20
  • 4・1 誘電緩和と誘電異常分散 20
  • 4・2 電子分極とイオン分極の周波数特性 22
  • 4・3 配向分極の周波数依存性 23
  • 4・4 界面分極の周波数特性 24
  • 5 強誘電性 25
  • 《材料編》
  • 第3章 絶縁性セラミックス
  • 1 酸化物系絶縁性セラミックス 吉田真 31
  • 1・1 はじめに 31
  • 1・2 酸化物系セラミックスの製造方法 31
  • 1・2・1 粉砕,混合 31
  • 1・2・2 乾燥 33
  • 1・2・3 成形 33
  • 1・2・4 焼成 34
  • 1・2・5 メタライズ 36
  • 1・3 アルミナセラミックス 36
  • 1・4 ムライト(3Al2O3・2SiO2) 41
  • 1・5 フォルステライト
  • (2MgO・SiO2) 43
  • 1・6 ステアタイト(MgO・SiO2) 44
  • 1・7 普通磁器 44
  • 1・8 ガラスセラミックス 45
  • 2 窒化物系セラミックス(AlN) 篠崎和夫,柘植章彦 49
  • 2・1 絶縁性セラミックスとしての窒化物 49
  • 2・2 窒化アルミニウムの概要 49
  • 2・3 絶縁基板材料としての窒化アルミニウムの位置付け 50
  • 2・4 窒化アルミニウムの製造と高熱伝導化 51
  • 2・5 窒化アルミニウムの応用 53
  • 2・5・1 厚膜多層基板 53
  • 2・5・2 DBC基板 53
  • 2・5・3 パッケージ 54
  • 2・6 おわりに 55
  • 3 炭化物系セラミックス(SiC) 浦満 57
  • 3・1 はじめに 57
  • 3・2 新SiC基板の製造方法 57
  • 3・3 新SiC基板の諸特性 59
  • 3・3・1 熱的特性 59
  • 3・3・2 電気的特性 61
  • 3・3・3 その他の特性 62
  • 3・4 メタライズ 63
  • 3・5 半導体実装への応用 63
  • 3・6 おわりに 63
  • 第4章 誘電性セラミックス 塩崎忠
  • 1 はじめに 65
  • 2 強誘電体 66
  • 2・1 強誘電体の分類 66
  • 2・2 ペロブスカイト構造 66
  • 2・3 チタン酸バリウム 67
  • 3 チタン酸バリウム磁器 69
  • 3・1 チタン酸バリウム磁器の誘電率 69
  • 3・2 チタン酸バリウムの変成 70
  • 4 磁器コンデンサー材料 72
  • 4・1 容量の特性による分類 72
  • 4・1・1 温度補償用磁器コンデンサー材料 72
  • 4・1・2 高誘電率磁器コンデンサー材料 72
  • 4・1・3 半導体磁器コンデンサー材料 74
  • 4・2 形状による分類と電極材料 75
  • 4・3 低温焼結と還元性雰囲気焼結 76
  • 4・3・1 液相焼結 76
  • 4・3・2 還元性雰囲気焼結 77
  • 《応用編》
  • 第5章 厚膜回路基板 大西洋一郎,飛田敏男
  • 1 厚膜回路基板の概要 81
  • 2 材料・プロセスと構成 81
  • 2・1 構造 82
  • 2・2 プロセス・材料 82
  • 3 素子形成 84
  • 3・1 素子設計 84
  • 3・1・1 導体 84
  • 3・1・2 多層配線部 84
  • 3・1・3 抵抗体 85
  • 3・2 厚膜形成 86
  • 3・2・1 印刷 86
  • 3・2・2 焼成 87
  • 3・2・3 トリミング 87
  • 3・2・4 検査 87
  • 4 材料・プロセスと特性・信頼性 87
  • 4・1 基板 87
  • 4・2 導体 88
  • 4・2・1 接着強度 88
  • 4・2・2 ハンダ付性・ハンダ耐熱性 89
  • 4・2・3 ボンディング性 89
  • 4・3 抵抗体 89
  • 4・4 誘電体 90
  • 4・4・1 クロスガラス 90
  • 4・4・2 オーバーガラス 90
  • 4・4・3 厚膜コンデンサ 90
  • 5 適用例と技術動向 91
  • 5・1 適用例 91
  • 5・1・1 自動車 91
  • 5・1・2 映像・音響機器 91
  • 5・1・3 コンピュータ・通信機器 91
  • 5・2 今後の技術動向 92
  • 5・2・1 高密度化技術 92
  • 5・2・2 新しい製造技術 93
  • 5・2・3 新しい材料技術 93
  • 第6章 薄膜回路基板 巽豊
  • 1 はじめに 961
  • 2 サーマルヘッド 96
  • 2・1 基本構造 96
  • 2・2 サーマルヘッド用基板 98
  • 2・2・1 発熱体領域 98
  • 2・2・2 導体領域 100
  • 3 おわりに 104
  • 第7章 多層回路基板 高見沢秀男
  • 1 はじめに 105
  • 2 厚膜印刷多層方法 106
  • 2・1 ペースト 107
  • 2・1・1 導体ペースト 107
  • 2・1・2 絶縁ペースト 108
  • 2・1・3 抵抗体ペースト 110
  • 2・2 プロセス技術 111
  • 2・2・1 スクリーン印刷技術 111
  • 2・2・2 焼成方法 112
  • 3 グリーンシート多層方法 113
  • 3・1 セラミック泥漿の作成 113
  • 3・2 成膜 114
  • 3・3 孔あけ 116
  • 3・4 印刷,積層 117
  • 3・5 焼結 118
  • 4 多層回路基板の応用 119
  • 4・1 大型コンピュータ用厚膜多層配線基板 119
  • 4・1・1 Au厚膜ペースト使用多層基板 119
  • 4・1・2 Cu厚膜ペースト使用多層基板 119
  • 4・1・3 厚膜多層CR基板 120
  • 4・1・4 グリーンシート法LSIマルチチップパッケージ 120
  • 4・1・5 低温焼結多層セラミック基板 122
  • 5 今後の動向 125
  • 第8章 セラミック・パッケージ 浦満
  • 1 パッケージの定義と分類 127
  • 2 パッケージ用セラミック材料への要請 130
  • 3 高熱伝導性ニュー・セラミックスのパッケージ実装への応用 131
  • 3・1 SiCセラミックスによるパッケージ 131
  • 3・1・1 ECLーLSIパッケージ 131
  • 3・1・2 バイポーラ・メモリICのマルチチップ・モジュール 133
  • 3・1・3 ピン・グリッド・アレイ・パッケージ 134
  • 3・1・4 半導体レーザのサブマウント 135
  • 3・2 AlNセラミックスによるパッケージ 137
  • 第9章 サージアブソーバ 内田秋夫,尾野幹也
  • 1 はじめに 139
  • 2 サージについて 140
  • 3 サージアブソーバの種類 141
  • 3・1 放電管型 141
  • 3・2 固体素子 142
  • 4 マイクロギャップサージアブソーバ 143
  • 4・1 マイクロギャップの放電特性 143
  • 4・1・1 マイクロギャップの放電電圧 143
  • 4・1・2 火花の遅れ 144
  • 4・2 マイクロギャップサージアブソーバ 145
  • 4・2・1 マイクロギャップサージアブソーバの特性 146
  • 5 サージアブソーバの基本回路 147
  • 6 おわりに 147
  • 第10章 マイクロ波用誘電体基板と導波路 藤野喜久男,田村博
  • 1 はじめに 149
  • 2 導波路 149
  • 2・1 同軸線路と導波管 149
  • 2・1・1 同軸線路 150
  • 2・1・2 導波管 151
  • 2・2 誘電体線路 151
  • 3 マイクロ波用誘電体基板 153
  • 3・1 アルミナ基板 154
  • 3・2 高誘電率系誘電体基板 155
  • 3・3 テフロン・ガラスクロス基板 155
  • 4 まとめ 156
  • 第11章 マイクロ波用誘電体立体回路 藤野喜久男,田村博
  • 1 はじめに 158
  • 2 誘電体共振器材料の特性 159
  • 2・1 マイクロ波帯における誘電特性 159
  • 2・2 誘電体共振器の特性 161
  • 3 誘電体共振器の使用法とその応用例 163
  • 3・l TE01δモード誘電体共振器 163
  • 3・2 TEMモード誘電体共振器 165
  • 3・3 応用例 166
  • 第12章 温度補償用セラミックコンデンサ(種類1) 小泉衛,井上純一
  • 1 温度補償用セラミックコンデンサの概要 169
  • 2 誘電体材料(常誘電体) 170
  • 3 構造(形状) 172
  • 4 種類 173
  • 5 製造方法 173
  • 6 性能規格 176
  • 7 用途別コンデンサ 179
  • 7・1 自動挿入機用コンデンサ(種類1,2,3共通) 179
  • 7・1・1 ラジアルテーピングコンデンサ 179
  • 7・1・2 アキシアルテーピングコンデンサ 181
  • 7・2 チューナ・カーラジオ用コンデンサ(種類1,2,3共通) 181
  • 7・2・1 貫通型コンデンサ 181
  • 7・2・2 クサビ型コンデンサ(種類1,2共通) 182
  • 7・2・3 円筒型コンデンサ(種類1,2.3共通) 182
  • 7・3 中高圧用セラミックコンデンサ(種類1,2共通) 183
  • 7・4 高圧電源用セラミックコンデンサ(種類1,2共通) 183
  • 7・5 高周波用電力用セラミックコンデンサ(種類1,2共通) 183
  • 7・6 超高周波用マイクロチップコンデンサ(種類1,2共通) 185
  • 7・7 トリマーコンデンサ 186
  • 8 今後の動向 187
  • 第13章 高誘電率セラミックコンデンサ(種類2) 小泉衛,井上純一
  • 1 高誘電率セラミックコンデンサの概要 188
  • 2 誘電体材料(強誘電体) 189
  • 3 構造(形状) 190
  • 4 種類 190
  • 5 製造方法 192
  • 6 性能規格 192
  • 7 用途別コンデンサ 193
  • 7・1 安全規格認定コンデンサ 193
  • 7・2 交流電源用コンデンサ 195
  • 7・3 低損失中高圧コンデンサ 196
  • 8 今後の動向 197
  • 第14章 半導体セラミックコンデンサ(種類3) 小泉衛,井上純一
  • 1 半導体セラミックコンデンサの概要 199
  • 2 誘電体材料(半導体) 200
  • 3 構造(形状) 200
  • 4 種類 200
  • 5 製造方法 202
  • 5・1 堰層形(接合容量形) 203
  • 5・2 表層形(還元再酸化形) 203
  • 5・3 粒界層形 203
  • 6 性能規格 204
  • 6・1 静電容量(C) 204
  • 6・2 誘電正接(DF,tanδ) 204
  • 6・3 絶縁低抗(IR) 204
  • 6・4 温度特性 206
  • 6・5 周波数特性(静電容量,誘電正接) 206
  • 6・6 周波数特性(インピーダンス) 206
  • 6・7 バイアス特性 206
  • 7 用途別特性とその展望 208
  • 7・1 低電圧大容量コンデンサ 208
  • 7・2 低損失,低歪率コンデンサ 208
  • 7・3 バリスタ性半導体コンデンサ 208
  • 8 今後の動向 209
  • 第15章積層コンデンサ 米沢正智
  • 1 はじめに 211
  • 2 規格 212
  • 3 容量範囲と寸法形状 214
  • 4 積層コンデンサ用誘電体材料 216
  • 5 積層コンデンサの製造法 216
  • 5・1 誘電体粉末の作成 216
  • 5・2 泥漿作成と成膜 217
  • 5・3 内部電極印刷と積層・切断 218
  • 5・4 脱バインダ熱処理と焼結 218
  • 5・5 外部電極 218
  • 6 最近の動向 218
  • 6・1 卑金層内部電極コンデンサ 219
  • 6・2 低温焼結コンデンサ 220
  • 6・3 大容量化への技術 223
  • 第16章 碍子,碍管 森田健児,松井宗吾
  • 1 はじめに 228
  • 2 種類と構造 228
  • 2・1 材質による分類 228
  • 2・1・1 磁器碍子 228
  • 2・1・2 ガラス碍子 229
  • 2・1・3 樹脂碍子(ノンセラミック碍子) 230
  • 2・2 構造による分類 230
  • 2・2・1 ピン碍子 231
  • 2・2・2 懸垂碍子 231
  • 2・2・3 長幹碍子 233
  • 2・2・4 ラインポスト碍子 233
  • 2・2・5 ステーションポスト碍子 234
  • 2・2・6 碍管 235
  • 3 製造方法 235
  • 3・1 磁器碍子の製作 235
  • 3・1・1 原料の粉砕・調合 236
  • 3・1・2 搾土 236
  • 3・1・3 成形 237
  • 3・1・4 乾燥 239
  • 3・1・5 施粕 239
  • 3・1・6 焼成 239
  • 4 性能 239
  • 4・1 電気的性能 240
  • 4・1・1 電撃 240
  • 4・1・2 開閉サージ 240
  • 4・1・3 汚損 241
  • 4・2 機械的性能 241
  • 4・2・1 強度設計 241
  • 4・2・2 疲労特性 242
  • 4・2・3 動的強度設計 242
  • 5 今後の課題 242
  • 6 おわりに 244
  • 第17章 スパークプラグと絶縁セラミック 加藤倫朗
  • 1 はじめに 245
  • 2 スパークプラグの構造と使用条件 245
  • 2・1 構造 245
  • 2・2 使用条件 246
  • 3 スパークプラグ用絶縁体 248
  • 3・1 絶縁体用セラミック材料 248
  • 3・2 アルミナ原料 250
  • 4 絶縁体の製造方法 251
  • 5 評価方法 251
  • 5 おわりに 254
  • 第18章 機能性ガラス窓 富永雅晴,木島駿
  • 1 ガラス組成 255
  • 2 表面処理 256
  • 2・1 前処理 256
  • 2・2 表面処理法 257
  • 2・2・1 無電解メッキ法(附ー複層ガラス) 257
  • 2・2・2 CLD(Chemical Liquid Deposition)法 257
  • 2・2・3 ホットスプレー法 257
  • 2・2・4 CVD(Chemical Vapour Deposition)法 258
  • 2・2・5 真空蒸着法 258
  • 2・2・6 スパッター法 258
  • 3 その他の機能性ガラス 261
  • 3・1 住宅用・学校用強化ガラス窓 261
  • 3・2 合わせガラス 261
  • 3・3 防火ガラス 261
  • 3・4 導電性ガラス窓 261
  • 3・5 結晶化ガラス・オパールガラス 262
  • 3・6 調光ガラス 262

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