分子線エピタキシー法によるGaAs/AlGaAs系光デバイスの高性能化に関する研究
インターネットで読む
すぐに読む
国立国会図書館デジタルコレクション
書店で探す
障害者向け資料で読む
目次
論文目録
目次
p1
第1章 序論
p1
1.1 本研究の背景と目的
p1
1.2 本論文の構成
p2
書店で探す
障害者向け資料で読む
- みなサーチ
- プレーンテキスト
みなサーチに登録・ログインで利用できます
書誌情報
この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。
- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- ブンシセン エピタキシーホウ ニ ヨル GaAs/AlGaAsケイ ヒカリ デバイス ノ コウセイノウカ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者・編者
- 浜中宏一 [著]
- 著者標目
- 浜中, 宏一 ハマナカ, コウイチ
- 授与機関名
- 慶應義塾大学
- 授与年月日
- 平成8年11月27日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1996
- 報告番号
- 乙第2977号
- 学位
- 博士 (工学)