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資料種別 記事・論文

High On/Off Ratio in Enhancement-Mode AlxGa1-xN/GaN Junction Heterostructure Field-Effect Transistors with P-Type GaN Gate Contact

Takahiro Fujii,Norio Tsuyukuchi,Motoaki Iwaya 他

詳細情報

タイトル High On/Off Ratio in Enhancement-Mode AlxGa1-xN/GaN Junction Heterostructure Field-Effect Transistors with P-Type GaN Gate Contact
著者 Takahiro Fujii
著者 Norio Tsuyukuchi
著者 Motoaki Iwaya 他
出版地(国名コード) JP
出版年(W3CDTF) 2006-10
件名(キーワード) JHFET
件名(キーワード) enhancement mode
件名(キーワード) leakage current
件名(キーワード) on/off ratio of drain-source current
NDLC ZM35
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000004245159-00
掲載誌情報(ISSN形式) 00214922
掲載誌情報(ISSN-L形式) 00214922
掲載誌名 Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters
掲載巻 45
掲載号 37-41
掲載通号 446
掲載ページ L1048~1050
言語(ISO639-2形式) eng : English

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