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資料種別 記事・論文

二次元デバイスシミュレーションによるn-チャネル低温poly-Si TFTの電界,キャリヤ分布

野上 幸里,矢島 稔久,佐藤 利文 他

詳細情報

タイトル 二次元デバイスシミュレーションによるn-チャネル低温poly-Si TFTの電界,キャリヤ分布
著者 野上 幸里
著者 矢島 稔久
著者 佐藤 利文 他
出版地(国名コード) JP
出版年(W3CDTF) 2006-04
件名(キーワード) n-チャネルPoly-SiTFT
件名(キーワード) デバイスシミュレーション
件名(キーワード) 電界分布
件名(キーワード) キャリヤ分布
件名(キーワード) ホットキャリヤ劣化
件名(キーワード) poly-Si TFT
件名(キーワード) Device Simulation
件名(キーワード) Electric Field
件名(キーワード) Carrier Concentration
件名(キーワード) Hot-carrier degradation
NDLC ZN33
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSN-L形式) 09135685
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
掲載巻 106
掲載号 7
掲載ページ 39~44
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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