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資料種別 記事・論文

Emission Properties of InGaAsSbN Quantum Well Laser Diodes in 2μm Wavelength Region Grown on InP Substrates

Yuichi Kawamura,Tomokatsu Nakagawa,Naohisa Inoue

詳細情報

タイトル Emission Properties of InGaAsSbN Quantum Well Laser Diodes in 2μm Wavelength Region Grown on InP Substrates
著者 Yuichi Kawamura
著者 Tomokatsu Nakagawa
著者 Naohisa Inoue
シリーズ名 Special Issue: Solid State Devices & Materials
出版地(国名コード) JP
出版年(W3CDTF) 2006-04
件名(キーワード) InP
件名(キーワード) MBE
NDLC ZM35
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000159719-00
掲載誌情報(ISSN形式) 00214922
掲載誌情報(ISSN-L形式) 00214922
掲載誌名 Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
掲載巻 45
掲載巻 Special Issue
掲載号 4B
掲載通号 631
掲載ページ 3453~3456
言語(ISO639-2形式) eng : English

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