サイトメニューここからこのページの先頭です

ショートカットキーの説明を開始します。画面遷移や機能実行は、説明にあるショートカットキーを同時に押した後、Enterキーを押してください。ショートカットキーの説明を聞くには、Alt+0。トップ画面の表示には、Alt+1。ログインを行うには、Alt+2。簡易検索画面の表示には、Alt+3。詳細検索画面の表示には、Alt+4。障害者向け資料検索画面の表示には、Alt+5。検索結果の並び替えを行うには、Alt+6。国立国会図書館ホームページの表示には、Alt+7。検索結果の絞り込みを行うには、Alt+8。以上でショートカットキーの説明を終わります。

ナビゲーションここから

ナビゲーションここまで

本文ここから

資料種別 記事・論文

Reliability and Memory Characteristics of Sequential Laterally Solidified Low Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors with an Oxide-Nitride-Oxide Stack Gate Dielectric

Szu-I Hsieh,Hung-Tse Chen,Yu-Cheng Chen 他

詳細情報

タイトル Reliability and Memory Characteristics of Sequential Laterally Solidified Low Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors with an Oxide-Nitride-Oxide Stack Gate Dielectric
著者 Szu-I Hsieh
著者 Hung-Tse Chen
著者 Yu-Cheng Chen 他
シリーズ名 Special Issue: Solid State Devices & Materials
出版地(国名コード) JP
出版年(W3CDTF) 2006-04
件名(キーワード) low-temperature polycrystalline Silicon
件名(キーワード) LTPS
件名(キーワード) thin film transistor
件名(キーワード) TFT
件名(キーワード) sequential lateral solidification
件名(キーワード) SLS
件名(キーワード) ONO
件名(キーワード) metal-oxide-nitride-oxide-silicon
件名(キーワード) MONOS
NDLC ZM35
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000159719-00
掲載誌情報(ISSN形式) 00214922
掲載誌情報(ISSN-L形式) 00214922
掲載誌名 Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
掲載巻 45
掲載巻 Special Issue
掲載号 4B
掲載通号 631
掲載ページ 3154~3158
言語(ISO639-2形式) eng : English

本文ここまで

Copyright © 2012 National Diet Library. All Rights Reserved.

フッター ここまで