Investigation and Modeling of Stress Interactions on 90nm Silicon on Insulator Complementary Metal Oxide Semiconductor by Various Mobility Enhancement Approaches (Special Issue: Solid State Devices & Materials)

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Investigation and Modeling of Stress Interactions on 90nm Silicon on Insulator Complementary Metal Oxide Semiconductor by Various Mobility Enhancement Approaches(Special Issue: Solid State Devices & Materials)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
7894554
資料種別
記事
著者
Chien-Ting Linほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2006-04
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 45(4B) (通号 631) (Special Issue) 2006.4
掲載ページ
p.3049~3052
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資料詳細

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Chien-Ting Lin
Yean-Kuen Fang
Wen-Kuan Yeh 他
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
45(4B) (通号 631) (Special Issue) 2006.4
掲載巻
45
掲載号
4B
掲載通号
631