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資料種別 記事・論文

Investigation and Modeling of Stress Interactions on 90nm Silicon on Insulator Complementary Metal Oxide Semiconductor by Various Mobility Enhancement Approaches

Chien-Ting Lin,Yean-Kuen Fang,Wen-Kuan Yeh 他

詳細情報

タイトル Investigation and Modeling of Stress Interactions on 90nm Silicon on Insulator Complementary Metal Oxide Semiconductor by Various Mobility Enhancement Approaches
著者 Chien-Ting Lin
著者 Yean-Kuen Fang
著者 Wen-Kuan Yeh 他
シリーズ名 Special Issue: Solid State Devices & Materials
出版地(国名コード) JP
出版年(W3CDTF) 2006-04
件名(キーワード) contact etch stop layer
件名(キーワード) length of diffusion
件名(キーワード) mobility enhancement
NDLC ZM35
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000159719-00
掲載誌情報(ISSN形式) 00214922
掲載誌情報(ISSN-L形式) 00214922
掲載誌名 Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
掲載巻 45
掲載巻 Special Issue
掲載号 4B
掲載通号 631
掲載ページ 3049~3052
言語(ISO639-2形式) eng : English

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