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資料種別 記事・論文

SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128M ビットDRAM

大澤 隆,藤田 勝之,初田 幸輔 他

詳細情報

タイトル SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128M ビットDRAM
著者 大澤 隆
著者 藤田 勝之
著者 初田 幸輔 他
シリーズ名 ISSCC特集2 DRAM
出版地(国名コード) JP
出版年(W3CDTF) 2005-04-14
件名(キーワード) キャパシタレスDRAM
件名(キーワード) エンベデッドメモリ
件名(キーワード) Capacitor-less DRAM
件名(キーワード) Gain cell
件名(キーワード) Embedded Memory
NDLC ZN33
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSN-L形式) 09135685
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
掲載巻 105
掲載号 1
掲載ページ 23~28
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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