从网站菜单这儿是这个页的前头

快捷键的操作方法如下。跳转页面和执行功能需要同时按下下面的快捷键之后再按下Enter键:听快捷键的操作方法,按下Alt和0键。跳转到首页,按下Alt和1键。登录,按下Alt和2键。跳转到简易检索,按下Alt和3键。跳转到高级检索,按下Alt和4键。跳转到面向残疾人的资料检索,按下Alt和5键。排序检索结果,按下Alt和6键。跳转到国立国会图书馆首页,按下Alt和7键。对检索结果进行过滤,按下Alt和8键。以上是快捷键的操作方法。

从导航这儿

到导航这儿

从本文这儿

资料类别 記事・論文

Analytical model of the trap-density-dependent programming characteristics of MONOS memories and its application to a MONS memory

野本 和正,藤原 一郎,青笹 浩 他

书目信息

题名 Analytical model of the trap-density-dependent programming characteristics of MONOS memories and its application to a MONS memory
著者 野本 和正
著者 藤原 一郎
著者 青笹 浩 他
出版地(国名编码) JP
另外题名 MONOSメモリのトラップ密度に依存したプログラム特性の解析モデルとMONSメモリへの応用
出版年(W3CDTF) 2002-01-22
主题(关键字) MONOSメモリ
主题(关键字) 窒化膜
主题(关键字) トラップ
主题(关键字) Si-H結合
主题(关键字) プログラム特性
主题(关键字) トンネリング
主题(关键字) MONOS memory
主题(关键字) nitride
主题(关键字) trap
主题(关键字) Si-H bond
主题(关键字) programming characteristics
主题(关键字) tunneling
NDLC ZN33
阅读对象 一般
资料的类别 記事・論文
刊载杂志的信息 (URI形式) https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
刊载杂志的信息 (ISSN形式) 09135685
刊载杂志的信息 (ISSN-L形式) 09135685
刊载杂志名 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
刊载卷 101
刊载号 573
刊载页 49~54
语言(ISO639-2形式) eng : English

到本文这儿

Copyright © 2012 National Diet Library. All Rights Reserved.

到页脚这儿