사이트 메뉴 여기에서이 페이지의 선두입니다

바로 가기 키에 대한 설명을 시작합니다. 화면 전환이나 기능 실행은 설명에 나오는 바로 가기 키를 동시에 누른 후 Enter 키를 누르십시오. 바로 가기 키에 대한 설명을 들으려면  Alt +0. 메인 화면을 표시하려면 Alt +1. 로그인을 하려면 Alt +2. 간이검색 화면을 표시하려면 Alt +3. 상세검색 화면을 표시하려면 Alt +4. 장애인을 위한 자료검색 화면을 표시하려면 Alt +5. 검색 결과를 정렬하려면, Alt +6. 국립국회도서관 홈페이지를 표시하려면 Alt +7. 결과내 검색을 하기 위해서는 Alt +8. 바로 가기 키에 대한 설명은 이상입니다.

네비게이션 여기에서

네비게이션 여기까지

본문 여기에서

자료 종별 記事・論文

Analytical model of the trap-density-dependent programming characteristics of MONOS memories and its application to a MONS memory

野本 和正,藤原 一郎,青笹 浩 他

서지정보

타이틀 Analytical model of the trap-density-dependent programming characteristics of MONOS memories and its application to a MONS memory
책임표시 野本 和正
책임표시 藤原 一郎
책임표시 青笹 浩 他
출판 지명(국명 코드) JP
별 타이틀 MONOSメモリのトラップ密度に依存したプログラム特性の解析モデルとMONSメモリへの応用
출판 년도(W3CDTF) 2002-01-22
건명(키워드) MONOSメモリ
건명(키워드) 窒化膜
건명(키워드) トラップ
건명(키워드) Si-H結合
건명(키워드) プログラム特性
건명(키워드) トンネリング
건명(키워드) MONOS memory
건명(키워드) nitride
건명(키워드) trap
건명(키워드) Si-H bond
건명(키워드) programming characteristics
건명(키워드) tunneling
NDLC ZN33
대상이용자 一般
자료 종별 記事・論文
게재지 정보. (URI 형식) https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
게재지 정보. (ISSN 형식) 09135685
게재지 정보. (ISSN-L 형식) 09135685
게재지명 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
게재 권 101
게재 호 573
게재 페이지 49~54
언어(ISO639-2 형식) eng : English

본문 여기까지

Copyright © 2012 National Diet Library. All Rights Reserved.

풋터 여기까지