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資料種別 記事・論文

Characteristics of Tunneling Nitride Grown by Electron Cyclotron Resonance Nitrogen-Plasma Nitridation and Its Application to Low-Voltage Electrical Erasable-Programmable Read-Only Memory

Kyeong-Sik Min,Jin-Yong Chung,Kwyro Lee

詳細情報

タイトル Characteristics of Tunneling Nitride Grown by Electron Cyclotron Resonance Nitrogen-Plasma Nitridation and Its Application to Low-Voltage Electrical Erasable-Programmable Read-Only Memory
著者 Kyeong-Sik Min
著者 Jin-Yong Chung
著者 Kwyro Lee
シリーズ名 Solid State Devices & Materials
出版地(国名コード) JP
出版年(W3CDTF) 2001-04
件名(キーワード) tunneling insulator
件名(キーワード) ECR
件名(キーワード) low-voltage programming
件名(キーワード) EEPROM
NDLC ZM35
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000159719-00
掲載誌情報(ISSN形式) 00214922
掲載誌情報(ISSN-L形式) 00214922
掲載誌名 Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
掲載巻 40
掲載巻 増刊
掲載号 4B
掲載通号 538
掲載ページ 2963~2968
言語(ISO639-2形式) eng : English

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