Influences of Residual Chlorine in CVD-TiN Gate Electrode on the Gate Oxide Reliability in Multiple-Thickness Oxide Technology (Solid State Devices & Materials)

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Influences of Residual Chlorine in CVD-TiN Gate Electrode on the Gate Oxide Reliability in Multiple-Thickness Oxide Technology(Solid State Devices & Materials)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
5783133
資料種別
記事
著者
Masaru Moriwakiほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2001-04
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 40(4B) (通号 538) (増刊) 2001.4
掲載ページ
p.2679~2684
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資料詳細

要約等:

Influences of the chemical vapor deposition (CVD)-TiN gate process on gate oxide integrity have been studied. The gate leakage characteristic and reli...

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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Masaru Moriwaki
Takayuki Yamada
シリーズタイトル
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
40(4B) (通号 538) (増刊) 2001.4
掲載巻
40
掲載号
4B
掲載通号
538