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資料種別 記事・論文

Atomic Layer Deposition- and Chemical Vapor Deposition-TiN Top Electrode Optimization for the Reliability of Ta2O5 and Al2O3 Metal Insulator Silicon Capacitor for 0.13μm Technology and Beyond

Hyun Seok Lim,Sang Bom Kanag,In Sang Jeon 他

詳細情報

タイトル Atomic Layer Deposition- and Chemical Vapor Deposition-TiN Top Electrode Optimization for the Reliability of Ta2O5 and Al2O3 Metal Insulator Silicon Capacitor for 0.13μm Technology and Beyond
著者 Hyun Seok Lim
著者 Sang Bom Kanag
著者 In Sang Jeon 他
シリーズ名 Solid State Devices & Materials
出版地(国名コード) JP
出版年(W3CDTF) 2001-04
件名(キーワード) MIS
件名(キーワード) chlorine
件名(キーワード) step coverage
件名(キーワード) ALD
件名(キーワード) CVD
件名(キーワード) TDDB
件名(キーワード) XPS
件名(キーワード) Vp
NDLC ZM35
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000159719-00
掲載誌情報(ISSN形式) 00214922
掲載誌情報(ISSN-L形式) 00214922
掲載誌名 Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
掲載巻 40
掲載巻 増刊
掲載号 4B
掲載通号 538
掲載ページ 2669~2673
言語(ISO639-2形式) eng : English

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