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資料種別 記事・論文

原子層吸着拡散法による極浅接合の形成とサブ0.1μm MOSトランジスタの試作

朴 起台,裴 志哲,高 光旭 他

詳細情報

タイトル 原子層吸着拡散法による極浅接合の形成とサブ0.1μm MOSトランジスタの試作
著者 朴 起台
著者 裴 志哲
著者 高 光旭 他
出版地(国名コード) JP
出版年(W3CDTF) 2000-08-25
件名(キーワード) Shallow-junction
件名(キーワード) UHV-CVD
件名(キーワード) Atomic-layer doping
件名(キーワード) RTA
件名(キーワード) LA
件名(キーワード) Sub-0.1μmMOSFET
NDLC ZN33
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSN-L形式) 09135685
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
掲載巻 100
掲載号 270
掲載ページ 57~63
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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