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資料種別 記事・論文

再結合促進欠陥反応を用いたInGaAs/AlGaAs PHEMTのRIEダメージ回復過程

星 真一,和泉 貴之,大島 知之 他

詳細情報

タイトル 再結合促進欠陥反応を用いたInGaAs/AlGaAs PHEMTのRIEダメージ回復過程
著者 星 真一
著者 和泉 貴之
著者 大島 知之 他
シリーズ名 化合物及びシリコン半導体デバイスとプロセス技術(ヘテロ,MIS,ショットキー接合,微細加工)
出版地(国名コード) JP
出版年(W3CDTF) 2000-07-27
件名(キーワード) InGaAs/AlGaAs PHEMT
件名(キーワード) RIE damage
件名(キーワード) recombination enhanced defect reaction
NDLC ZN33
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSN-L形式) 09135685
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
掲載巻 100
掲載号 235
掲載ページ 11~16
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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