Suppression of Parasitic MOSFETs at LOCOS Edge Region in Partially Depleted SOI MOSFETs (Solid State Devices and Materials)

記事を表すアイコン

Suppression of Parasitic MOSFETs at LOCOS Edge Region in Partially Depleted SOI MOSFETs(Solid State Devices and Materials)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
4196682
資料種別
記事
著者
Akihiko Yasuokaほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
1997-03
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 36(3B) 1997.03
掲載ページ
p.1631~1635
すべて見る

資料詳細

要約等:

The fixed oxide charge at a SOI/buried oxide interface and the fixed oxide charge in the LOCOS (LOCal Oxidation of Silicon) edge region are analyzed b...

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    デジタル
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Akihiko Yasuoka
Toshiaki Iwamatsu
Takashi Ipposhi 他
シリーズタイトル
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
36(3B) 1997.03
掲載巻
36
掲載号
3B
掲載ページ
1631~1635