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雑誌Japanese journal of applied physics Part. 1 Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号Part. 1 Part. 1 36(3B)(457);MARCH 1997
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A New Model Silicon/Silicon Oxide Interface Synthesized from H10Si10O15 and Si(100)-2×1 (Solid State Devices and Materials)

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CiNii Research

A New Model Silicon/Silicon Oxide Interface Synthesized from H10Si10O15 and Si(100)-2×1(Solid State Devices and Materials)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
4196680
資料種別
記事
著者
K.Z. Zhangほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
1997-03
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 36(3B) 1997.03
掲載ページ
p.1622～1626
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資料詳細

要約等：

A model silicon/silicon oxide interface, synthesized from the spherosiloxane H<SUB>10</SUB>Si<SUB>10</SUB>O<SUB>15</SUB> and Si(100)-2× 1, has been ch...

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デジタル

資料種別
記事
タイトル
A New Model Silicon/Silicon Oxide Interface Synthesized from H10Si10O15 and Si(100)-2×1
著者・編者
K.Z. Zhang
Leah M. Meeuwenberg
Mark M.Banaszak Holl 他
シリーズタイトル
Solid State Devices and Materials
著者標目
K.Z. Zhang
Leah M. Meeuwenberg
Mark M.Banaszak Holl
タイトル（掲載誌）
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）
36(3B) 1997.03
掲載巻
36
掲載号
3B
掲載ページ
1622～1626