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資料種別 記事・論文

The Increase of the Native Oxide Thickness on H-Terminated Si Surfaces by Gaseous Contamination in a Clean Room Atmosphere

Toshihiko Itoga,Hisao Kojima,Jiro Yugami 他

詳細情報

タイトル The Increase of the Native Oxide Thickness on H-Terminated Si Surfaces by Gaseous Contamination in a Clean Room Atmosphere
著者 Toshihiko Itoga
著者 Hisao Kojima
著者 Jiro Yugami 他
シリーズ名 Solid State Devices and Materials
出版地(国名コード) JP
出版年(W3CDTF) 1997-03
NDLC ZM35
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000159719-00
掲載誌情報(ISSN形式) 00214922
掲載誌情報(ISSN-L形式) 00214922
掲載誌名 Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
掲載巻 36
掲載号 3B
掲載ページ 1578~1581
言語(ISO639-2形式) eng : English

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