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雑誌Japanese journal of applied physics Part. 1 Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号Part. 1 Part. 1 36(3B)(457);MARCH 1997
記事Reduction ...

Reduction of Charge Build-Up during Reactive Ion Etching by Using Silicon-On-Insulator Structures (Solid State Devices and Materials)

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CiNii Research

Reduction of Charge Build-Up during Reactive Ion Etching by Using Silicon-On-Insulator Structures(Solid State Devices and Materials)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
4196656
資料種別
記事
著者
Kiyoshi Aritaほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
1997-03
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 36(3B) 1997.03
掲載ページ
p.1505～1508
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資料詳細

要約等：

The charge build-up of silicon-on-insulator (SOI) structures during reactive ion etching has been investigated. The charge build-up was evaluated by u...

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デジタル

資料種別
記事
タイトル
Reduction of Charge Build-Up during Reactive Ion Etching by Using Silicon-On-Insulator Structures
著者・編者
Kiyoshi Arita
Masashi Akamatsu
Tanemasa Asano
シリーズタイトル
Solid State Devices and Materials
著者標目
Kiyoshi Arita
Masashi Akamatsu
Tanemasa Asano
タイトル（掲載誌）
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）
36(3B) 1997.03
掲載巻
36
掲載号
3B
掲載ページ
1505～1508