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資料種別 記事・論文

半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ

田辺 克明,渡邉 克之,荒川 泰彦

詳細情報

タイトル 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ
著者 田辺 克明
著者 渡邉 克之
著者 荒川 泰彦
シリーズ名 電子部品・材料
出版地(国名コード) JP
別タイトル 1.3μm InAs/GaAs quantum dot lasers on Si substrates by direct semiconductor bonding
出版年(W3CDTF) 2011-08
件名(キーワード) 量子ドット
件名(キーワード) 半導体レーザ
件名(キーワード) シリコンフォトニクス
件名(キーワード) ウェハ貼り合わせ
件名(キーワード) Quantum Dots
件名(キーワード) Semiconductor Lasers
件名(キーワード) Silicon Photonics
件名(キーワード) Wafer Bonding
NDLC ZN33
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSN-L形式) 09135685
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
掲載巻 111
掲載号 184
掲載ページ 53~58
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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