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資料種別 記事・論文

GaAs(001)上のAlNスパッタ堆積およびAl2O3原子層堆積における表面前処理の効果

工藤 昌宏,Hong-An Shih,赤堀 誠志 他

詳細情報

タイトル GaAs(001)上のAlNスパッタ堆積およびAl2O3原子層堆積における表面前処理の効果
著者 工藤 昌宏
著者 Hong-An Shih
著者 赤堀 誠志 他
シリーズ名 電子デバイス
出版地(国名コード) JP
別タイトル Effects of surface pre-treatments for AlN sputtering and Al2O3 atomic layer depositions on GaAs(001)
出版年(W3CDTF) 2011-07
件名(キーワード) AlN/GaAs(001)
件名(キーワード) Al2O3/GaAs(001)
件名(キーワード) スパッタ堆積
件名(キーワード) 原子層堆積
件名(キーワード) XPS
件名(キーワード) C-V特性
件名(キーワード) 周波数分散
件名(キーワード) 界面準位
件名(キーワード) sputtering deposition
件名(キーワード) atomic layer deposition
件名(キーワード) C-V characteristics
件名(キーワード) frequency dispersion
件名(キーワード) interface states
NDLC ZN33
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSN-L形式) 09135685
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
掲載巻 111
掲載号 167
掲載ページ 25~30
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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