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資料種別 記事・論文

Semiconductor-metal transition and band-gap tuning in quasi-free-standing epitaxial bilayer graphene on SiC

Katsuaki Sugawara,Takafumi Sato,Kohei Kanetani 他

詳細情報

タイトル Semiconductor-metal transition and band-gap tuning in quasi-free-standing epitaxial bilayer graphene on SiC
著者 Katsuaki Sugawara
著者 Takafumi Sato
著者 Kohei Kanetani 他
出版地(国名コード) JP
出版年(W3CDTF) 2011-02
件名(キーワード) bilayer graphene
件名(キーワード) hydrogen
件名(キーワード) band gap
件名(キーワード) potassium
NDLC ZM35
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000118709-00
掲載誌情報(ISSN形式) 00319015
掲載誌情報(ISSN-L形式) 00319015
掲載誌名 Journal of the Physical Society of Japan
掲載巻 80
掲載号 2
掲載ページ 024705-1~4
言語(ISO639-2形式) eng : English

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