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資料種別 記事・論文

SOI基板を用いたSi-MESFETの電流電圧特性

阿部 俊幸,田主 裕一朗,黒木 伸一郎 他

詳細情報

タイトル SOI基板を用いたSi-MESFETの電流電圧特性
著者 阿部 俊幸
著者 田主 裕一朗
著者 黒木 伸一郎 他
シリーズ名 シリコン材料・デバイス
出版地(国名コード) JP
別タイトル Current voltage characteristics of Si-MESFET on SOI substrate
出版年(W3CDTF) 2009-10
件名(キーワード) MESFET
件名(キーワード) ダブルゲート
件名(キーワード) ショットキー障壁
件名(キーワード) MS接合
件名(キーワード) リーク電流
件名(キーワード) Double Gate
件名(キーワード) Schottky Barrier
件名(キーワード) Metal Semiconductor Junction
件名(キーワード) Leakage Current
NDLC ZN33
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSN-L形式) 09135685
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
掲載巻 109
掲載号 257
掲載ページ 27~30
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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