記事・論文
| タイトル | 招待講演 酸化物半導体InGaZnOx薄膜トランジスタの特性制御 |
|---|---|
| 著者 | 古田 守 |
| 著者 | Aman S G Mehadi |
| 著者 | 是友 大地 |
| 著者 | 曲 勇作 |
| シリーズ名 | 有機エレクトロニクス |
| 出版地（国名コード） | JP |
| 出版年(W3CDTF) | 2018-04 |
| 件名（キーワード） | InGaZnOx (IGZO) |
| 件名（キーワード） | 薄膜トランジスタ (TFT) |
| 件名（キーワード） | 特性制御 |
| 件名（キーワード） | ドーピング |
| NDLC | ZN33 |
| 対象利用者 | 一般 |
| 資料の種別 | 記事・論文 |
| 掲載誌情報（URI形式） | https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00 |
| 掲載誌情報（ISSN形式） | 09135685 |
| 掲載誌情報（ISSN-L形式） | 09135685 |
| 掲載誌名 | 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 |
| 掲載巻 | 118 |
| 掲載号 | 2 |
| 掲載ページ | 25-28 |
| 言語（ISO639-2形式） | jpn : 日本語 |
