記事・論文
| タイトル | FETドレーン・ゲート帰還容量のマイクロ波電力増幅特性への影響 |
|---|---|
| 著者 | 高山 洋一郎 |
| 著者 | 本城 和彦 |
| 著者 | 石川 亮 |
| シリーズ名 | マイクロ波 |
| 出版地（国名コード） | JP |
| 出版地 | 東京 |
| 出版社 | 電子情報通信学会 |
| 出版年月日等 | 117(291):2017.11.9・10 |
| 別タイトル | Effects of FET Drain-Gate Feedback Capacitance on Output Power and Power Efficiency of Microwave Power Amplifier |
| 出版年(W3CDTF) | 2017-11 |
| 件名（キーワード） | マイクロ波電力増幅器 |
| 件名（キーワード） | FET |
| 件名（キーワード） | 帰還容量 |
| 件名（キーワード） | 増幅器電力効率 |
| 件名（キーワード） | Microwave power amplifier |
| 件名（キーワード） | Feedback capacitance |
| 件名（キーワード） | Power efficiency |
| NDLC | ZN33 |
| 対象利用者 | 一般 |
| 資料の種別 | 記事・論文 |
| 掲載誌情報（URI形式） | https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00 |
| 掲載誌情報（ISSN形式） | 09135685 |
| 掲載誌情報（ISSN-L形式） | 09135685 |
| 掲載誌名 | 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 |
| 掲載巻 | 117 |
| 掲載号 | 291 |
| 掲載ページ | 45-49 |
| 言語（ISO639-2形式） | jpn : 日本語 |
