記事・論文
| タイトル | パワーモジュールの配線構造を考慮した等価回路モデル化とMOSFETにおけるドレイン電流とゲート電圧の過渡応答に関する一検討 : ターンオン動作におけるドレイン電流とゲート電圧の過渡応答のモデル化 |
|---|---|
| 著者 | 吉竹 徹真 |
| 著者 | 舟木 剛 |
| シリーズ名 | 電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術 |
| 出版地（国名コード） | JP |
| 出版地 | 東京 |
| 出版社 | 電気学会 |
| 出版年月日等 | 2014(112-127):2014.10.30 |
| 別タイトル | A study on equivalent circuit modeling of power module with considering wiring structure and analysis of transient response in drain current and gate voltage for MOSFET : Modeling of transient response of drain current and gate voltage for turn-on operation |
| 出版年(W3CDTF) | 2014-10-30 |
| 件名（キーワード） | パワーモジュール |
| 件名（キーワード） | 配線構造 |
| 件名（キーワード） | パワーMOSFET |
| 件名（キーワード） | 誘導電圧 |
| 件名（キーワード） | 配線インダクタンス |
| 件名（キーワード） | 等価回路モデル |
| 件名（キーワード） | power module |
| 件名（キーワード） | wiring structure |
| 件名（キーワード） | power MOSFET |
| 件名（キーワード） | induced voltage |
| 件名（キーワード） | wiring inductance |
| 件名（キーワード） | equivalent circuit model |
| NDLC | ZN32 |
| 対象利用者 | 一般 |
| 資料の種別 | 記事・論文 |
| 掲載誌情報（URI形式） | https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000047013-00 |
| 掲載誌名 | 電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編] |
| 掲載巻 | 2014 |
| 掲載号 | 112-127 |
| 掲載ページ | 77-82 |
| 言語（ISO639-2形式） | jpn : 日本語 |
