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資料種別 記事・論文

絶縁ゲート型トランジスタに向けた絶縁体/窒化物半導体界面形成プロセスの検討

近藤 佑隆,篠原 正俊,彦坂 朋輝,馬場 真人,岡田 浩,関口 寛人,山根 啓輔,若原 昭浩

詳細情報

タイトル 絶縁ゲート型トランジスタに向けた絶縁体/窒化物半導体界面形成プロセスの検討
著者 近藤 佑隆
著者 篠原 正俊
著者 彦坂 朋輝
著者 馬場 真人
著者 岡田 浩
著者 関口 寛人
著者 山根 啓輔
著者 若原 昭浩
シリーズ名 シリコン材料・デバイス
出版地(国名コード) JP
別タイトル Investigation of interface formation process between insulator and nitride-semiconductor for insulated gate transistors
出版年(W3CDTF) 2016-05
件名(キーワード) AlGaN/GaNトランジスタ
件名(キーワード) 表面処理
件名(キーワード) XPS
件名(キーワード) C-V特性
件名(キーワード) MIS gate
件名(キーワード) AlGaN/GaN transistor
件名(キーワード) surface treatment
件名(キーワード) C-V characteristics
NDLC ZN33
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSN-L形式) 09135685
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
掲載巻 116
掲載号 50
掲載ページ 19-23
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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