4H-SiC BJTの電流増幅率の温度依存性 (シリコン材料・デバイス)

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4H-SiC BJTの電流増幅率の温度依存性

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
026035399
資料種別
記事
著者
浅田 聡志ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2014-12-12
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(360):2014.12.12
掲載ページ
p.115-118
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
浅田 聡志
奥田 貴史
木本 恒暢 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
Temperature Dependence of Current Gain in 4H-SiC BJTs
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
114(360):2014.12.12
掲載巻
114
掲載号
360