記事・論文
| タイトル | 抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 : 第一原理分子動力学法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析 |
|---|---|
| 著者 | 森山 拓洋 |
| 著者 | 山崎 隆浩 |
| 著者 | 大野 隆央 他 |
| シリーズ名 | 電子ディスプレイ |
| 出版地（国名コード） | JP |
| 別タイトル | Study on Formative Mechanism of Conductive Path in Resistive Random Access Memory (ReRAM) : Analyses of Various NiO Surface States Using Ab Initio Calculations |
| 出版年(W3CDTF) | 2014-12-12 |
| 件名（キーワード） | 抵抗変化メモリ |
| 件名（キーワード） | ReRAM |
| 件名（キーワード） | 第一原理計算 |
| 件名（キーワード） | NiO |
| 件名（キーワード） | 表面エネルギー密度 |
| 件名（キーワード） | Resistive Random Access Memory |
| 件名（キーワード） | First-principles calculation |
| 件名（キーワード） | Density of surface energy |
| NDLC | ZN33 |
| 対象利用者 | 一般 |
| 資料の種別 | 記事・論文 |
| 掲載誌情報（URI形式） | https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00 |
| 掲載誌情報（ISSN形式） | 09135685 |
| 掲載誌情報（ISSN-L形式） | 09135685 |
| 掲載誌名 | 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 |
| 掲載巻 | 114 |
| 掲載号 | 359 |
| 掲載ページ | 135-138 |
| 言語（ISO639-2形式） | jpn : 日本語 |
