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資料種別 記事・論文

抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 : 第一原理分子動力学法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析

森山 拓洋,山崎 隆浩,大野 隆央 他

詳細情報

タイトル 抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 : 第一原理分子動力学法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析
著者 森山 拓洋
著者 山崎 隆浩
著者 大野 隆央 他
シリーズ名 電子ディスプレイ
出版地(国名コード) JP
別タイトル Study on Formative Mechanism of Conductive Path in Resistive Random Access Memory (ReRAM) : Analyses of Various NiO Surface States Using Ab Initio Calculations
出版年(W3CDTF) 2014-12-12
件名(キーワード) 抵抗変化メモリ
件名(キーワード) ReRAM
件名(キーワード) 第一原理計算
件名(キーワード) NiO
件名(キーワード) 表面エネルギー密度
件名(キーワード) Resistive Random Access Memory
件名(キーワード) First-principles calculation
件名(キーワード) Density of surface energy
NDLC ZN33
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000050569-00
掲載誌情報(ISSN形式) 09135685
掲載誌情報(ISSN-L形式) 09135685
掲載誌名 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
掲載巻 114
掲載号 359
掲載ページ 135-138
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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