記事・論文
| タイトル | デバイス内部の応力集中と真性キャリア濃度変化を考慮したnMOSFETの電気特性変動デバイスシミュレーション |
|---|---|
| 著者 | 多田 直弘 |
| 著者 | 小金丸 正明 |
| 著者 | 池田 徹 他 |
| 出版地（国名コード） | JP |
| 別タイトル | Device Simulation for Stress Effects Considering Stress Concentration and Variations of Intrinsic Carrier Density in nMOSFETs |
| 出版年(W3CDTF) | 2012-09 |
| NDLC | ZN33 |
| 対象利用者 | 一般 |
| 資料の種別 | 記事・論文 |
| 掲載誌情報（URI形式） | https://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000054465-00 |
| 掲載誌名 | マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集 |
| 掲載巻 | 22 |
| 掲載ページ | 175-178 |
| 言語（ISO639-2形式） | jpn : 日本語 |
