Nonvolatile Power-Gating Field-Programmable Gate Array Using Nonvolatile Static Random Access Memory and Nonvolatile Flip-Flops Based on Pseudo-Spin-Transistor Architecture with Spin-Transfer-Torque Magnetic Tunnel Junctions (Special Issue : Applied Physics on Materials Research)
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書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- Shuu'ichirou YamamotoYusuke ShutoSatoshi Sugahara
- タイトル（掲載誌）
- Japanese journal of applied physics : JJAP
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 51(11)(2):2012.11
- 掲載巻
- 51
- 掲載号
- 11
- 掲載通号
- 2