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雑誌Japanese journal of applied physics : JJAP
巻号51(10)(1):2012.10
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Investigation of the Low-Frequency Noise Behavior and Its Correlation with the Subgap Density of States and Bias-Induced Instabilities in Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors with Various Oxygen Flow Rates

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Investigation of the Low-Frequency Noise Behavior and Its Correlation with the Subgap Density of States and Bias-Induced Instabilities in Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors with Various Oxygen Flow Rates

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
024025832
資料種別
記事
著者
Chan-Yong Jeongほか
出版者
Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
出版年
2012-10
資料形態
紙
掲載誌名
Japanese journal of applied physics : JJAP 51(10)(1):2012.10
掲載ページ
p.100206-1-3
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紙

資料種別
記事
タイトル
Investigation of the Low-Frequency Noise Behavior and Its Correlation with the Subgap Density of States and Bias-Induced Instabilities in Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors with Various Oxygen Flow Rates
著者・編者
Chan-Yong Jeong
Ick-Joon Park
In-Tak Cho 他
著者標目
Chan-Yong Jeong
Ick-Joon Park
In-Tak Cho
タイトル（掲載誌）
Japanese journal of applied physics : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）
51(10)(1):2012.10
掲載巻
51
掲載号
10
掲載通号
1
掲載ページ
100206-1-3