「半導体の物性」のOpenURLのAPI検索結果 | NDLサーチ

検索結果 114 件

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カルコゲナイドガラスの電子伝導 : 未解決問題 (小特集アモルファスカルコゲナイド半導体の物性と応用 ; 基礎物性・構造解析)

紙記事

嶋川晃一<Z15-11>固体物理 / アグネ技術センター [編]57(1)=671:2022.1p.11-20

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アモルファスカルコゲナイド物質概観「現状と課題」 (小特集アモルファスカルコゲナイド半導体の物性と応用 ; 基礎物性・構造解析)

紙記事

田中啓司<Z15-11>固体物理 / アグネ技術センター [編]57(1)=671:2022.1p.3-10

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量子ビームを用いたアモルファス構造解析の新展開 (小特集アモルファスカルコゲナイド半導体の物性と応用 ; 基礎物性・構造解析)

紙記事

細川伸也<Z15-11>固体物理 / アグネ技術センター [編]57(1)=671:2022.1p.35-44

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イオン導電性カルコゲナイドガラス (小特集アモルファスカルコゲナイド半導体の物性と応用 ; 基礎物性・構造解析)

紙記事

安仁屋勝, 臼杵毅<Z15-11>固体物理 / アグネ技術センター [編]57(1)=671:2022.1p.21-33

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カルコゲン化物ガラスの赤外光学素子への応用 (小特集アモルファスカルコゲナイド半導体の物性と応用 ; 電気光学的特徴を活かした応用)

紙記事

角野広平<Z15-11>固体物理 / アグネ技術センター [編]57(1)=671:2022.1p.65-75

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第一原理計算による半導体の物性予測と物質探索

紙デジタル記事

大場史康, 日沼洋陽, 熊谷悠<Z17-313>まてりあ = Materia Japan56(9):2017.9p.554-559

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アバランシェ増倍a-Se光導電膜を用いた超高感度HARP撮像管 (小特集アモルファスカルコゲナイド半導体の物性と応用 ; 電気光学的特徴を活かした応用)

紙記事

谷岡健吉<Z15-11>固体物理 / アグネ技術センター [編]57(1)=671:2022.1p.77-88

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アモルファスカルコゲナイドの光誘起構造変化 : 光黒化と銀の光拡散ダイナミクス (小特集アモルファスカルコゲナイド半導体の物性と応用 ; 電気光学的特徴を活かした応用)

紙記事

坂口佳史<Z15-11>固体物理 / アグネ技術センター [編]57(1)=671:2022.1p.45-63

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Te系相変化材料における構造・電子状態・結合と物理特性の関係 (小特集アモルファスカルコゲナイド半導体の物性と応用(その2)相変化カルコゲナイド半導体 ; 基礎物性)

紙記事

齊藤雄太<Z15-11>固体物理 / アグネ技術センター [編]57(2)=672:2022.2p.125-141

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赤外光熱偏向分光法による相変化メモリ材料の局在準位評価 (小特集アモルファスカルコゲナイド半導体の物性と応用(その2)相変化カルコゲナイド半導体 ; 基礎物性)

紙記事

後藤民浩<Z15-11>固体物理 / アグネ技術センター [編]57(2)=672:2022.2p.117-124

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ハロゲン化鉛ペロブスカイト型半導体の物性 (特集注目!ペロブスカイト太陽電池)

紙記事

近藤高志<Z16-1255>Optronics : 光技術コーディネートジャーナル34(7)=403:2015.7p.71-75

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光相変化材料の超高速光応答とそのダイナミクス (小特集アモルファスカルコゲナイド半導体の物性と応用(その2)相変化カルコゲナイド半導体 ; 相変化による構造変化)

紙記事

谷村洋, 河口智也, 市坪哲<Z15-11>固体物理 / アグネ技術センター [編]57(2)=672:2022.2p.105-116

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コヒーレントフォノンによる構造解析 : フェムト秒で観る構造ダイナミックス (小特集アモルファスカルコゲナイド半導体の物性と応用(その2)相変化カルコゲナイド半導体 ; 相変化による構造変化)

紙記事

長谷宗明<Z15-11>固体物理 / アグネ技術センター [編]57(2)=672:2022.2p.95-104

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相変化フォトニクス (小特集アモルファスカルコゲナイド半導体の物性と応用(その2)相変化カルコゲナイド半導体 ; 相変化メモリ技術の新展開)

紙記事

斎木敏治<Z15-11>固体物理 / アグネ技術センター [編]57(2)=672:2022.2p.155-166

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テラヘルツ波帯でのカルコゲン相変化材料の特性とデバイス応用 (小特集アモルファスカルコゲナイド半導体の物性と応用(その2)相変化カルコゲナイド半導体 ; 相変化メモリ技術の新展開)

紙記事

牧野孝太郎, 中嶋誠<Z15-11>固体物理 / アグネ技術センター [編]57(2)=672:2022.2p.167-178

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不揮発性メモリ用相変化材料開発の課題と新材料に関する最新研究 (小特集アモルファスカルコゲナイド半導体の物性と応用(その2)相変化カルコゲナイド半導体 ; 相変化メモリ技術の新展開)

紙記事

畑山祥吾, 須藤祐司<Z15-11>固体物理 / アグネ技術センター [編]57(2)=672:2022.2p.143-154

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半導体材料・デバイスの最新の進展(1)酸化物半導体の物性とデバイス応用

紙デジタル記事

金子健太郎<Z14-267>材料 / 日本材料学会 [編]66(1):2017.1p.58-65

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狭ギャップ半導体の物性と磁気センサ応用 (特集狭ギャップ半導体およびシリコンスピントロニクスの最近の話題)

紙記事

柴﨑一郎<Z74-E810>まぐね = Magnetics Japan8(5)=77:2013p.224-236

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鉄酸化物系熱電半導体の物性と応用

紙博士論文

野崎友大 [著][野崎友大][2011]<UT51-2011-L411>

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(Al,Ga)N系半導体の物性予測に向けたGaNとAlNの物性定数の同定 (特集固体紫外光源を目指した窒化物半導体結晶成長の最前線)

記録メディアデジタル記事

石井良太, 船戸充, 川上養一<YH247-1397>日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth41(3):2014p.138-145

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