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目次
論文の要旨
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第1章 序論
p1
1.1 III-V族化合物半導体の応用分野
p1
1.2 表面のパッシベーション(不活性化)
p2
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- リュウカ ショリ シタ InAs(111) オヨビ InSb(001) ヒョウメン ノ コウゾウ オヨビ デンシ ジョウタイ ノ ケンキュウ
- 著者・編者
- 市川祐永 [著]
- 著者標目
- 市川, 祐永 イチカワ, スケノリ
- 数量
- 冊
- 授与機関名
- 静岡大学
- 授与年月日
- 平成11年3月24日
- 授与年月日(W3CDTF)
- 1999
- 報告番号
- 甲第185号