GaAs静電誘導パワーデバイス製作技術に関する研究
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目次
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p1
第1章 序論
p1
1.1 化合物半導体デバイスの歴史と問題点
p1
1.2 GaAs SIパワーデバイス
p7
1.3 本研究の目的と各章の概要
p12
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- GaAs セイデン ユウドウ パワー デバイス セイサク ギジュツ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者・編者
- 富田晃吉 [著]
- 著者標目
- 富田, 晃吉 トミタ, アキヨシ
- 授与機関名
- 静岡大学
- 授与年月日
- 平成6年3月23日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1994
- 報告番号
- 甲第100号
- 学位
- 博士 (工学)