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資料種別 記事・論文

Correlation between surface topography and static capacitance image of iltrathin SiO2 films evaluated by scanning capacitance microscopy

Yuichi Naitou,Atsushi Ando,Hisato Ogiso 他

詳細情報

タイトル Correlation between surface topography and static capacitance image of iltrathin SiO2 films evaluated by scanning capacitance microscopy
著者 Yuichi Naitou
著者 Atsushi Ando
著者 Hisato Ogiso 他
出版年 2007-09
件名(キーワード) scanning capacitance microscopy
件名(キーワード) SCM
件名(キーワード) sef-sensing probe
件名(キーワード) SiO2
件名(キーワード) gate dielectrics
件名(キーワード) thickness fluctuation
件名(キーワード) metal-oxide-semiconductor (MOS) structure
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 00214922
掲載誌情報(ISSNL形式) 00214922
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000159719-00
掲載誌名 Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
掲載巻 46
掲載号 9A
掲載通号 659
掲載ページ 5992~5999
言語(ISO639-2形式) eng : English

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