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資料種別 記事・論文

中性原子発生装置の開発とナノスケール半導体薄膜形成への応用に関する研究

古川 雅一,福田 永,佐藤 孝紀

詳細情報

タイトル 中性原子発生装置の開発とナノスケール半導体薄膜形成への応用に関する研究
著者 古川 雅一
著者 福田 永
著者 佐藤 孝紀
出版年 2006-11
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000008019951-00
掲載誌名 国立大学法人室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告
掲載号 17
掲載ページ 中扉1枚,23~31
言語(ISO639-2形式) jpn : 日本語

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