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資料種別 記事・論文

Analysis of carrier traps in silicon nitride film with discharge current transient spectroscopy, photoluminescence, and electron spin resonance

Hiroshi Aozasa,Ichiro Fujiwara,Yoshiaki Kamigaki

詳細情報

タイトル Analysis of carrier traps in silicon nitride film with discharge current transient spectroscopy, photoluminescence, and electron spin resonance
著者 Hiroshi Aozasa
著者 Ichiro Fujiwara
著者 Yoshiaki Kamigaki
出版年 2007-09
件名(キーワード) silicon nitride
件名(キーワード) DCTS
件名(キーワード) ESR
件名(キーワード) photoluminescence
件名(キーワード) trap
件名(キーワード) K-center
件名(キーワード) paramagnetic defect
件名(キーワード) Pb-center
件名(キーワード) silicon dangling-bond
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 00214922
掲載誌情報(ISSNL形式) 00214922
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000159719-00
掲載誌名 Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
掲載巻 46
掲載号 9A
掲載通号 659
掲載ページ 5762~5766
言語(ISO639-2形式) eng : English

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