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資料種別 記事・論文

High speed phase change random access memory with (Ge1Sb2Te4)0.9(Sn1Bi2Te4)0.1 complete solid solution

Dong-Ho Ahn,Tae-Yon Lee,Dong-Bok Lee 他

詳細情報

タイトル High speed phase change random access memory with (Ge1Sb2Te4)0.9(Sn1Bi2Te4)0.1 complete solid solution
著者 Dong-Ho Ahn
著者 Tae-Yon Lee
著者 Dong-Bok Lee 他
出版年 2007-09
件名(キーワード) Ge1Sb2Te4
件名(キーワード) PRAM
件名(キーワード) Sn1Bi2Te4
件名(キーワード) complete solid solution
件名(キーワード) amorphous
件名(キーワード) fcc
件名(キーワード) hcp
件名(キーワード) crystallization
件名(キーワード) activation energy
対象利用者 一般
資料の種別 記事・論文
掲載誌情報(ISSN形式) 00214922
掲載誌情報(ISSNL形式) 00214922
掲載誌情報(URI形式) http://iss.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000159719-00
掲載誌名 Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
掲載巻 46
掲載号 9A
掲載通号 659
掲載ページ 5719~5723
言語(ISO639-2形式) eng : English

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