GaAsのスクラッチ加工におけるクラック発生機構の結晶方位依存性(第1報)GaAsにおけるクラック発生機構の特異性

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GaAsのスクラッチ加工におけるクラック発生機構の結晶方位依存性(第1報)GaAsにおけるクラック発生機構の特異性

国立国会図書館請求記号
Z16-1147
国立国会図書館書誌ID
8906681
資料種別
記事
著者
森田 昇ほか
出版者
東京 : 砥粒加工学会
出版年
2007-09
資料形態
掲載誌名
Abrasive technology : 砥粒加工学会誌 : journal of the Japan Society for Abrasive Technology 51(9) (通号 301) 2007.9
掲載ページ
p.547~552
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
森田 昇
川堰 宣隆
田代 雄介 他
並列タイトル等
Dependence of crack generation process on crystal orientation in scratching of gallium arsenide: 1st report: specificity of crack generation in gallium arsenide
タイトル(掲載誌)
Abrasive technology : 砥粒加工学会誌 : journal of the Japan Society for Abrasive Technology
巻号年月日等(掲載誌)
51(9) (通号 301) 2007.9
掲載巻
51
掲載号
9
掲載通号
301