3次元型トランジスタFinFETを用いたDTMOS(FinFET型DTMOS)によるシステムLSIの高密度設計法--パターン面積の縮小効果の見積もり (集積回路)

記事を表すアイコン

3次元型トランジスタFinFETを用いたDTMOS(FinFET型DTMOS)によるシステムLSIの高密度設計法--パターン面積の縮小効果の見積もり

(集積回路)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
8896263
資料種別
記事
著者
廣島 佑ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2007-08
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 107(195) 2007.8.23・24
掲載ページ
p.125~130
すべて見る

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
記事
著者・編者
廣島 佑
渡辺 重佳
岡本 恵介 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
Design method of high density system LSI with three-dimensional FinFET type DTMOS: reduction of pattern area
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
107(195) 2007.8.23・24
掲載巻
107
掲載号
195